【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态摄像装置、固态摄像装置的制造方法和电子设备
[0001]本技术涉及固态摄像装置、固态摄像装置的制造方法和电子设备。
技术介绍
[0002]通常,诸如CMOS(complementary metal oxide semiconductor:互补金属氧化物半导体)图像传感器和CCD(charge coupled device:电荷耦合器件)等固态摄像装置被广泛用于数码相机和数字摄像机等中。
[0003]在制造固态摄像装置时,有一种使用绝缘体上硅(SOI:silicon on insulator)以便防止半导体基板的膜厚度变化的技术。然而,如果使用绝缘体上硅(SOI)基板,则固态摄像装置的制造成本可能会增加。
[0004]例如,已经提出了一种无需使用绝缘体上硅(SOI)基板而能够以低成本制造出固态摄像装置的技术(参见专利文献1和专利文献2)。
[0005]引用列表
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本专利申请特开第2005
‑
353996号
[00 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种固态摄像装置,其包括:从光入射侧开始依次布置有:设置有光电转换单元和第二元件的第二半导体基板、第二绝缘层、设置有第一元件的第一半导体基板、和第一绝缘层,并且所述固态摄像装置包括形成在所述第一半导体基板上的凹槽,其中,所述凹槽具有第一侧壁和第二侧壁,并且所述第一侧壁和所述第二侧壁中的至少一个侧壁的一部分相对于所述第一半导体基板的所述光入射侧的表面沿倾斜方向延伸。2.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,所述凹槽嵌入有绝缘材料。3.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,所述凹槽从所述光入射侧开始依次具有与所述第一半导体基板的所述光入射侧的所述表面大致平行的第二宽度和第一宽度,并且所述第二宽度大于所述第一宽度。4.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,所述凹槽形成在连接所述第二元件和所述第一元件的贯通孔贯穿的区域中。5.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,所述凹槽形成在元件分离区中。6.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,所述凹槽形成在像素区域外部的周边区域中。7.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,所述凹槽形成在划线区域中。8.根据权利要求1所述的固态摄像装置,还包括接合辅助膜,其中,所述接合辅助膜布置在所述第二绝缘层和所...
【专利技术属性】
技术研发人员:平松克规,
申请(专利权)人:索尼半导体解决方案公司,
类型:发明
国别省市:
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