半导体器件的设计方法和半导体器件的设计支持系统技术方案

一种半导体器件的设计方法，它是通过设置用以表明离散的可容许互连宽度和相邻两互连之间的离散的可容许间隔的互连参考数据，并且通过根据互连数据来从用于半导体器件的互连中指定涉及不可容许宽度的互连和涉及不可容许间隔的互连来实现的。优选情况下可容许宽度和可容许间隔等于或大于最小设计尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于设计半导体器件的系统和方法。更为确切地说，本专利技术涉及用于设计用于通过将半导体衬底上的大量元件连接起来以形成电路的互连的系统和方法。
技术介绍
半导体器件具有实现所期望的功能的电路。为了形成该电路，需要将诸如在半导体衬底上形成的晶体管等大量元件与大量互连相互连接起来。互连之间的空间和每一个互连的宽度不是恒定的，并且取决于所需的运算速度和电流量，并且进而取决于在衬底上形成的每一个元件的布局。假定某一互连的宽度是W，则另一互连的宽度可以是“W-w1”(也就是具有较小宽度的互连)或“W+w2”(也就是具有较大宽度的互连)。对于互连间隔也是一样的。上述“w1”和“w2”等于“d的n倍”。这里，“n”为0或正整数，而“d”为互连宽度和互连间隔的改变单位。在半导体器件的设计和制造中，通过布局工具、掩模构图数据生产、工艺限制等限定可将元件和互连进行布局的最小尺寸单位。因此，互连宽度和互连间隔的改变单位d等于最小尺寸单位。也就是说，相对于用于使用作为改变单位d的最小尺寸来连接元件的互连的宽度和空间来说，可以进行自由设置。另一方面，半导体器件是通过使用光刻技术来制造的。在这种情况下，由于当对构图进行微缩时存在逼近构图的影响，已知实际被曝光和处理到半导体衬底上的形状(最终形状)与掩模不同。因此，通过使用互连构图数据作为掩模构图数据而不改变该互连构图数据，则不会产生掩模，但是通过增加OPC(光学逼近校正)可以产生掩模构图。也就是说，如图1所示，假定对于互连宽度为W和互连间隔为P的互连组520、其互连宽度为W-w1和互连间隔为P的互连组510以及互连宽度为W+w2和互连间隔为P的互连组530来说产生了互连构图数据。通过只使用如图1所示的互连构图数据不会产生掩模构图数据，但是通过基于OPC数据550校正掩模构图数据产生了掩模。在图1中，没有对对应于互连组520的掩模构图521执行校正，其中使用互连宽度W作为掩模上的宽度。另一方面，在互连组510和530中，生成的掩模构图511和531在掩模上的实际宽度分别为“W-m1”和“W+m2”。近年，半导体器件逐渐微型化。在这种条件下，很难使用OPC。这是因为随着构图的微型化，逼近构图的影响变大并且该影响的程度不与互连宽度和互连间隔中的改变成正比。例如，设计值和最终尺寸之间差值与掩模尺寸的校正值之比被称为MEEF(掩模误差增强因子)。也就是说，当MEEF为x，在掩模上的1nm校正对应于在最终尺寸中的x nm的差值。尽管当互连宽度为1000nm并且互连间隔为1000nm的构图被曝光时的MEEF近似为1，但是当互连宽度为100nm并且互连间隔为100nm的构图被曝光时，MEEF增长到大约为5。这意味着掩模尺寸中1nm的改变将导致最终尺寸中5nm的改变。而且，它表明必须允许互连宽度有5％(＝5nm/100nm)的变化。如上所述，在现有半导体器件中存在的一个问题是，由于OPC的限制，互连宽度和/或互连间隔离开设计值的偏移量增加，因此无法获得期望的运算和性能。而且，由于使用最小尺寸单位来作为互连宽度和互连间隔的增量单位，因此使用了大量的OPC数据。结果，用于OPC数据的设置和校验的处理个数增加。另外，由于需要从大量的OPC数据中选择给定的校正和高度精确地计算尺寸，该处理系统不仅处理时间增加，而且尺寸增大。进而，每次制造条件发生改变时，需要对OPC数据进行重新核对，这是比较难进行对付的情况。
技术实现思路
本专利技术的目标是提出一种半导体器件的设计方法和半导体器件的设计支持系统，其中互连宽度和互连间隔的增量单位是离散的，并且各种互连宽度和互连间隔等于或大于最小设计尺寸。本专利技术的目标是提出一种半导体器件的设计方法和半导体器件的设计支持系统，其中通过使用CAD工具生成的每一个互连的有效性得到验证。根据本专利技术的一个方面，半导体器件的设计方法是通过设置用以表明离散的可容许互连宽度和相邻两互连之间的离散的可容许间隔的互连参考数据，并且通过根据互连数据来从用于半导体器件的互连中指定涉及不可容许宽度的互连和涉及不可容许间隔的互连来实现的。这里，优选情况下不可容许宽度和不可容许间隔等于或大于最小设计尺寸。另外，该设计方法可以通过进一步生成用于互连的互连构图数据来实现。另外，该设计方法可以通过进一步根据互连构图数据来计算每一个互连的宽度，并且通过根据互连参考数据来检测所计算的每一个互连的宽度是否为可容许的来实现。另外，该指定可以通过从不可容许宽度的检测中指定涉及不可容许宽度的互连来实现。该设计方法可以通过根据所指定的互连进一步校正互连构图数据来实现。另外，该设计方法可以通过根据互连构图数据和OPC(光学逼近校正)数据进一步生成掩模构图数据来实现。另外，该设计方法可以通过根据互连构图数据进一步计算每相邻两个互连之间的间隔并根据互连参考数据来检测所计算的间隔是否为可容许的来实现。另外，该指定可以通过从不可容许宽度的检测和不可容许间隔的检测中指定涉及不可容许宽度的互连和涉及不可容许间隔的互连来实现。该设计方法可以通过根据所指定的互连进一步校正互连构图数据来实现。另外，该设计方法可以通过根据互连构图数据和OPC(光学逼近校正)数据进一步生成掩模构图数据来实现。根据本专利技术的另一个方面，半导体器件的设计支持系统包括第一寄存器部件，用于存储表明离散的可容许互连宽度和相邻两互连之间的离散的可容许间隔的互连参考数据，并且通过根据互连数据来从用于半导体器件的互连中指定涉及不可容许宽度的互连和涉及不可容许间隔的互连来实现的。这里，可容许宽度和可容许间隔可以等于或大于最小设计尺寸。另外，该设计支持系统可以进一步包括第二寄存器部件，用于存储互连的互连构图数据。另外，该设计支持系统可以进一步包括第一检测部件，用于根据互连构图数据来计算每一个互连的宽度，并且根据互连参考数据来检测所计算的每一个互连的宽度是否是可容许的。另外，该指定部件可以从不可容许宽度的检测中指定涉及不可容许宽度的互连。该设计支持系统可以进一步包括校正部件，用于根据所指定的互连来校正互连构图数据。另外，该设计支持系统可以进一步包括掩模生成部件，用于根据互连构图数据和OPC(光学逼近校正)数据来生成掩模构图数据。另外，该设计支持系统可以进一步包括第二检测部件，用于根据互连构图数据来计算每相邻两个互连之间的间隔和根据互连参考数据来检测所计算的间隔是否是可容许的。另外，该指定部件可以从不可容许宽度的检测和不可容许间隔的检测中指定涉及不可容许宽度的互连和涉及不可容许间隔的互连。该设计支持系统可以进一步包括校正部件，用于根据所指定的互连来校正互连构图数据。另外，该设计支持系统可以进一步包括掩模生成部件，用于根据互连构图数据和OPC(光学逼近校正)数据来生成掩模构图数据。本专利技术的再一个方面涉及用于实现半导体器件设计方法的计算机可读软件产品。该设计方法是通过设置用以表明离散的可容许互连宽度和相邻两互连之间的离散的可容许间隔的互连参考数据，并且通过根据互连数据来从用于半导体器件的互连中指定涉及不可容许宽度的互连和涉及不可容许间隔的互连来实现的。另外，优选情况下可容许宽度和可容许间隔可以等于或大于最小设计尺寸。附图说明图1示出了互连构图和相应的掩模构图，其中对掩模构图执行OP本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的设计方法，包括：设置用以表明离散的可容许互连宽度和相邻两互连之间的离散的可容许间隔的互连参考数据；并且根据所述互连数据来从用于半导体器件的所述互连中指定涉及不可容许宽度的互连和涉及不可容许间隔的互连。

【技术特征摘要】
JP 2005-8-5 2005-2278041.一种半导体器件的设计方法，包括设置用以表明离散的可容许互连宽度和相邻两互连之间的离散的可容许间隔的互连参考数据；并且根据所述互连数据来从用于半导体器件的所述互连中指定涉及不可容许宽度的互连和涉及不可容许间隔的互连。2.如权利要求1所述的设计方法，其中所述可容许宽度和所述可容许间隔等于或大于最小设计尺寸。3.如权利要求1或2所述的设计方法，进一步包括生成用于所述互连的互连构图数据。4.如权利要求3所述的设计方法，进一步包括根据所述互连构图数据来计算每一个所述互连的宽度；并且根据所述互连参考数据来检测所计算的每一个所述互连的宽度是否为可容许的。5.如权利要求4所述的设计方法，其中所述指定包括从所述不可容许宽度的检测中指定涉及不可容许宽度的互连，并且所述设计方法进一步包括根据所指定的互连校正所述互连构图数据。6.如权利要求4所述的设计方法，进一步包括根据所述互连构图数据和所述OPC(光学逼近校正)数据生成掩模构图数据。7.如权利要求4所述的设计方法，进一步包括根据所述互连构图数据来计算每相邻两个所述互连之间的间隔；并且根据所述互连参考数据来检测所计算的间隔是否为可容许的。8.如权利要求7所述的设计方法，其中所述指定包括从所述不可容许宽度的检测和所述不可容许间隔的检测中指定涉及不可容许宽度的互连和涉及不可容许间隔的互连，并且所述设计方法进一步包括根据所指定的互连校正所述互连构图数据。9.如权利要求7所述的设计方法，进一步包括根据所述互连构图数据和所述OPC(光学逼近校正)数据生成掩模构图数据。10.一种用于半导体器件的设计支持系统，包括第一寄存器部件，用于存储表...

【专利技术属性】
技术研发人员：广井政幸，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]