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一种III族氮化物衬底制备方法和半导体器件，其中III族氮化物衬底制备方法包括：在衬底表面形成多孔SiO2层，将多孔金属掩膜层覆盖于所述多孔SiO2层，其中所述多孔金属掩膜层的多孔与所述多孔SiO2层的多孔一一对应且孔径一致；在所述多孔金属...
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