太阳电池及电池组件制造技术

本发明专利技术提供了太阳电池及电池组件，涉及光伏技术领域。太阳电池包括PN结，PN结由基体层以及反型层形成，反型层具有第一重掺杂区域，第一重掺杂区域从反型层远离基体层的一侧向反型层内延伸；沿远离基体层的方向，反型层与第一重掺杂区域的厚度差为1‑100nm；室温T

【技术实现步骤摘要】
太阳电池及电池组件
本专利技术涉及光伏
，特别是涉及一种太阳电池及电池组件。
技术介绍
太阳电池具有正向导通反向截止的特性，由太阳电池形成的电池组件在某一个太阳电池出现异常情况下，与该太阳电池串联的整个太阳电池串的输出电流受到很大影响，且容易造成电池组件损坏。目前，通过为太阳电池串设置并联的旁路二极管，以解决上述问题。然而，旁路二极管导通时功率下降多、发热较为严重，容易引起严重的安全隐患。
技术实现思路
本专利技术提供一种太阳电池及电池组件，旨在解决太阳电池串设置并联的旁路二极管，功率下降多、发热严重的问题。根据本专利技术的第一方面，提供了一种太阳电池，包括PN结，所述PN结由基体层以及反型层形成，所述基体层与所述反型层的掺杂类型不同；所述反型层具有第一重掺杂区域，所述第一重掺杂区域从所述反型层远离所述基体层的一侧向所述反型层内延伸，所述第一重掺杂区域与所述反型层的掺杂类型相同；沿远离所述基体层的方向，所述反型层与所述第一重掺杂区域的厚度差为1-100nm；室温Tm下，所述第一重掺杂区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳电池，其特征在于，包括PN结，所述PN结由基体层以及反型层形成，所述基体层与所述反型层的掺杂类型不同；/n所述反型层具有第一重掺杂区域，所述第一重掺杂区域从所述反型层远离所述基体层的一侧向所述反型层内延伸，所述第一重掺杂区域与所述反型层的掺杂类型相同；/n沿远离所述基体层的方向，所述反型层与所述第一重掺杂区域的厚度差为1-100nm；/n室温T

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池，其特征在于，包括PN结，所述PN结由基体层以及反型层形成，所述基体层与所述反型层的掺杂类型不同；
所述反型层具有第一重掺杂区域，所述第一重掺杂区域从所述反型层远离所述基体层的一侧向所述反型层内延伸，所述第一重掺杂区域与所述反型层的掺杂类型相同；
沿远离所述基体层的方向，所述反型层与所述第一重掺杂区域的厚度差为1-100nm；
室温Tm下，所述第一重掺杂区域形成弱简并或简并半导体，所述反型层的其余部分和所述基体层均为非简并半导体，所述弱简并或简并半导体设置为，费米能级与n型半导体的导带底或p型半导体的导带顶的能级差小于2kB×Tm。


2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一重掺杂区域在所述基体层的向光面的投影面积，占所述反型层在所述基体层的向光面的投影面积的1％-50％。


3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一重掺杂区域在所述基体层的向光面的投影为点状或线状图案。


4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述基体层的材料选自：晶体硅；
所述反型层的材料选自：晶体硅、非晶硅、过渡金属氧化物半导体材料、III-V半导体材料中的至少一种；
所述第一重掺杂区域的材料选自：晶体硅、非晶硅、过渡金...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴兆，徐琛，李子峰，解俊杰，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61