一种MOSFET管的驱动装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种MOSFET管的驱动装置，MOSFET管的驱动装置包括功率放大电路，MOSFET管的驱动系统包括命令下达电路、电荷泵电路和振荡电路，当功率放大电路接收到命令下达电路中的微控制单元MCU输出0V的方波信号时，将预先得到的开启电压发送至MOSFET管的门极，驱动MOSFET管打开，当功率放大电路接收到命令下达电路中的MCU输出5V的方波信号时，将预先得到的关闭电压发送至MOSFET管的门极，驱动MOSFET管关闭。通过上述方案，基于MOSFET管的驱动装置中的功率放大电路对MOSFET管进行驱动，无需使用驱动芯片对MOSFET管进行驱动，从而降低使用成本。用成本。用成本。

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET管的驱动装置


[0001]本专利技术涉及驱动电路
，更具体地说，涉及一种MOSFET管的驱动装置。

技术介绍

[0002]金属氧化物半导体场效应管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，MOSFET)，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET管为功率开关器件，可以承载大电流，用于驱动执行器。
[0003]现有技术中，通过采用驱动芯片对MOSFET管进行驱动，但是采用驱动芯片对MOSFET管进行驱动会造成使用成本高。
[0004]因此，通过驱动芯片对MOSFET管进行驱动的话会造成使用成本高。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术公开了一种MOSFET管的驱动装置，基于MOSFET管的驱动装置中的功率放大电路对MOSFET管进行驱动，无需使用驱动芯片对MOSFET管进行驱动，从而降低使用成本。
[0006]为了实现上述目的，其公开的
技术实现思路
如下：
[0007]本专利技术公开了一种MOSFET管的驱动装置，所述MOSFET管的驱动装置设置于MOSFET管的驱动系统，所述MOSFET管的驱动装置包括功率放大电路，所述MOSFET管的驱动系统包括命令下达电路、电荷泵电路和振荡电路；
[0008]所述电荷泵电路的第一端与蓄电池相连，第二端与所述振荡电路的第一端相连，第三端与所述功率放大电路的第一端相连；
[0009]所述功率放大电路的第二端与所述命令下达电路的第一端相连，第二端与MOSFET管相连，第三端接地；
[0010]所述振荡电路的第二端接地；
[0011]所述命令下达电路的第二端接地；
[0012]当所述功率放大电路接收到所述命令下达电路中的微控制单元MCU输出0V的方波信号时，将预先得到的开启电压发送至所述MOSFET管的门极，驱动所述MOSFET管打开；
[0013]当所述功率放大电路接收到所述命令下达电路中的所述MCU输出5V的方波信号时，将预先得到的关闭电压发送至所述MOSFET管的门极，驱动所述MOSFET管关闭。
[0014]优选的，所述功率放大电路，包括：
[0015]电阻R1、电阻R2、开关K1和开关K2；
[0016]所述电阻R1的第一端分别与所述电荷泵电路的第三端和所述开关K1的第一端相连，第二端与所述电阻R2的第一端相连；
[0017]所述电阻R2的第二端与所述开关K2的第三端相连；
[0018]所述开关K1的第二端分别与所述开关K2的第一端和所述MOSFET管的门极相连，第三端与所述命令下达电路的第一端相连；
[0019]所述开关K2的第二端接地。
[0020]优选的，所述命令下达电路，包括：
[0021]开关K3、电阻R3和所述MCU；
[0022]所述开关K3的第一端与所述开关K1的第三端相连，第二端接地，第三端与所述电阻R3的第一端相连；
[0023]所述电阻R3的第二端与所述MCU相连。
[0024]优选的，所述电荷泵电路，包括：
[0025]二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4和电容C5；
[0026]所述二极管D1的第一端与所述蓄电池相连，第二端分别与所述电容C1的第一端和所述二极管D2的第一端相连；
[0027]所述二极管D2的第二端分别与所述二极管D3的第一端和所述电容C4的第一端相连；
[0028]所述二极管D3的第二端分别与所述电容C2的第一端和所述二极管D4的第一端相连；
[0029]所述二极管D4的第二端分别与所述二极管D5的第一端和所述电容C5的第一端相连；
[0030]所述二极管D5的第二端分别与所述电容C3的第一端和所述二极管D6的第一端相连；
[0031]所述二极管D6的第二端分别与所述电阻R1的第一端和所述开关K1的第一端相连；
[0032]所述电容C1的第二端与所述振荡电路的第一端相连；
[0033]所述电容C2的第二端与所述振荡电路的第一端相连；
[0034]所述电容C3的第二端与所述振荡电路的第一端相连；
[0035]所述电容C4的第二端接地；
[0036]所述电容C5的第二端接地。
[0037]优选的，所述振荡电路，包括：
[0038]触发器U1、电阻R4和电容R7；
[0039]所述触发器U1的第一端分别与所述电容C1的第二端、所述电容C2的第二端、所述电容C3的第二端相连和所述电阻R4的第一端相连，第二端分别与所述电容C7的第一端和所述电阻R4的第二端相连；
[0040]所述电容C7的第二端接地。
[0041]优选的，所述触发器U1，包括：
[0042]施密特触发器。
[0043]优选的，所述MOSFET管，包括：
[0044]结型场效应管MOSFET。
[0045]优选的，所述MOSFET管，包括：
[0046]绝缘栅场效应管MOSFET。
[0047]经由上述技术方案可知，MOSFET管的驱动装置设置于MOSFET管的驱动系统，MOSFET管的驱动装置包括功率放大电路，MOSFET管的驱动系统包括命令下达电路、电荷泵
电路和振荡电路，电荷泵电路的第一端与蓄电池相连，第二端与振荡电路的第一端相连，第三端与功率放大电路的第一端相连，功率放大电路的第二端与所述命令下达电路的第一端相连，第二端与MOSFET管相连，第三端接地，振荡电路的第二端接地，命令下达电路的第二端接地，当功率放大电路接收到命令下达电路中的微控制单元MCU输出0V的方波信号时，将预先得到的开启电压发送至MOSFET管的门极，驱动MOSFET管打开，当功率放大电路接收到命令下达电路中的MCU输出5V的方波信号时，将预先得到的关闭电压发送至MOSFET管的门极，驱动MOSFET管关闭。通过上述方案，基于MOSFET管的驱动装置中的功率放大电路对MOSFET管进行驱动，无需使用驱动芯片对MOSFET管进行驱动，从而降低使用成本。
附图说明
[0048]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0049]图1为本专利技术实施例公开的一种MOSFET管的驱动系统的电路图；
[0050]图2为本专利技术实施例公开的命令下达电路将MCU输出的方波信号进行电平转换，得到并输出0～BAT+12V的波形的示意图；
[0051]图3为本专利技术实施例公开的波形输出的示意图；
[0052]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET管的驱动装置，其特征在于，所述MOSFET管的驱动装置设置于MOSFET管的驱动系统，所述MOSFET管的驱动装置包括功率放大电路，所述MOSFET管的驱动系统包括命令下达电路、电荷泵电路和振荡电路；所述电荷泵电路的第一端与蓄电池相连，第二端与所述振荡电路的第一端相连，第三端与所述功率放大电路的第一端相连；所述功率放大电路的第二端与所述命令下达电路的第一端相连，第二端与MOSFET管相连，第三端接地；所述振荡电路的第二端接地；所述命令下达电路的第二端接地；当所述功率放大电路接收到所述命令下达电路中的微控制单元MCU输出0V的方波信号时，将预先得到的开启电压发送至所述MOSFET管的门极，驱动所述MOSFET管打开；当所述功率放大电路接收到所述命令下达电路中的所述MCU输出5V的方波信号时，将预先得到的关闭电压发送至所述MOSFET管的门极，驱动所述MOSFET管关闭。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述功率放大电路，包括：电阻R1、电阻R2、开关K1和开关K2；所述电阻R1的第一端分别与所述电荷泵电路的第三端和所述开关K1的第一端相连，第二端与所述电阻R2的第一端相连；所述电阻R2的第二端与所述开关K2的第三端相连；所述开关K1的第二端分别与所述开关K2的第一端和所述MOSFET管的门极相连，第三端与所述命令下达电路的第一端相连；所述开关K2的第二端接地。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述命令下达电路，包括：开关K3、电阻R3和所述MCU；所述开关K3的第一端与所述开关K1的第三端相连，第二端接地，第三端与所述电阻R3的第一端相连；所述电阻R3的第二端与所述MCU相连。4.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨英振，李文学，刘钰，乔进军，李相宜，
申请(专利权)人：潍柴动力股份有限公司，
类型：发明
国别省市：