一种防止液体交叉污染的导电膜生产线制造技术

本实用新型专利技术为一种防止液体交叉污染的导电膜生产线，包括若干箱体和设置在每个所述箱体后端的处理箱，所述箱体依次包括显影箱、蚀刻箱、镀铜箱、黑化箱和PMMA箱，所述处理箱内设有上喷管和下喷管，所述上喷管和下喷管分别位于pet薄膜的上方和下方，所述上喷管和下喷管上开设有若干气孔，所述气孔的喷气方向朝向前端对应的所述箱体。本实用新型专利技术结构简单，将显影、蚀刻、镀铜、黑化和PMMA工序集中在了一个生产线上，提高了生产效率；各个分工序完成后，使用气孔对pet薄膜前工序残留下来的溶液进行全方位的清洗，避免不同溶液后流造成交叉污染。

【技术实现步骤摘要】
一种防止液体交叉污染的导电膜生产线
本技术涉及导电膜材料
，尤其涉及一种防止液体交叉污染的导电膜生产线。
技术介绍
目前市场上制备液晶显示器、等离子显示器、电致发光显示器、触摸屏等透明电极最常用的导电膜材料是ITO（氧化铟锡）。然而，ITO内含有约75%的铟金属，铟是自然界中存储量最低的稀有金属之一，其产业可持续性存疑，成本较高。此外，ITO材料本身存在有颜色、易碎裂、毒性大、难回收等问题。同时，ITO材料使用蒸镀工艺，存在设备成本高、材料浪费大、大尺寸成本压力大等一系列问题。所以现在市场上出现了柔性金属网格替代ITO材料方案，柔性金属网格（pet+双层光刻胶+双层金属网格+双层保护层）关键技术是pet表面涂布（光刻胶+催化剂+保护层）曝光完成后，通过特殊工艺，在pet表面镀铜，从而形成金属网格，进而替代ITO工艺，实现电容屏Sensor。现在市场上的显影、蚀刻、镀铜、黑化和PMMA这些工序都是单独进行的，使得薄膜生产效率低；同时，在进行完显影或蚀刻或镀铜或黑化或PMMA的工序后，需要对薄膜上残留下来的液体进行清洗，然后再进入到下一道工序，防止前道工序留下来的液体与后道工序内的液体交叉污染。
技术实现思路
本技术为了解决各个工序完成后，前工序会在pet薄膜上残留溶液，会流到后工序溶液中造成交叉污染的问题，本技术提供了一种防止液体交叉污染的导电膜生产线，包括若干箱体和设置在每个所述箱体后端的处理箱，所述箱体依次包括显影箱、蚀刻箱、镀铜箱、黑化箱和PMMA箱，所述处理箱内设有上喷管和下喷管，所述上喷管和下喷管分别位于pet薄膜的上方和下方，所述上喷管和下喷管上开设有若干气孔，所述气孔的喷气方向朝向前端对应的所述箱体。作为优选，所述处理箱的底部设有储存腔，所述储存腔的一侧开设有溢流孔，所述溢流孔通过水管与水泵连通，所述水泵将所述储存腔内的液体抽回所述箱体内。气孔喷气，将pet薄膜上的液体吹落，吹到储存腔内，然后流到溢流孔内，经过水泵将储存腔内的液体吸到处理箱对应的箱体内，重复使用。进一步地，所述箱体与所述处理箱之间设有隔板，所述隔板上开设有槽口。隔板将箱体与处理箱隔开，pet薄膜从槽口穿过到达处理箱内，然后处理箱内的气孔喷气，进行将残留的液体清洁。作为优选，所述箱体内的液体与所述槽口齐平。pet薄膜从槽口进入到处理箱，槽口的位置正好与箱体内液体齐平，可以对pet薄膜进行工艺处理。进一步地，为了更好地将残留的液体从pet薄膜吹落，所述气孔向所述槽口倾斜喷射。作为优选，所述蚀刻箱与所述镀铜箱之间设有检测平台，所述检测平台下方设有强光灯源。检测平台用于检测薄膜进行完工艺处理后的情况，提高了产品良率。进一步地，所述上喷管和下喷管倾斜设置在所述处理箱内。上喷管和下喷管在水平面朝向箱体倾斜设置，提高了喷射面积，也节省了处理箱的空间。有益效果：本技术结构简单，将显影、蚀刻、镀铜、黑化和PMMA工序集中在了一个生产线上，提高了生产效率；各个分工序完成后，使用气孔对pet薄膜前工序残留下来的溶液进行全方位的清洁，避免不同溶液后流造成交叉污染。附图说明图1为本技术的一个箱体结构示意图；图2为本技术整体结构示意图；图中：1、箱体；1-1、显影箱；1-2、蚀刻箱；1-3、镀铜箱；1-4、黑化箱；1-5、PMMA箱；2、处理箱；3、上喷管；4、下喷管；5、气孔；6、溢流孔；7、槽口；8、储存腔；9、隔板；10、检测平台；11、强光灯源。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本技术至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“顶”、“底”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含的包括一个或者更多个该特征。而且，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。实施例1一种防止液体交叉污染的导电膜生产线，包括若干箱体1和设置在每个所述箱体1后端的处理箱2，所述箱体1依次包括显影箱1-1、蚀刻箱1-2、镀铜箱1-3、黑化箱1-4和PMMA箱1-5，所述处理箱2内设有上喷管3和下喷管4，所述上喷管3和下喷管4分别位于pet薄膜的上方和下方，所述上喷管3和下喷管4上开设有若干气孔5，所述气孔5的喷气方向朝向前端对应的所述箱体1。所述处理箱2的底部设有储存腔8，所述储存腔8的一侧开设有溢流孔6，所述溢流孔6通过水管与水泵连通，所述水泵将所述储存腔8内的液体抽回所述箱体1内。气孔5喷气，将pet薄膜上的液体吹落，吹到储存腔8内，然后流到溢流孔6内，经过水泵将储存腔8内的液体吸到处理箱2对应的箱体1内，重复使用。所述箱体1与所述处理箱2之间设有隔板9，所述隔板9上开设有槽口7。pet薄膜从槽口7穿过到达处理箱2内，然后处理箱2内的气孔5喷气，将残留在pet薄膜上的液体清洁。所述箱体1内的液体与所述槽口7齐平。pet薄膜从槽口7进入到处理箱2，槽口7的位置正好与箱体1内液体齐平，可以对pet薄膜进行工艺处理。为了更好地将残留的液体从pet薄膜吹落，所述气孔5向所述槽口7倾斜喷射。所述蚀刻箱1-2与所述镀铜箱1-3之间设有检测平台10，所述检测平台10下方设有强光灯源11。检测平台10用于检测薄膜进行完工艺处理后的情况，提高了产品良率。所述上喷管3和下喷管4倾斜设置在所述处理箱2内。上喷管3和下喷管4在水平面朝向箱体1倾斜设置，提高了喷射面积，也节省了处理箱2的空间。工作原理：pet薄膜在滚轮的作用下，依次输送至显影箱1-1、蚀刻箱1-2、镀铜箱1-3、黑化箱1-4和PMMA箱1-5内进行工艺处理。在显影箱1-1内完成显影工艺处理后，被显影箱1-1内的滚轮输送显影箱1-1后端的处理箱2内，pet薄膜从显影箱1-1的槽口7进入到处理箱2内。在处理箱2内，pet薄膜携带的显影工艺时的溶液被处理箱2内的上喷管3和下喷管4上的气孔5吹落，溶液流到储存腔8内，然后经过水泵重新抽回本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防止液体交叉污染的导电膜生产线，其特征在于:包括若干箱体（1）和设置在每个所述箱体（1）后端的处理箱（2），所述箱体（1）依次包括显影箱（1-1）、蚀刻箱（1-2）、镀铜箱（1-3）、黑化箱（1-4）和PMMA箱（1-5），所述处理箱（2）内设有上喷管（3）和下喷管（4），所述上喷管（3）和下喷管（4）分别位于pet薄膜的上方和下方，所述上喷管（3）和下喷管（4）上开设有若干气孔（5），所述气孔（5）的喷气方向朝向前端对应的所述箱体（1）。/n

【技术特征摘要】
1.一种防止液体交叉污染的导电膜生产线，其特征在于:包括若干箱体（1）和设置在每个所述箱体（1）后端的处理箱（2），所述箱体（1）依次包括显影箱（1-1）、蚀刻箱（1-2）、镀铜箱（1-3）、黑化箱（1-4）和PMMA箱（1-5），所述处理箱（2）内设有上喷管（3）和下喷管（4），所述上喷管（3）和下喷管（4）分别位于pet薄膜的上方和下方，所述上喷管（3）和下喷管（4）上开设有若干气孔（5），所述气孔（5）的喷气方向朝向前端对应的所述箱体（1）。


2.根据权利要求1所述的一种防止液体交叉污染的导电膜生产线，其特征在于:所述处理箱（2）的底部为储存腔（8），所述储存腔（8）的一侧开设有溢流孔（6），所述溢流孔（6）通过水管与水泵连通，所述水泵将所述储存腔（8）内的液体抽回所述箱体（1）内。


3.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈训练，谢兴才，
申请(专利权)人：江苏软讯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32