III族氮化物衬底制备方法和半导体器件技术

一种III族氮化物衬底制备方法和半导体器件，其中III族氮化物衬底制备方法包括：在衬底表面形成多孔SiO2层，将多孔金属掩膜层覆盖于所述多孔SiO2层，其中所述多孔金属掩膜层的多孔与所述多孔SiO2层的多孔一一对应且孔径一致；在所述多孔金属掩膜层上表面和所述一一对应的多孔中同步生长III族氮化物层；去除所述多孔金属掩膜层上表面的III族氮化物层和多孔金属掩膜层形成周期性排列的III族氮化物纳米柱。本发明专利技术在衬底表面生长SiO2层，利用衬底与SiO2的折射率差异，增加深紫外LED的出光效率；同时形成SiO2和金属双层掩膜层带有相同结构的周期性排列通孔，通过在通孔中生长III族氮化物，较为容易地实现了周期性排列且避免了直接刻蚀方法导致的暗裂和杂质污染。接刻蚀方法导致的暗裂和杂质污染。接刻蚀方法导致的暗裂和杂质污染。

【技术实现步骤摘要】
III族氮化物衬底制备方法和半导体器件


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体为一种III族氮化物衬底制备方法和半导体器件。

技术介绍

[0002]深紫外LED作为典型的第三代宽禁带半导体产物，其具有体积小、寿命长、无毒等优点，能够有效地杀灭细菌，对炭疽孢子，大肠杆菌，流感，疟疾等病毒具有高速高效灭杀的功能，被广泛用于表面、空气、水杀菌等。而AlGaN作为深紫外LED的核心材料，其禁带宽度随着Al组分由0到1变化在3.4eV到6.2eV之间连续可调，相应波段覆盖了200
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365nm，涵盖了大部分紫外波段，是制备紫外发光与探测器件的理想材料。
[0003]现有技术中，对于深紫外LED的生产通常是在蓝宝石衬底上生长出AlN单晶来实现，一般采用直接的干法刻蚀或湿法刻蚀的纳米压印技术制作图形化纳米柱，但直接刻蚀方法又带来如下问题：1. 容易引起AlN层出现暗裂，导致材料缺陷，对后续外延层及器件的质量及性能带来不利影响；2.容易导致Cl、Br等杂质离子的残留，造成污染；3. 直接刻蚀的方法导致AlN纳米柱排列周期性差本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种III族氮化物衬底制备方法，包括如下步骤：在衬底表面形成多孔SiO2层，其中所述SiO2层的多孔为通孔且周期性排列；将多孔金属掩膜层覆盖于所述多孔SiO2层，其中所述多孔金属掩膜层的多孔与所述多孔SiO2层的多孔一一对应且孔径一致，所述多孔金属掩膜层的下表面带有多个纳米级凸出结构以与所述多孔SiO2层形成纳米级中空结构；在所述多孔金属掩膜层上表面和所述一一对应的多孔中同步生长III族氮化物层；去除所述多孔金属掩膜层上表面的III族氮化物层；去除所述多孔金属掩膜层形成周期性排列的III族氮化物纳米柱。2.根据权利要求1所述的III族氮化物衬底制备方法，其特征在于：其中，在衬底表面形成多孔SiO2层具体为：在所述衬底表面生长SiO2层；通过刻蚀方法在所述SiO2层表面形成具有周期性排列的贯通的孔状结构。3.根据权利要求1所述的III族氮化物衬底制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：至芯半导体杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：