一种MOSFET管的驱动装置制造方法及图纸

技术编号:28223227 阅读:56 留言:0更新日期:2021-04-28 09:51
本发明专利技术公开了一种MOSFET管的驱动装置,MOSFET管的驱动装置包括功率放大电路,MOSFET管的驱动系统包括命令下达电路、电荷泵电路和振荡电路,当功率放大电路接收到命令下达电路中的微控制单元MCU输出0V的方波信号时,将预先得到的开启电压发送至MOSFET管的门极,驱动MOSFET管打开,当功率放大电路接收到命令下达电路中的MCU输出5V的方波信号时,将预先得到的关闭电压发送至MOSFET管的门极,驱动MOSFET管关闭。通过上述方案,基于MOSFET管的驱动装置中的功率放大电路对MOSFET管进行驱动,无需使用驱动芯片对MOSFET管进行驱动,从而降低使用成本。用成本。用成本。

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET管的驱动装置


[0001]本专利技术涉及驱动电路
,更具体地说,涉及一种MOSFET管的驱动装置。

技术介绍

[0002]金属氧化物半导体场效应管(Metal

Oxide

Semiconductor Field

Effect Transistor,MOSFET),是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET管为功率开关器件,可以承载大电流,用于驱动执行器。
[0003]现有技术中,通过采用驱动芯片对MOSFET管进行驱动,但是采用驱动芯片对MOSFET管进行驱动会造成使用成本高。
[0004]因此,通过驱动芯片对MOSFET管进行驱动的话会造成使用成本高。

技术实现思路

[0005]有鉴于此,本专利技术公开了一种MOSFET管的驱动装置,基于MOSFET管的驱动装置中的功率放大电路对MOSFET管进行驱动,无需使用驱动芯片对MOSFET管进行驱动,从而降低使用成本。
[0006]为了实现上述目的,其公开的
技术实现思路
如下:
[0007]本专利技术公开了一种MOSFET管的驱动装置,所述MOSFET管的驱动装置设置于MOSFET管的驱动系统,所述MOSFET管的驱动装置包括功率放大电路,所述MOSFET管的驱动系统包括命令下达电路、电荷泵电路和振荡电路;
[0008]所述电荷泵电路的第一端与蓄电池相连,第二端与所述振荡电路的第一端相连,第三端与所述功率放大电路的第一端相连;
[0009]所述功率放大电路的第二端与所述命令下达电路的第一端相连,第二端与MOSFET管相连,第三端接地;
[0010]所述振荡电路的第二端接地;
[0011]所述命令下达电路的第二端接地;
[0012]当所述功率放大电路接收到所述命令下达电路中的微控制单元MCU输出0V的方波信号时,将预先得到的开启电压发送至所述MOSFET管的门极,驱动所述MOSFET管打开;
[0013]当所述功率放大电路接收到所述命令下达电路中的所述MCU输出5V的方波信号时,将预先得到的关闭电压发送至所述MOSFET管的门极,驱动所述MOSFET管关闭。
[0014]优选的,所述功率放大电路,包括:
[0015]电阻R1、电阻R2、开关K1和开关K2;
[0016]所述电阻R1的第一端分别与所述电荷泵电路的第三端和所述开关K1的第一端相连,第二端与所述电阻R2的第一端相连;
[0017]所述电阻R2的第二端与所述开关K2的第三端相连;
[0018]所述开关K1的第二端分别与所述开关K2的第一端和所述MOSFET管的门极相连,第三端与所述命令下达电路的第一端相连;
[0019]所述开关K2的第二端接地。
[0020]优选的,所述命令下达电路,包括:
[0021]开关K3、电阻R3和所述MCU;
[0022]所述开关K3的第一端与所述开关K1的第三端相连,第二端接地,第三端与所述电阻R3的第一端相连;
[0023]所述电阻R3的第二端与所述MCU相连。
[0024]优选的,所述电荷泵电路,包括:
[0025]二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4和电容C5;
[0026]所述二极管D1的第一端与所述蓄电池相连,第二端分别与所述电容C1的第一端和所述二极管D2的第一端相连;
[0027]所述二极管D2的第二端分别与所述二极管D3的第一端和所述电容C4的第一端相连;
[0028]所述二极管D3的第二端分别与所述电容C2的第一端和所述二极管D4的第一端相连;
[0029]所述二极管D4的第二端分别与所述二极管D5的第一端和所述电容C5的第一端相连;
[0030]所述二极管D5的第二端分别与所述电容C3的第一端和所述二极管D6的第一端相连;
[0031]所述二极管D6的第二端分别与所述电阻R1的第一端和所述开关K1的第一端相连;
[0032]所述电容C1的第二端与所述振荡电路的第一端相连;
[0033]所述电容C2的第二端与所述振荡电路的第一端相连;
[0034]所述电容C3的第二端与所述振荡电路的第一端相连;
[0035]所述电容C4的第二端接地;
[0036]所述电容C5的第二端接地。
[0037]优选的,所述振荡电路,包括:
[0038]触发器U1、电阻R4和电容R7;
[0039]所述触发器U1的第一端分别与所述电容C1的第二端、所述电容C2的第二端、所述电容C3的第二端相连和所述电阻R4的第一端相连,第二端分别与所述电容C7的第一端和所述电阻R4的第二端相连;
[0040]所述电容C7的第二端接地。
[0041]优选的,所述触发器U1,包括:
[0042]施密特触发器。
[0043]优选的,所述MOSFET管,包括:
[0044]结型场效应管MOSFET。
[0045]优选的,所述MOSFET管,包括:
[0046]绝缘栅场效应管MOSFET。
[0047]经由上述技术方案可知,MOSFET管的驱动装置设置于MOSFET管的驱动系统,MOSFET管的驱动装置包括功率放大电路,MOSFET管的驱动系统包括命令下达电路、电荷泵
电路和振荡电路,电荷泵电路的第一端与蓄电池相连,第二端与振荡电路的第一端相连,第三端与功率放大电路的第一端相连,功率放大电路的第二端与所述命令下达电路的第一端相连,第二端与MOSFET管相连,第三端接地,振荡电路的第二端接地,命令下达电路的第二端接地,当功率放大电路接收到命令下达电路中的微控制单元MCU输出0V的方波信号时,将预先得到的开启电压发送至MOSFET管的门极,驱动MOSFET管打开,当功率放大电路接收到命令下达电路中的MCU输出5V的方波信号时,将预先得到的关闭电压发送至MOSFET管的门极,驱动MOSFET管关闭。通过上述方案,基于MOSFET管的驱动装置中的功率放大电路对MOSFET管进行驱动,无需使用驱动芯片对MOSFET管进行驱动,从而降低使用成本。
附图说明
[0048]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0049]图1为本专利技术实施例公开的一种MOSFET管的驱动系统的电路图;
[0050]图2为本专利技术实施例公开的命令下达电路将MCU输出的方波信号进行电平转换,得到并输出0~BAT+12V的波形的示意图;
[0051]图3为本专利技术实施例公开的波形输出的示意图;
[0052]本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET管的驱动装置,其特征在于,所述MOSFET管的驱动装置设置于MOSFET管的驱动系统,所述MOSFET管的驱动装置包括功率放大电路,所述MOSFET管的驱动系统包括命令下达电路、电荷泵电路和振荡电路;所述电荷泵电路的第一端与蓄电池相连,第二端与所述振荡电路的第一端相连,第三端与所述功率放大电路的第一端相连;所述功率放大电路的第二端与所述命令下达电路的第一端相连,第二端与MOSFET管相连,第三端接地;所述振荡电路的第二端接地;所述命令下达电路的第二端接地;当所述功率放大电路接收到所述命令下达电路中的微控制单元MCU输出0V的方波信号时,将预先得到的开启电压发送至所述MOSFET管的门极,驱动所述MOSFET管打开;当所述功率放大电路接收到所述命令下达电路中的所述MCU输出5V的方波信号时,将预先得到的关闭电压发送至所述MOSFET管的门极,驱动所述MOSFET管关闭。2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述功率放大电路,包括:电阻R1、电阻R2、开关K1和开关K2;所述电阻R1的第一端分别与所述电荷泵电路的第三端和所述开关K1的第一端相连,第二端与所述电阻R2的第一端相连;所述电阻R2的第二端与所述开关K2的第三端相连;所述开关K1的第二端分别与所述开关K2的第一端和所述MOSFET管的门极相连,第三端与所述命令下达电路的第一端相连;所述开关K2的第二端接地。3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述命令下达电路,包括:开关K3、电阻R3和所述MCU;所述开关K3的第一端与所述开关K1的第三端相连,第二端接地,第三端与所述电阻R3的第一端相连;所述电阻R3的第二端与所述MCU相连。4.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨英振李文学刘钰乔进军李相宜
申请(专利权)人:潍柴动力股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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