一种电压转换器制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种电压转换器，该电压转换器包括：电流镜模块、开关模块和偏置模块；偏置模块电连接至开关模块的衬底，偏置模块连接在偏置电流端和地端之间，偏置电流端提供偏置电流信号，偏置模块开启时，偏置电流信号使开关模块的衬底电压升高；第一电信号端的信号大于第二电信号端的信号时，偏置模块使开关模块开启，开关模块分流第一电流信号，使电流镜模块关断，电流镜模块的输出端输出第二电信号端的信号；第一电信号端的信号等于第二电信号端的信号时，开关模块关断，第一电流信号流入电流镜模块，使电流镜模块开启，电流镜模块的输出端输出第二电压信号；第二电压信号大于第一电信号端提供的高电平信号。本发明专利技术可降低杂讯干扰。低杂讯干扰。低杂讯干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种电压转换器


[0001]本专利技术实施例涉及稳压器
，尤其涉及一种电压转换器。

技术介绍

[0002]电压转换器也可称之为稳压器，是使输出电压稳定的设备。当输入电压或负载变化时，电压转换器通过自动调整，保持输出电压的稳定。
[0003]目前，电压转换器的结构包括偏压电路，偏压电路控制偏压，可以保证电压转换器中晶体管等器件不会高于耐压。采用偏压走线给多组电压转换器提供偏置电压信号。
[0004]然而，采用偏压走线提供偏置电压信号时，偏置电压信号的大小不好控制和选择，且容易收到杂讯干扰，影响电压转换器的性能。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种电压转换器，解决现有技术中偏置电压信号不好选择且电压转换器易受杂讯干扰等问题。
[0006]本专利技术实施例提供了一种电压转换器，包括：电流镜模块、开关模块和偏置模块；
[0007]所述电流镜模块的第一端电连接至第一电流端，所述电流镜模块的第二端电连接至第二电源端，所述第一电流端提供第一电流信号，所述第二电源端提供第二电压信号；
[0008]所述开关模块的第一端电连接至第一电信号端，所述开关模块连接在所述第一电流端和第二电信号端之间，所述开关模块的输出端电连接至所述电流镜模块的输出端；
[0009]所述偏置模块电连接至所述开关模块的衬底，所述偏置模块连接在偏置电流端和地端之间，所述偏置电流端提供偏置电流信号，所述偏置模块开启时，所述偏置电流信号使所述开关模块的衬底电压升高；
[0010]所述第一电信号端提供的电平信号大于所述第二电信号端提供的电平信号时，所述偏置模块开启，使所述开关模块开启，所述开关模块分流所述第一电流信号，使所述电流镜模块关断，所述电流镜模块的输出端输出所述第二电信号端提供的电平信号；
[0011]所述第一电信号端提供的电平信号等于所述第二电信号端提供的电平信号时，使所述开关模块关断，所述第一电流信号流入所述电流镜模块，使所述电流镜模块开启，所述电流镜模块的输出端输出所述第二电压信号；
[0012]所述第二电压信号大于所述第一电信号端提供的高电平信号。
[0013]进一步的，所述第一电信号端提供第一方波信号，且所述第二电信号端接地端；
[0014]所述第一方波信号中高电平信号的电位大于或等于所述地端的电位，且小于所述第二电压信号的电位。
[0015]进一步的，所述第一电信号端提供第一电压信号，且所述第二电信号端提供第一方波信号；
[0016]所述第一方波信号中高电平信号的电位等于所述第一电压信号的电位，且小于所述第二电压信号的电位。
[0017]进一步的，所述开关模块包括相同的第一晶体管和第二晶体管；
[0018]所述第一晶体管的控制端和所述第二晶体管的控制端均电连接至所述第一电信号端，所述第一晶体管连接在所述第一电流端和所述第二电信号端之间，所述第二晶体管连接在所述第二电信号端和所述电流镜模块的输出端之间。
[0019]进一步的，所述偏置模块包括偏置晶体管，所述偏置晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管共用一半导体衬底；
[0020]所述偏置晶体管的控制端分别电连接至所述半导体衬底和所述偏置电流端，所述偏置晶体管的输入端电连接所述偏置电流端，且输出端电连接所述地端。
[0021]进一步的，所述偏置晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管均为NMOS；
[0022]所述半导体衬底的电压大于0V，且小于所述第一晶体管的阈值电压。
[0023]进一步的，所述半导体衬底的电压等于所述偏置晶体管的控制端与所述第一晶体管的输出端之间的导通电压。
[0024]进一步的，所述电流镜模块包括第三晶体管至第六晶体管；
[0025]所述第三晶体管的控制端和第一端均电连接至所述第一电流端，所述第三晶体管的第二端接所述地端；
[0026]第四晶体管的控制端电连接至所述第一电流端，所述第四晶体管连接在第二电流端和所述地端之间，所述第二电流端提供第二电流信号；
[0027]第五晶体管的控制端和第一端均电连接至所述第二电流端，所述第五晶体管的第二端电连接至所述第二电源端；
[0028]所述第六晶体管的控制端电连接至所述第二电流端，所述第六晶体管连接在所述第二电源端和所述开关模块的输出端之间；
[0029]所述第三晶体管和所述第四晶体管均为相同的NMOS，所述第五晶体管和所述第六晶体管均为PMOS。
[0030]进一步的，所述第五晶体管与所述第六晶体管的宽长比为1：k，其中，k大于1。
[0031]进一步的，还包括：反相模块，所述反相模块的输入端电连接至所述电流镜模块的输出端。
[0032]进一步的，所述反相模块包括第七晶体管和第八晶体管；
[0033]所述第七晶体管的控制端和所述第八晶体管的控制端均电连接至所述电流镜模块的输出端；
[0034]所述第七晶体管连接在所述第二电源端和所述反相模块的输出端之间，所述第八晶体管连接在所述地端和所述反相模块的输出端之间；
[0035]所述第七晶体管为PMOS，所述第八晶体管为NMOS。
[0036]进一步的，所述晶体管的阈值电压小于所述第二电压信号，且大于所述第一电信号端提供的高电平信号。
[0037]进一步的，还包括：隔离模块，所述隔离模块的输入端接收所述第一方波信号，所述隔离模块的输出端作为所述第一电信号端或作为所述第二电信号端。
[0038]进一步的，所述隔离模块包括串联连接的两个反相器，后一级所述反相器的输出端作为所述第一电信号端或作为所述第二电信号端；
[0039]所述反相器包括两个极性不同的晶体管。
[0040]进一步的，所述晶体管的阈值电压小于所述第一电信号端提供的高电平信号。
[0041]本专利技术实施例中，电压转换器采用偏置模块，偏置模块接收偏置电流信号，采用偏置电流信号进行驱动，无需特定上电时序，电流容易控制和选择。在偏置模块开启时，偏置电流信号流经开关模块的衬底使开关模块的衬底电压升高，开关模块反偏得以保证开启，开关模块分流第一电流信号，使电流镜模块关断，则输出端为低电平信号；在开关模块关断时，第一电流信号直接流入电流镜模块，使电流镜模块开启，则输出端为高电平信号。电流相对电压而言，电流对于电路中的杂讯不敏感，因此本专利技术实施例中采用稳定的偏置电流信号作为偏置信号，使得电压转换器工作过程中杂讯对信号的干扰非常小，可以提高电压转换器的性能。
附图说明
[0042]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图虽然是本专利技术的一些具体的实施例，对于本领域的技术人员来说，可以根据本专利技术的各种实施例所揭示和提示的器件结构，驱动方法和制造方法的基本概念，拓展和延伸到其它的结构和附图，毋庸置疑这些都应该是在本专利技术的权利要求范围之内。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电压转换器，其特征在于，包括：电流镜模块、开关模块和偏置模块；所述电流镜模块的第一端电连接至第一电流端，所述电流镜模块的第二端电连接至第二电源端，所述第一电流端提供第一电流信号，所述第二电源端提供第二电压信号；所述开关模块的第一端电连接至第一电信号端，所述开关模块连接在所述第一电流端和第二电信号端之间，所述开关模块的输出端电连接至所述电流镜模块的输出端；所述偏置模块电连接至所述开关模块的衬底，所述偏置模块连接在偏置电流端和地端之间，所述偏置电流端提供偏置电流信号，所述偏置模块开启时，所述偏置电流信号使所述开关模块的衬底电压升高；所述第一电信号端提供的电平信号大于所述第二电信号端提供的电平信号时，所述偏置模块开启，使所述开关模块开启，所述开关模块分流所述第一电流信号，使所述电流镜模块关断，所述电流镜模块的输出端输出所述第二电信号端提供的电平信号；所述第一电信号端提供的电平信号等于所述第二电信号端提供的电平信号时，使所述开关模块关断，所述第一电流信号流入所述电流镜模块，使所述电流镜模块开启，所述电流镜模块的输出端输出所述第二电压信号；所述第二电压信号大于所述第一电信号端提供的高电平信号。2.根据权利要求1所述的电压转换器，其特征在于，所述第一电信号端提供第一方波信号，且所述第二电信号端接地端；所述第一方波信号中高电平信号的电位大于或等于所述地端的电位，且小于所述第二电压信号的电位。3.根据权利要求1所述的电压转换器，其特征在于，所述第一电信号端提供第一电压信号，且所述第二电信号端提供第一方波信号；所述第一方波信号中高电平信号的电位等于所述第一电压信号的电位，且小于所述第二电压信号的电位。4.根据权利要求1所述的电压转换器，其特征在于，所述开关模块包括相同的第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的控制端和所述第二晶体管的控制端均电连接至所述第一电信号端，所述第一晶体管连接在所述第一电流端和所述第二电信号端之间，所述第二晶体管连接在所述第二电信号端和所述电流镜模块的输出端之间。5.根据权利要求4所述的电压转换器，其特征在于，所述偏置模块包括偏置晶体管，所述偏置晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管共用一半导体衬底；所述偏置晶体管的控制端分别电连接至所述半导体衬底和所述偏置电流端，所述偏置晶体管的输入端电连接所述偏置电流端，且输出端电连接所述地端。6.根据权利要求5所述的电压转换器，其特征在于，所述偏置晶体管、所述第一晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘炳麟，叶之朴，
申请(专利权)人：合肥视涯技术有限公司，
类型：发明
国别省市：