存储器的编程操作方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种存储器的编程操作方法及装置，存储器包括在预设方向上依次设置的第一输入端、第一存储串和第二存储串和第二输入端，第一存储串包括串联的多个第一存储单元，第二存储串包括串联的多个第二存储单元，编程操作方法包括：进行编程操作的预充电，包括向第一输入端提供第一预设电压，并对第一存储单元的栅极层提供第二预设电压，以对第一存储串中的沟道进行预充电；进行编程操作，以对第二存储单元进行编程，从而在对第二存储串进行编程操作时，能够在该编程操作的预充电阶段有效降低沟道的电荷密度，进而减小编程干扰。进而减小编程干扰。进而减小编程干扰。

【技术实现步骤摘要】
存储器的编程操作方法及装置


[0001]本专利技术涉及存储器
，具体涉及一种存储器的编程操作方法及装置。

技术介绍

[0002]随着技术的发展，半导体工业不断寻找新的生产方式，以使得存储器装置中的每一存储器裸片具有更多数量的存储器单元。其中，3D NAND存储器由于其存储密度高、成本低等优点，已成为目前较为前沿、且极具发展潜力的三维存储器技术。
[0003]目前，在对3D NAND存储器进行编程操作时，通常会在该编程操作的预充电阶段向位于沟道源极侧端的源极端提供较大的正偏电压，以吸引沟道中的电子向源极端迁移并最终被该源极端吸收，从而降低沟道电荷密度。
[0004]但是，随着3D NAND存储器中堆叠层数的增加，沟道长度越来越长，使得距离源极端较远处的沟道中的电子受到的电场力大小有限，而无法高效地向源极端迁移，进而导致在预充电阶段无法有效降低沟道电荷密度，编程干扰严重。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种存储器的编程操作方法及装置，以减小编程干扰。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种存储器的编程操作方法，该存储器包括在预设方向上依次设置的第一输入端、第一存储串和第二存储串和第二输入端，第一存储串包括串联的多个第一存储单元，第二存储串包括串联的多个第二存储单元，各个第一存储单元和第二存储单元包括栅极层、存储数据状态的存储层、以及沟道，编程操作方法包括：
[0007]进行编程操作的预充电，包括向第一输入端提供第一预设电压，并对第一存储单元的栅极层提供第二预设电压，以对第一存储串中的沟道进行预充电；以及，
[0008]进行编程操作，以对第二存储单元进行编程。
[0009]其中，向第一输入端提供第一预设电压的持续时长大于对第一存储单元的栅极层提供第二预设电压的持续时长。
[0010]其中，第一预设电压大于第二预设电压，第二预设电压为正值电压。
[0011]其中，存储器还包括位于第一存储串和第二存储串之间的中间冗余存储串，中间冗余存储串包括串联的至少一个中间冗余存储单元，各个中间冗余存储单元包括栅极层、存储数据状态的存储层、以及沟道，进行编程操作的预充电，还包括：
[0012]对中间冗余存储单元的栅极层提供第三预设电压，使中间冗余存储单元导通。
[0013]其中，对第一存储单元的栅极层提供第二预设电压的持续时长不小于对中间冗余存储单元的栅极层提供第三预设电压的持续时长。
[0014]其中，编程操作从靠近第二输入端的第二存储单元向远离第二输入端方向对多个待编程的第二存储单元进行编程，数据状态包括未编程状态和已编程状态。
[0015]其中，进行编程操作的预充电，还包括：
[0016]对与当前编程的第二存储单元之间间隔的第二存储单元的数量大于预设数量且
处于未编程状态的第二存储单元的栅极层提供第四预设电压，并对剩余的第二存储单元的栅极层提供接地电压，使第二存储串中的沟道中的电子向被提供了第四预设电压的第二存储单元迁移。
[0017]其中，存储器还包括位于第一输入端和第一存储串之间的第三存储串，第三存储串包括串联的多个第三存储单元，各个第三存储单元包括栅极层、存储数据状态的存储层、以及沟道，第三存储单元的数据状态为已编程状态，进行编程操作的预充电，还包括：
[0018]对第三存储单元的栅极层提供第五预设电压，使第三存储单元导通。
[0019]其中，进行编程操作，具体包括：
[0020]对当前编程的第二存储单元进行编程；
[0021]当完成对当前编程的第二存储单元的编程时，将下一第二存储单元更新为当前编程的第二存储单元，并返回执行进行编程操作的预充电的步骤，其中，下一第二存储单元为与当前编程的第二存储单元相邻且位于当前编程的第二存储单元背离第二输入端的一侧上的第二存储单元。
[0022]其中，进行编程操作，具体包括：
[0023]对当前编程的第二存储单元的栅极层提供编程电压，并向剩余的第二存储单元提供沟道导通电压。
[0024]其中，第一输入端与第一存储串的源极侧端电连接，第二输入端与第二存储串的漏极侧端电连接，第一存储串的漏极侧端与第二存储串的源极侧端电连接。
[0025]其中，存储器为三维存储器，预设方向为纵向，第一存储串包括在纵向上层叠设置的多个第一存储单元，第二存储串包括在纵向上层叠设置的多个第二存储单元。
[0026]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种存储器的编程操作装置，该存储器包括在预设方向上依次设置的第一输入端、第一存储串和第二存储串和第二输入端，第一存储串包括串联的多个第一存储单元，第二存储串包括串联的多个第二存储单元，各个第一存储单元和第二存储单元包括栅极层、存储数据状态的存储层、以及沟道，编程操作装置包括：
[0027]预充电模块，用于进行编程操作的预充电，进行编程操作的预充电包括向第一输入端提供第一预设电压，并对第一存储单元的栅极层提供第二预设电压，以对第一存储串中的沟道进行预充电；以及，
[0028]编程模块，以对第二存储单元进行编程。
[0029]其中，向第一输入端提供第一预设电压的持续时长大于对第一存储单元的栅极层提供第二预设电压的持续时长。
[0030]其中，第一预设电压大于第二预设电压，第二预设电压为正值电压。
[0031]其中，存储器还包括位于第一存储串和第二存储串之间的中间冗余存储串，中间冗余存储串包括串联的至少一个中间冗余存储单元，各个中间冗余存储单元包括栅极层、存储数据状态的存储层、以及沟道，进行编程操作的预充电，还包括：
[0032]对中间冗余存储单元的栅极层提供第三预设电压，使中间冗余存储单元导通。
[0033]其中，对第一存储单元的栅极层提供第二预设电压的持续时长不小于对中间冗余存储单元的栅极层提供第三预设电压的持续时长。
[0034]其中，编程操作从靠近第二输入端的第二存储单元向远离第二输入端方向对多个待编程的第二存储单元进行编程，数据状态包括未编程状态和已编程状态。
[0035]其中，进行编程操作的预充电，还包括：
[0036]对与当前编程的第二存储单元之间间隔的第二存储单元的数量大于预设数量且处于未编程状态的第二存储单元的栅极层提供第四预设电压，并对剩余的第二存储单元的栅极层提供接地电压，使第二存储串中的沟道中的电子向被提供了第四预设电压的第二存储单元迁移。
[0037]其中，存储器还包括位于第一输入端和第二存储串之间的第三存储串，第三存储串包括串联的多个第三存储单元，各个第三存储单元包括栅极层、存储数据状态的存储层、以及沟道，第三存储单元的数据状态为已编程状态，进行编程操作的预充电，还包括：
[0038]对第三存储单元的栅极层提供第五预设电压，使第三存储单元导通。
[0039]其中，编程模块具体用于：
[0040]对当前编程的第二存储单元进行编程；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的编程操作方法，其特征在于，所述存储器包括在预设方向上依次设置的第一输入端、第一存储串和第二存储串和第二输入端，所述第一存储串包括串联的多个第一存储单元，所述第二存储串包括串联的多个第二存储单元，各个所述第一存储单元和所述第二存储单元包括栅极层、存储数据状态的存储层、以及沟道，所述编程操作方法包括：进行编程操作的预充电，包括向所述第一输入端提供第一预设电压，并对所述第一存储单元的栅极层提供第二预设电压，以对所述第一存储串中的所述沟道进行预充电；以及，进行所述编程操作，以对所述第二存储单元进行编程。2.根据权利要求1所述的存储器的编程操作方法，其特征在于，向所述第一输入端提供所述第一预设电压的持续时长大于对所述第一存储单元的栅极层提供所述第二预设电压的持续时长。3.根据权利要求1所述的存储器的编程操作方法，其特征在于，所述第一预设电压大于所述第二预设电压，所述第二预设电压为正值电压。4.根据权利要求1所述的存储器的编程操作方法，其特征在于，所述存储器还包括位于所述第一存储串和所述第二存储串之间的中间冗余存储串，所述中间冗余存储串包括串联的至少一个中间冗余存储单元，各个所述中间冗余存储单元包括栅极层、存储数据状态的存储层、以及沟道，所述进行编程操作的预充电，还包括：对所述中间冗余存储单元的栅极层提供第三预设电压，使所述中间冗余存储单元导通。5.根据权利要求4所述的存储器的编程操作方法，其特征在于，对所述第一存储单元的栅极层提供所述第二预设电压的持续时长不小于对所述中间冗余存储单元的栅极层提供所述第三预设电压的持续时长。6.根据权利要求1所述的存储器的编程操作方法，其特征在于，所述编程操作从靠近所述第二输入端的所述第二存储单元向远离所述第二输入端方向对多个待编程的所述第二存储单元进行编程，所述数据状态包括未编程状态和已编程状态。7.根据权利要求6所述的存储器的编程操作方法，其特征在于，所述进行编程操作的预充电，还包括：对与当前编程的所述第二存储单元之间间隔的所述第二存储单元的数量大于预设数量且处于未编程状态的所述第二存储单元的栅极层提供第四预设电压，并对剩余的所述第二存储单元的栅极层提供接地电压，使所述第二存储串中的所述沟道中的电子向被提供了所述第四预设电压的所述第二存储单元迁移。8.根据权利要求6所述的存储器的编程操作方法，其特征在于，所述存储器还包括位于所述第一输入端和所述第一存储串之间的第三存储串，所述第三存储串包括串联的多个第三存储单元，各个所述第三存储单元包括栅极层、存储数据状态的存储层、以及沟道，所述第三存储单元的数据状态为已编程状态，所述进行编程操作的预充电，还包括：对所述第三存储单元的栅极层提供第五预设电压，使所述第三存储单元导通。9.根据权利要求6所述的存储器的编程操作方法，其特征在于，所述进行所述编程操作，具体包括：对当前编程的所述第二存储单元进行编程；
当完成对当前编程的所述第二存储单元的编程时，将下一第二存储单元更新为当前编程的所述第二存储单元，并返回执行所述进行编程操作的预充电的步骤，其中，所述下一第二存储单元为与当前编程的所述第二存储单元相邻且位于当前编程的所述第二存储单元背离所述第二输入端的一侧上的所述第二存储单元。10.根据权利要求1所述的存储器的编程操作方法，其特征在于，所述进行所述编程操作，具体包括：对当前编程的所述第二存储单元的栅极层提供编程电压，并向剩余的所述第二存储单元提供沟道导通电压。11.根据权利要求1
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10任一项所述的存储器的编程操作方法，其特征在于，所述第一输入端与所述第一存储串的源极侧端电连接，所述第二输入端与所述第二存储串的漏极侧端电连接，所述第一存储串的漏极侧端与所述第二存储串的源极侧端电连接。12.根据权利要求1
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10所述的存储器的编程操作方法，其特征在于，所述存储器为三维存储器，所述预设方向为纵向，所述第一存储串包括在所述纵向上层叠设置的多个第一存储单元，所述第二存储串包括在所述纵向上层叠设置的多个第二存储单元。13.一种存储器的编程操作装置，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李楷威，游开开，贾建权，李姗，张安，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：