半导体设备、显示设备和电子设备制造技术

本发明专利技术提供一种具有多层结构的半导体设备，多层结构中设置有发光元件的第一基板(500)和在外周设置有挡光构件的第二基板(100)彼此堆叠。该半导体设备被配置为使得多层结构包括：第一树脂(400)，由光固化树脂形成，并且在平面图中观看时在位于多层结构的中心的像素区域中密封的第一基板(500)和第二基板(100)之间的空间；第二树脂(402)，在平面图中观看时在位于多层结构的外围的像素区域中密封第一基板(500)和第二基板(100)之间的空间；以及突出结构(310)，在像素区域和挡光区域之间的边界区域中，设置在第一基板(500)和第二基板(100)之间，并且由透射光的透明或半透明材料形成。明材料形成。明材料形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体设备、显示设备和电子设备


[0001]本公开涉及一种半导体设备、一种显示设备和一种电子设备。

技术介绍

[0002]近年来，积极开发了实现AR(增强现实)和VR(虚拟现实)的电子设备，例如，取景器和头戴式显示器(HMD)。电子设备被携带或附着到用户的身体上，所以需要进一步减小电子设备的尺寸。此外，显示视频的显示设备安装在电子设备上，因此需要在减小显示设备的外形尺寸的同时加宽显示视频的显示单元(显示部分)的视频显示面。
[0003]显示设备的显示单元的一个示例包括下面描述的专利文献1中公开的显示单元。在专利文献1中，公开了当通过将两个基板粘贴在一起的方式制造显示单元时，为了防止位于显示单元中心的第二密封剂突破位于外围的第一密封剂，设置了用于加强第一密封剂的突起。
[0004][引用列表][0005][专利文献][0006]专利文献1：日本专利公开号2009
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技术实现思路

[0007][技术问题][0008]传统上，尽管通常在显示单元中设置环绕外围并且不透光的外框，但是为了加宽视频显示面，同时减小显示单元的外形尺寸，研究了不设置外框的显示单元的配置。
[0009]此外，在没有设置外框的显示单元的配置中，为了防止在像素区域中显示的视频的图像质量劣化，研究了在环绕显示单元的视频显示面(像素区域)的外围设置挡光区域。此外，在采用这种配置的情况下，在显示单元的制造中，光固化树脂可以从像素区域进入挡光区域侧，并且进入挡光区域的光固化树脂可以是未固化的。
[0010]因此，在本公开中，提出了能够防止光固化树脂未固化并且还能够防止光固化树脂从像素区域进入挡光区域的新颖且改进的半导体设备、显示设备和电子设备。
[0011][问题的解决方案][0012]本公开提供了一种半导体设备，包括：分层结构，在分层结构中设置有发光元件的第一基板和在外围设置有挡光构件的第二基板彼此层叠，所述分层结构包括：包括光固化树脂的第一树脂，在位于分层结构的平面图中心的像素区域中密封第一基板和第二基板之间的部分；第二树脂，在位于所述分层结构的平面图中的外围的挡光区域中密封第一基板和第二基板之间的部分；以及突起结构，在像素区域和挡光区域之间的边界区域中，设置在第一基板和第二基板之间，所述突起结构包括透射光的透明或半透明材料。
[0013]此外，本公开提供了一种显示设备，包括：显示部分，包括分层结构，在分层结构中设置有发光元件的第一基板和在外围设置有挡光构件的第二基板彼此层叠；以及显示控制单元，控制所述显示部分，所述分层结构包括：包括光固化树脂的第一树脂，在位于分层结
构的平面图中心的像素区域中密封的第一基板和第二基板之间的部分；第二树脂，在位于所述分层结构的平面图中的外围的挡光区域中密封第一基板和第二基板之间的部分；以及突起结构，在像素区域和挡光区域之间的边界区域中，设置在第一基板和第二基板之间，所述突起结构包括透射光的透明或半透明材料。
[0014]此外，本公开提供了一种电子设备，包括：显示部分，包括分层结构，在分层结构中设置有发光元件的第一基板和在外围设置有挡光构件的第二基板彼此层叠；以及控制单元，控制所述显示部分，所述分层结构包括：包括光固化树脂的第一树脂，在位于分层结构的平面图中心的像素区域中密封的第一基板和第二基板之间的部分；第二树脂，在位于所述分层结构的平面图中的外围的挡光区域中密封第一基板和第二基板之间的部分；以及突起结构，在像素区域和挡光区域之间的边界区域中，设置在第一基板和第二基板之间，所述突起结构包括透射光的透明或半透明材料。
[0015][专利技术的有利效果][0016]如上所述，本公开可以防止光固化树脂未固化，并且还可以防止光固化树脂从像素区域进入挡光区域。
[0017]注意，有利效果不一定限于上述效果，并且除了上述有利效果之外或者代替上述有利效果，可以获得本说明书中示出的任何有利效果或者可以从本说明书中认识到的其他有利效果。
附图说明
[0018]图1是示意性示出本公开的第一显示单元10的配置示例的平面图；
[0019]图2是示意性示出根据本公开的第一实施例的显示单元10的配置示例的截面图；
[0020]图3是示意性示出根据本公开的第二实施例的显示单元10a的配置示例的截面图；
[0021]图4是示意性示出根据本公开的第二实施例的变型的显示单元10b的配置示例的截面图；
[0022]图5是示意性示出根据本公开的第三实施例的显示单元10c的配置示例的截面图；
[0023]图6是示意性示出根据本公开的第三实施例的变型的显示单元10d的配置示例的截面图；
[0024]图7是示意性示出根据本公开的第四实施例的显示单元10e的配置示例的截面图；
[0025]图8是示意性示出根据本公开的第四实施例的显示单元10f的配置示例的截面图；
[0026]图9是示出可以应用根据本公开实施例的显示单元10的电子设备的示例的外部视图；
[0027]图10是示出可以应用根据本公开实施例的显示单元10的电子设备的另一示例的外部视图；
[0028]图11是示出可以应用根据本公开实施例的显示单元10的电子设备的又一示例的外部视图；
[0029]图12是示意性示出根据比较例的显示单元90的配置示例的截面图。
具体实施方式
[0030]在下文中，将参考附图详细描述本公开的优选实施例。注意，在本说明书和附图
中，给具有基本相同功能配置的组成元件提供相同的附图标记，并且将不再重复描述。
[0031]此外，在本说明书和附图的不同实施例中，存在不同的字母附在相同的附图标记之后以区分相似的组成元件的情况。然而，在相似的组成元件不必特别区分的情况下，仅附以相同的附图标记。
[0032]此外，在以下描述中引用的附图是用于描述本公开的实施例并且用于促进对描述的理解的附图，并且附图中示出的形状、尺寸、比率等可以不同于现实中的那些，以便于对描述的理解。此外，附图中示出的显示单元的设计、包括在显示单元中的组成元件等可以参考以下描述和已知技术适当地改变。此外，在以下描述中，显示单元的分层结构的上下方向对应于以显示单元发射的光从下向上的方式设置显示单元的情况下的相对方向。
[0033]此外，以下描述中关于特定长度和形状的描述不仅表示与数学定义的数值或几何定义的形状相同的值，还包括在显示单元的制造过程中工业上接受的差异等的情况，并且包括与这些形状类似的形状。
[0034]此外，尽管下面将描述将本公开的实施例应用于显示视频的显示设备的显示单元的情况的示例，但是本公开的实施例不仅可以应用于这种显示单元，还可以应用于发光的照明设备。
[0035]注意，将按以下顺序描述实施例。
[0036]1.本专利技术人创造本公开的实施例的
技术介绍

[0037]2.第一实施例
[0038]3.第二实施例
[0039]4.第三实施例...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体设备，包括：分层结构，在所述分层结构中设置有发光元件的第一基板和在外围设置有基板挡光构件的第二基板彼此层叠，所述分层结构包括：包括光固化树脂的第一树脂，在位于所述分层结构的平面图中心的像素区域中密封所述第一基板和所述第二基板之间的部分，第二树脂，在位于所述分层结构的平面图中的外围的挡光区域中密封所述第一基板和所述第二基板之间的部分，以及突起结构，在所述像素区域和所述挡光区域之间的边界区域中，设置在所述第一基板和所述第二基板之间，所述突起结构包括透射光的透明或半透明材料。2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述第二树脂包括热固性树脂。3.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，在平面图中的所述第二基板的中心设置有多个透镜基板，并且所述突起结构包括与所述透镜的材料相同的材料。4.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述挡光构件包括分层的滤色器，并且所述突起结构包括与所述滤色器的材料相同的材料。5.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，在所述分层结构的平面图中，所述突起结构被设置成围绕所述像素区域。6.根据权利要求3所述的半导体设备，其中，所述突起结构设置在所述第二基板上，并且具有朝向所述第一基板突出的形状。7.根据权利要求6所述的半导体设备，其中，所述突起结构的尖端部分位于比每个所述透镜的顶点更靠近第一基板的位置处。8.根据权利要求6所述的半导体设备，其中，电极设置在所述第二基板上，以在所述分层结构中与所述挡光构件相对，并且在所述分层结构的平面图中，所述突起结构位于比所述电极更靠近所述像素区域的位置。9.根据权利要求8所述的半导体设备，其中，所述突起结构与所述第二基板接触。10.根据权利要求6所述的半导体设备，其中，电极设置在所述第二基板上，以在所述分层结构中与所述挡光构件相对，并且所述突起结构面向所述电极的像素区域侧的边缘部分。11.根据权利要求10所述的半导体设备，其中，所述突起结构与所述电极接触。12.根据权利要求6所述的半导体设备，其中，所述突...

【专利技术属性】
技术研发人员：土冈弘明，元山阳介，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：