半导体装置的驱动装置及驱动方法和电力变换装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置的驱动装置及驱动方法和电力变换装置，能够根据动作条件一边抑制dv/dt一边抑制开关损失。半导体装置的驱动装置(104)驱动电力变换装置中的构成支路的半导体装置(101、102)，具备向半导体装置的控制端子(G)输出控制电流的输出部(3)，输出部根据半导体装置的动作状态(T、I、V)，以使支路中的续流二极管(102)的反向恢复时的电压变化率的大小成为预定的恒定值的方式控制控制电流的大小。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的驱动装置及驱动方法和电力变换装置
本专利技术涉及对用于电力变换装置的半导体装置进行驱动的驱动装置及驱动方法和应用它们的电力变换装置。
技术介绍
在三相交流逆变器等电力变换装置的主电路中，IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极晶体管)等半导体开关元件与二极管(续流二极管)反并联地连接而成的支路被串联地连接2个。伴随着半导体开关元件的接通/断开驱动，各支路的电压急剧地变化，但按照由电力变换装置供给电力的负载(马达等)的绝缘性的确保、放射噪声的抑制等系统侧的要求来设定所容许的电压变化率(dv/dt)。在被串联连接的2个支路、即高电位侧的上支路以及低电位侧的下支路之中，对于一方的支路的二极管，在恢复时施加反向偏置电压。该反向偏置电压根据在另一方的支路中导通的半导体开关元件的电压的减少而增大。此处，半导体开关元件的电压变化率(dv/dt)根据栅极驱动条件(栅极电阻、栅极电压等)而变化。因此，能够根据另一方的支路中的半导体开关元件的栅极驱动条件来设定对一方的支路中的二极管施加的反向偏置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的驱动装置，对电力变换装置中的构成支路的半导体装置进行驱动，其特征在于，/n所述驱动装置具备输出部，该输出部向所述半导体装置的控制端子输出控制电流，/n所述输出部根据所述半导体装置的动作状态，以使所述支路中的续流二极管的反向恢复时的电压变化率的大小成为预定的恒定值的方式控制所述控制电流的大小。/n

【技术特征摘要】
20191105 JP 2019-2005061.一种半导体装置的驱动装置，对电力变换装置中的构成支路的半导体装置进行驱动，其特征在于，
所述驱动装置具备输出部，该输出部向所述半导体装置的控制端子输出控制电流，
所述输出部根据所述半导体装置的动作状态，以使所述支路中的续流二极管的反向恢复时的电压变化率的大小成为预定的恒定值的方式控制所述控制电流的大小。


2.根据权利要求1所述的半导体装置的驱动装置，其特征在于，
所述驱动装置具备运算部，该运算部根据所述动作状态，以使所述支路中的所述续流二极管的反向恢复时的所述电压变化率的大小成为所述恒定值的方式制作控制电流指令，
所述输出部根据所述控制电流指令，输出所述控制电流。


3.根据权利要求2所述的半导体装置的驱动装置，其特征在于，
所述运算部根据表示使所述电压变化率成为所述恒定值的所述控制电流与所述动作状态的关系的线性模型，制作所述控制电流指令。


4.根据权利要求3所述的半导体装置的驱动装置，其特征在于，
所述驱动装置具备学习部，该学习部学习所述线性模型，
所述运算部根据所述学习部学习的所述线性模型，制作所述控制电流指令。


5.根据权利要求1所述的半导体装置的驱动装置，其特征在于，
所述驱动装置具备感测部，该感测部检测所述动作状态，
所述输出部根据由所述感测部检测到的所述动作状态，以使所述电压变化率的大小成为所述恒定值的方式输出所述控制电流。


6.根据权利要求5所述的半导体装置的驱动装置，其特征在于，
所述动作状态是所述半导体装置中的电压、电流以及温度之中的一个或者多个，
所述感测部为了检测所述电压而检测所述半导体装置的施加电压或者所...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木弘，白石正树，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP