馈电结构、微波射频器件及天线制造技术

技术编号:28381808 阅读:17 留言:0更新日期:2021-05-08 00:10
本发明专利技术提供一种馈电结构、微波射频器件及天线,属于通信技术领域。本发明专利技术的馈电结构包括:馈电单元;馈电单元包括:参考电极、相对设置的第一基板和第二基板,以及设置在第一基板和第二基板之间的介质层;第一基板包括:第一基底,位于第一基底上的第一电极;第一电极包括:第一主干,以及连接在第一主干长度方向上的多个第一分支;第一主干的两端分别为输入端和直通端;第二基板包括:第二基底,位于第二基底上的第二电极;第二电极包括:第二主干,以及连接在第二主干长度方向上且与第一分支一一对应第二分支;其中,第二分支和与之对应的第一分支在第一基底上的正投影部分重叠;第二主干的两端分别为耦合端和隔离端,且隔离端连接有匹配阻抗。

【技术实现步骤摘要】
馈电结构、微波射频器件及天线
本专利技术属于通信
,具体涉及一种馈电结构、微波射频器件及天线。
技术介绍
移相器是一种调控电磁波相位的器件,广泛应用于各种通信系统中,如卫星通信,相控阵雷达,遥感遥测等。介质可调移相器是一种利用控制介质层的介电常数来实现相移效果的器件。传统的介质可调移相器使用单线传输的结构,通过调节信号相速度实现移相效果,但这种设计方法的问题是损耗偏大,单位损耗内的移相度偏低。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种馈电结构、微波射频器件及天线。第一方面,本专利技术实施例提供一种馈电结构,包括:馈电单元;所述馈电单元包括:参考电极、相对设置的第一基板和第二基板,以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的介质层;其中,所述第一基板包括:第一基底,位于第一基底上的第一电极;所述第一电极包括:第一主干,以及连接在所述第一主干长度方向上的多个第一分支;其中,所述第一主干的两端分别为输入端和直通端;所述第二基板包括:第二基底,位于第二基底上的第二电极;所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种馈电结构,其特征在于,包括:馈电单元;所述馈电单元包括:参考电极、相对设置的第一基板和第二基板,以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的介质层;其中,/n所述第一基板包括:第一基底,位于第一基底上的第一电极;所述第一电极包括:第一主干,以及连接在所述第一主干长度方向上的多个第一分支;其中,所述第一主干的两端分别为输入端和直通端;/n所述第二基板包括:第二基底,位于第二基底上的第二电极;所述第二电极包括:第二主干,以及连接在所述第二主干长度方向上且与所述第一分支一一对应第二分支;其中,所述第二分支和与之对应的第一分支在所述第一基底上的正投影部分重叠;所述第二主干的两端分别为耦合端和隔离...

【技术特征摘要】
1.一种馈电结构,其特征在于,包括:馈电单元;所述馈电单元包括:参考电极、相对设置的第一基板和第二基板,以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的介质层;其中,
所述第一基板包括:第一基底,位于第一基底上的第一电极;所述第一电极包括:第一主干,以及连接在所述第一主干长度方向上的多个第一分支;其中,所述第一主干的两端分别为输入端和直通端;
所述第二基板包括:第二基底,位于第二基底上的第二电极;所述第二电极包括:第二主干,以及连接在所述第二主干长度方向上且与所述第一分支一一对应第二分支;其中,所述第二分支和与之对应的第一分支在所述第一基底上的正投影部分重叠;所述第二主干的两端分别为耦合端和隔离端,且所述隔离端连接有匹配阻抗;
所述第一主干的输入端用于将微波信号中的部分经由直通端输出,另一部分经由第一分支耦合至第二分支;所述匹配阻抗用以控制耦合至所述第二分支上的至少部分微波信号经由耦合端输出;
所述参考电极分别与所述第一电极和所述第二电极形成电流回路。


2.根据权利要求1所述的馈电结构,其特征在于,所述馈电单元划分为支路交叠区和无耦合双线区;其中,
所述第一分支和所述第二分支均位于所述所述支路交叠区;
所述第一主干和第二主干均贯穿所述支路交叠区和所述无耦合双线区,且位于所述支路交叠区中的第一主干的线长与位于无耦合双线区的第一主干的线长相等;位于所述支路交叠区中的第二主干的线长与位于无耦合双线区的第二主干的线长相等;
位于无耦合双线区的第二主干的阻抗与所述匹配阻抗的阻抗值相等。


3.根据权利要求2所述的馈电结构,其特征在于,沿所述输入端指向所述直通端方向,所述第一分支和与之交叠所述第二分支所构成的支路阻抗依次减小。


4.根据权利要求3所述的馈电结构,其特征在于,各个所述第一分支和各个第二分支的宽度相同;
沿所述输入端指向所述直通端方向,任意两相邻所述第一分支之间的间距相同,且第一分支和第二分支的交叠面积依次增大。


5.根据权利要求3所述的馈电结构,其特征在于,所述第一分支和与之对应的所述第二分支的宽度相同;
沿所述输入端指向所述直通端方向,任意两相邻所述第一分支之间的间距相同,且第一分支和第二分支的宽度均依次增大,且二者的交叠长度相同。


6.根据权利要求3所述的馈电结构,其特征在于,各个所述第一分支和各个所述第二分支的宽度相同;
沿所述输入端指向所...

【专利技术属性】
技术研发人员:贾皓程丁天伦王瑛武杰李亮唐粹伟李强强车春城
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司北京京东方传感技术有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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