传感器器件制造技术

一种传感器器件，其包括：包括第一通路和下部焊盘的中介件，下部焊盘在中介件的底表面上；在中介件的顶表面上的图像传感器芯片，图像传感器芯片包括逻辑芯片和在逻辑芯片上的感测芯片，逻辑芯片包括第一布线图案和第二通路，并且感测芯片包括第二布线图案；导电结构，其穿透逻辑芯片的一部分和感测芯片，导电结构连接到第一布线图案中的至少一个和第二布线图案中的至少一个；以及在导电结构的内表面上的钝化层，其中中介件的侧表面与图像传感器芯片的侧表面共面。

【技术实现步骤摘要】
传感器器件
实施方式涉及传感器器件。
技术介绍
图像传感器是配置为将其中包含一维或多维图像信息的光学数据转换成电信号的电子器件。图像传感器可以是互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器或电荷耦合器件(CCD)图像传感器。图像传感器可以用于例如相机、便携式摄像机、多媒体个人计算机或安全摄像头，并且对图像传感器的需求正在迅速增长。在半导体工业中，已经开发出了各种封装技术来满足对具有大容量、薄厚度和小尺寸的半导体器件和电子产品的不断增长的需求。
技术实现思路
实施方式可以通过提供一种传感器器件来实现，该传感器器件包括：包括第一通路和下部焊盘的中介件(interposer)，下部焊盘在中介件的底表面上；在中介件的顶表面上的图像传感器芯片，图像传感器芯片包括逻辑芯片和在逻辑芯片上的感测芯片，逻辑芯片包括第一布线图案和第二通路，感测芯片包括第二布线图案；穿透逻辑芯片的一部分和感测芯片的导电结构，导电结构连接到第一布线图案中的至少一个和第二布线图案中的至少一个；以及在导电结构的内表面上的钝化层，其中中介件的侧表面与图像传感器芯片的侧表面共面。实施方式可以通过提供一种传感器器件来实现，该传感器器件包括：中介件，其包括下部焊盘和连接到下部焊盘的第一通路，下部焊盘在中介件的底表面上；在中介件的顶表面上的再分布层，再分布层包括再分布图案；堆叠在再分布层的顶表面上的图像传感器芯片，图像传感器芯片包括逻辑芯片和堆叠在逻辑芯片上的感测芯片，逻辑芯片包括第一电路层，感测芯片包括第二电路层；导电结构，其穿透逻辑芯片的一部分和感测芯片，并且具有凹陷；以及钝化层，其在凹陷中并且覆盖导电结构的内表面，其中第一电路层包括第一布线图案，第二电路层包括第二布线图案，导电结构与第一电路层中的第一布线图案的至少一个直接接触，并与第二电路层中的第二布线图案的至少一个直接接触，中介件的侧表面被垂直地对准到图像传感器芯片的侧表面。实施方式可以通过提供一种传感器器件来实现，该传感器器件包括：中介件，其包括下部焊盘和连接到下部焊盘的第一通路，下部焊盘在中介件的底表面上，第一通路在第一方向上延伸；在中介件的顶表面上的再分布层，再分布层包括再分布图案；堆叠在再分布层的顶表面上的图像传感器芯片，图像传感器芯片包括逻辑芯片和堆叠在逻辑芯片上的感测芯片，逻辑芯片包括第一电路层和第二通路，感测芯片包括第二电路层；在图像传感器芯片的顶表面上的滤色器和微透镜；导电结构，其穿透逻辑芯片的一部分和感测芯片并且具有凹陷；以及钝化层，其在凹陷中并且覆盖导电结构的内表面，其中第一电路层包括第一布线图案，第二电路层包括第二布线图案，导电结构与第一电路层中的第一布线图案的至少一个和第二电路层中的第二布线图案的至少一个直接接触，第一电路层的上部部分中的第一连接焊盘电连接到第二电路层的下部部分中的第二连接焊盘，第一通路电连接到再分布图案，第二通路电连接到第一布线图案和再分布图案，中介件的侧表面被垂直地对准到图像传感器芯片的侧表面。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征对本领域技术人员将是明显的，附图中：图1示出了根据一些实施方式的传感器器件的俯视图。图2示出了沿图1的线I-I'截取的剖视图。图3示出了图2的部分‘A’的放大剖视图。图4示出了根据一些实施方式的传感器器件的剖视图。图5示出了根据一些实施方式的传感器器件的剖视图。图6A至图6D示出了根据一些实施方式的制造传感器器件的方法中的各阶段的剖视图。图7A至图7D示出了根据一些实施方式的制造传感器器件的方法中的阶段的剖视图。具体实施方式图1是根据一些实施方式的传感器器件的俯视图。图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图。图3是图2的部分‘A’的放大剖视图。参照图1、图2和图3，传感器器件1可以包括图像传感器芯片400、再分布层150、中介件100、导电结构322(例如，作为图像传感器芯片400的感测芯片300的一部分)、滤色器510和微透镜520。图像传感器芯片400可以在中介件100的顶表面上。图像传感器芯片400可以包括逻辑芯片200和在逻辑芯片200上的感测芯片300。感测芯片300可以在逻辑芯片200上，并且图像传感器芯片400的尺寸可以被减小。图像传感器芯片400可以具有彼此相反的第一表面400a和第二表面400b。在一实施例中，第一表面400a可以是图像传感器芯片400的前表面，第二表面400b可以是图像传感器芯片400的后表面。在下文中，第一方向D1将用于指示垂直于图像传感器芯片400的第二表面400b的方向。第二方向D2将用于指示平行于图像传感器芯片400的第二表面400b并垂直于第一方向D1的方向。第三方向D3将用于指示垂直于第一方向D1和第二方向D2两者的方向。在本说明书中，元件的尺寸可以由元件的宽度表示。宽度可以是元件的在第二方向D2上测量的长度。当在俯视图中(例如沿第一方向D1)看时，图像传感器芯片400的尺寸可以基本上等于中介件100的尺寸。在一实施例中，中介件100的宽度W1可以基本上等于图像传感器芯片400的宽度W2。中介件100的平面面积可以基本上等于图像传感器芯片400的平面面积。在本说明书中，宽度的“基本上”相同可以意思是论及的宽度之间的差异在相关工艺所允许的误差范围内。如图2所示，图像传感器芯片400的侧表面400c可以被垂直地对准到中介件100的侧表面100c。在一实施例中，图像传感器芯片400的侧表面400c可以与中介件100的侧表面100c共面。此外，图像传感器芯片400的侧表面400c可以与再分布层150的侧表面150c共面。图像传感器芯片400的侧表面400c可以由逻辑芯片200的侧表面200c和感测芯片300的侧表面300c限定。在一实施例中，逻辑芯片200的侧表面200c和感测芯片300的侧表面300c可以彼此垂直地对准。图像传感器芯片400可以被设置使得第一表面400a面对中介件100。光可以入射到图像传感器芯片400的第二表面400b上。图像传感器芯片400可以包括像素P。当在俯视图中看时，像素P可以在图像传感器芯片400的中心区域CA中。图像传感器芯片400可以被配置为感测对象并将感测到的结果输出为电信号。滤色器510和微透镜520可以在图像传感器芯片400的第二表面400b上。在一实施例中，每个滤色器510和对应的微透镜520可以依次设置在像素P中的对应一个上。再分布层150可以(例如在第一方向Dl上)在中介件100与图像传感器芯片400之间。在一实施例中，再分布层150可以在图像传感器芯片400的第一表面400a上。逻辑芯片200可以包括顶表面200b和背对顶表面200b(例如面对与顶表面200b相反的方向)的相反表面。逻辑芯片200的顶表面200b可以与感测芯片300的底表面300a直接接触。逻辑芯片200的相反表面可以对应于图像传感器芯片400的第一表面400a。再分布层150可以包括多个绝缘层156和再分布图案155。第一焊盘151可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种传感器器件，包括：/n包括第一通路和下部焊盘的中介件，所述下部焊盘在所述中介件的底表面上；/n在所述中介件的顶表面上的图像传感器芯片，所述图像传感器芯片包括逻辑芯片和在所述逻辑芯片上的感测芯片，所述逻辑芯片包括第一布线图案和第二通路，所述感测芯片包括第二布线图案；/n穿透所述逻辑芯片的一部分和所述感测芯片的导电结构，所述导电结构连接到所述第一布线图案中的至少一个和所述第二布线图案中的至少一个；以及/n在所述导电结构的内表面上的钝化层，/n其中所述中介件的侧表面与所述图像传感器芯片的侧表面共面。/n

【技术特征摘要】
20191101 KR 10-2019-01387391.一种传感器器件，包括：
包括第一通路和下部焊盘的中介件，所述下部焊盘在所述中介件的底表面上；
在所述中介件的顶表面上的图像传感器芯片，所述图像传感器芯片包括逻辑芯片和在所述逻辑芯片上的感测芯片，所述逻辑芯片包括第一布线图案和第二通路，所述感测芯片包括第二布线图案；
穿透所述逻辑芯片的一部分和所述感测芯片的导电结构，所述导电结构连接到所述第一布线图案中的至少一个和所述第二布线图案中的至少一个；以及
在所述导电结构的内表面上的钝化层，
其中所述中介件的侧表面与所述图像传感器芯片的侧表面共面。


2.如权利要求1所述的传感器器件，其中所述图像传感器芯片的所述侧表面包括所述感测芯片的侧表面和所述逻辑芯片的侧表面。


3.如权利要求1所述的传感器器件，其中，当在俯视图中看时，所述导电结构在所述图像传感器芯片的边缘区域中。


4.如权利要求1所述的传感器器件，还包括在所述感测芯片的顶表面上的微透镜，
其中，当在俯视图中看时，所述导电结构与所述微透镜横向地间隔开。


5.如权利要求1所述的传感器器件，还包括在所述逻辑芯片与所述中介件之间的再分布层，
其中：
所述再分布层包括在所述再分布层的下部部分中的第一焊盘，以及
所述第一通路在所述第一焊盘与所述下部焊盘之间，并且与所述第一焊盘和所述下部焊盘直接接触。


6.如权利要求5所述的传感器器件，其中：
所述再分布层还包括在所述再分布层的上部部分中的第二焊盘，以及
所述第二通路在所述第二焊盘与所述第一布线图案之间，并且将所述第二焊盘连接到所述第一布线图案中的至少一个。


7.如权利要求1所述的传感器器件，其中所述中介件包括可固化的聚合物、环氧聚合物或硅。


8.如权利要求1所述的传感器器件，其中所述中介件的宽度等于所述图像传感器芯片的宽度。


9.如权利要求1所述的传感器器件，其中所述中介件的平面面积等于所述图像传感器芯片的平面面积。


10.一种传感器器件，包括：
中介件，其包括下部焊盘和连接到所述下部焊盘的第一通路，所述下部焊盘在所述中介件的底表面上；
在所述中介件的顶表面上的再分布层，所述再分布层包括再分布图案；
堆叠在所述再分布层的顶表面上的图像传感器芯片，所述图像传感器芯片包括逻辑芯片和堆叠在所述逻辑芯片上的感测芯片，所述逻辑芯片包括第一电路层，所述感测芯片包括第二电路层；
导电结构，其穿透所述逻辑芯片的一部分和所述感测芯片，并且具有凹陷；以及
钝化层，其在所述凹陷中并且覆盖所述导电结构的内表面，
其中：
所述第一电路层包括第一布线图案，并且所述第二电路层包括第二布线图案，
所述导电结构与所述第一电路层中的所述第一布线图案的至少一个直接接触，并且与所述第二电路层中的所述第二布线图案的至少一个直接接触，以及
所述中介件的侧表面被垂直地对准到所述图像传感器芯片的侧表面。
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【专利技术属性】
技术研发人员：全炫水，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR