【技术实现步骤摘要】
MEMS移相器及其制作方法
本公开涉及微波器件
，具体涉及一种MEMS移相器及其制作方法。
技术介绍
在MEMS移相器中，信号通常在上部空气和下部衬底中传输。信号在衬底介质中的损耗比在空气介质中的损耗大很多，使得传输线的介质损耗较大。另外，MEMS移相器通常采用熔合键合、阳极键合、共晶键合、玻璃键合和热压键合等方法进行封装。例如，在MEMS移相器的衬底上键合封装帽进行封装。衬底键合的封装方法容易引进影响移相的应力，从而造成移相误差和进一步的损耗。公开内容根据本公开的一方面，提供了一种MEMS移相器，包括：第一基板，其具有第一表面；共面波导，其位于所述第一基板的所述第一表面上，并且包括第一导电线和分别位于所述第一导电线两侧且与所述第一导电线绝缘的两条第二导电线；以及多个电容桥，其位于所述共面波导远离所述第一基板的一侧，所述多个电容桥间隔排布且与所述第一导电线和所述第二导电线绝缘，并且所述多个电容桥的每一个与所述第一导电线交叉设置，其中所述第一基板的所述第一表面包括第一凹槽，并且所述第一导电线悬置在...
【技术保护点】
1.一种MEMS移相器，包括：/n第一基板，其具有第一表面；/n共面波导，其位于所述第一基板的所述第一表面上，并且包括第一导电线和分别位于所述第一导电线两侧且与所述第一导电线绝缘的两条第二导电线；以及/n多个电容桥，其位于所述共面波导远离所述第一基板的一侧，所述多个电容桥间隔排布且与所述第一导电线和所述第二导电线绝缘，并且所述多个电容桥的每一个与所述第一导电线交叉设置，/n其中所述第一基板的所述第一表面包括第一凹槽，并且所述第一导电线悬置在所述第一凹槽上方。/n
【技术特征摘要】
1.一种MEMS移相器，包括：
第一基板，其具有第一表面；
共面波导，其位于所述第一基板的所述第一表面上，并且包括第一导电线和分别位于所述第一导电线两侧且与所述第一导电线绝缘的两条第二导电线；以及
多个电容桥，其位于所述共面波导远离所述第一基板的一侧，所述多个电容桥间隔排布且与所述第一导电线和所述第二导电线绝缘，并且所述多个电容桥的每一个与所述第一导电线交叉设置，
其中所述第一基板的所述第一表面包括第一凹槽，并且所述第一导电线悬置在所述第一凹槽上方。
2.根据权利要求1所述的MEMS移相器，还包括多个支撑部，其位于所述第一凹槽内并且配置成支撑所述第一导电线。
3.根据权利要求2所述的MEMS移相器，其中所述多个电容桥的每一个在所述第一表面上的正投影与所述多个支撑部在所述第一表面上的正投影的相应一个存在交叠。
4.根据权利要求3所述的MEMS移相器，其中所述第一导电线的与所述支撑部接触的部分具有第一宽度，所述第一导电线的位于所述多个支撑部的任意两个相邻支撑部之间的部分具有第二宽度，并且所述第一宽度大于所述第二宽度。
5.根据权利要求2所述的MEMS移相器，其中所述多个电容桥的每一个在所述第一表面上的正投影位于所述多个支撑部的相邻两个支撑部在所述第一表面上的正投影之间。
6.根据权利要求5所述的MEMS移相器，其中所述第一导电线的与所述多个支撑部接触的部分具有第三宽度，所述第一导电线的位于所述多个支撑部的任意两个相邻支撑部之间且与所述多个电容桥的任何一个在所述第一表面上的正投影无重叠的部分具有第四宽度，所述第一导电线的与所述多个电容桥的每一个在所述第一表面上的正投影重叠的部分具有第五宽度，并且
其中所述第三宽度大于第四宽度，并且第四宽度大于第五宽度。
7.根据权利要求5所述的MEMS移相器，其中在与所述第一表面平行的平面内，所述第一凹槽在垂直于所述第一导电线的方向上的宽度是所述第四宽度的3-6倍。
8.根据权利要求5所述的MEMS移相器，还包括设置在所述第二导电线上的绝缘层，
其中所述多个电容桥的每一个包括第一端部、第二端部以及位于其间的中间部，并且所述第一端部和所述第二端部设置在所述绝缘层上。
9.根据权利要求8所述的MEMS移相器，还包括与所述第一基板相对设置的第二基板，
其中所述第二基板具有面向所述第一基板的第二表面，所述第二表面包括第二凹槽，并且所述多个电容桥的每一个的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王瑛，武杰，李亮，唐粹伟，贾皓程，曹雪，丁天伦，车春城，刘昊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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