一种触控屏结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种触控屏结构，TFT开关的输入端与数据线连接；TFT开关的控制端与设置于TFT开关一侧的栅极线连接，TFT开关的输出端置于栅极线上方；TP信号线设置于第一绝缘层上，TP信号线设置于栅极线的上方；第二绝缘层置于第一绝缘层和TP信号线上，公共电极置于第二绝缘层上，第三绝缘层置于第二绝缘层和公共电极上，像素电极通过第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层上的通孔与TFT开关的输出端连接。通过将TFT开关的输出端延长，使TFT开关的输出端置于栅极线与TP信号线之间，避免TP信号线收到栅极线的耦合影响。使电容置于TP信号线与TFT开关的输出端之间，用于消除TP信号线受到栅极线耦合导致的触控屏横纹。

【技术实现步骤摘要】
一种触控屏结构
本技术涉及触控面板领域，尤其涉及一种触控屏结构。
技术介绍
近年来，触控屏显示市场目前已进入产品多元化，从小尺寸的手机到中大尺寸的NB、平板、车载甚至到IT产品。触控技术主要分外挂式(Outcell)与内嵌式(Incell)两种，以手机、平板以及NB产品来说，为因应因成本、重量、厚度上考量，内嵌式(Incell)产品逐渐取代外挂式(Outcell)产品。目前内嵌式(Incell)产品有逐渐往中大尺寸趋势，随着面板尺寸越大趋势，内嵌式(Incell)产品于闪屏画面下，TPBlock(触控屏横纹)会越趋严重。已知技术，TP信号线皆于数据线重叠(图1)，但由于尺寸增加及解像力增加情况，势必数据线对于TP信号线之间电容偶合效应加大，故会将TP信号线不与数据线重叠(图2)作为设计，但TP信号线与栅极线重叠仍存在。因TPBlock主要来自于TP信号线受到栅极线的耦合影响(图3)，尺寸越大，解像力越高，触控屏横纹问题会越趋严重。
技术实现思路
为此，需要提供一种触控屏结构，解决触控屏横纹的问题。为实现上述目的，本申请提供了一种触控屏结构，包括：基板、TFT开关、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、公共电极、像素电极、栅极线、TP信号线和数据线；所述TFT开关设置在所述基板上，所述TFT开关的输入端与所述数据线连接；所述TFT开关的控制端与设置于所述TFT开关一侧的所述栅极线连接，所述TFT开关的输出端置于所述栅极线上方；所述第一绝缘层设置于所述TFT开关和所述栅极线上；所述TP信号线设置于所述第一绝缘层上，且所述TP信号线设置于所述栅极线的上方；所述第二绝缘层置于所述第一绝缘层和所述TP信号线上，所述公共电极置于所述第二绝缘层上，所述第三绝缘层置于所述第二绝缘层和所述公共电极上，所述像素电极通过所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层上的通孔与所述TFT开关的输出端连接。进一步地，所述TFT开关包括：栅极层、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极；所述栅极层置于所述基板上，所述第一绝缘层置于所述栅极上，所述有源层置于所述第一绝缘层上，且所述源极和漏极分别置于所述有源层两侧；所述TFT开关的控制端为栅极层；所述TFT开关的输出端为源极或漏极，所述TFT开关的输入端为漏极或源极。进一步地，所述第一绝缘层为依次层叠的钝化层和平坦层。进一步地，任意一条所述TP信号线与任意一条所述数据线在竖直方向上不重合。区别于现有技术，上述技术方案通过将所述TFT开关的输出端延长，使所述TFT开关的输出端置于所述栅极线与所述TP信号线之间，避免所述TP信号线收到所述栅极线的耦合影响。使电容置于所述TP信号线与所述TFT开关的输出端之间，用于消除TP信号线受到栅极线耦合导致的触控屏横纹。附图说明图1为
技术介绍
所述TP信号线与所述数据线重合结构图；图2为
技术介绍
所述TP信号线与所述数据线不重合结构图；图3为
技术介绍
触控屏横纹原理示意图；图4为一种触控屏结构结构图；图5为
技术介绍
所述TP信号线被所述栅极线耦合剖视图；图6为一种触控屏结构剖视图。附图标记说明：1、基板；2、TFT开关；3、第一绝缘层；4、第二绝缘层；5、第三绝缘层；6、公共电极；7、像素电极；8、栅极线；9、TP信号线；10、数据线；201、栅极层；202、栅极绝缘层；203、有源层；204、输出端；205、输入端；206、控制端；301、钝化层；302、平坦层。具体实施方式为详细说明技术方案的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。请参阅图1至图6，本实施例提供了一种触控屏结构，包括：基板1、TFT开关2、第一绝缘层3、第二绝缘层4、第三绝缘层5、公共电极6、像素电极7、栅极线8(G1、G2、G3…)、TP信号线9和数据线10；所述TFT开关2设置在所述基板1上，所述TFT开关2的输入端205与所述数据线10连接；所述TFT开关2的控制端206与设置于所述TFT开关2一侧的所述栅极线8连接，所述TFT开关2的输出端204置于所述栅极线8上方；所述第一绝缘层3设置于所述TFT开关2和所述栅极线8上；所述TP信号线9设置于所述第一绝缘层3上，且所述TP信号线9设置于所述栅极线8上方；所述第二绝缘层4置于所述第一绝缘层3和所述TP信号线9上，所述公共电极6置于所述第二绝缘层4上，所述第三绝缘层5置于所述第二绝缘层4和所述公共电极6上，所述像素电极7通过所述第一绝缘层3、第二绝缘层4和第三绝缘层5上的通孔与所述TFT开关2的输出端204连接。说第二绝缘层4为VA层，所述第三绝缘层5为CH层需要说明的是，在本申请中，所述TFT开关2的输出端204将延伸至所述TP信号线9与所述栅极线8之间，使原本置于所述TP信号线9与栅极线8之间的电动置于所述TFT开关2的输出端204与所述TP信号线9之间，避免了TP信号线9收到栅极线8的耦合。具体的，所述栅极线8是需要频繁进行开关的，以此控制所述TFT开关2的开启或者关闭，在这种情况下所述栅极线8与所述TP信号线9之间所述形成的电容就及其不稳定，导致所述TP信号线9被所述栅极线8耦合，出现触控屏横纹的现象。在本申请中，所述TFT开关2的输出端204置于所述TP信号线9与所述栅极线8之间，所述TFT开关2的输出端204在所述公共电极6(Vcom)的作用下将会产生一个相对稳定的电压，使所述TFT开关2的输出端204与所述TP信号线9之间的电压相对稳定。需要进一步说明的是，在所述栅极线8关闭期间，所述公共电极6中的一个电容为另一个电容进行充电，维持相应的电压，使该TFT开关上的电压可以维持到下一次所述栅极线8开启的时候。上述技术方案通过将所述TFT开关2的输出端204延长，使所述TFT开关2的输出端204置于所述栅极线8与所述TP信号线9之间，避免所述TP信号线9收到所述栅极线8的耦合影响。使电容置于所述TP信号线9与所述TFT开关2的输出端204之间，用于消除TP信号线9受到栅极线8耦合导致的触控屏横纹。请参阅图6，在某些实施例中，所述TFT开关2包括：栅极层201、栅极绝缘层202、有源层203、源极、漏极；所述栅极层201置于所述基板1上，所述第一绝缘层3置于所述栅极上，所述有源层203置于所述第一绝缘层3上，且所述源极和漏极分别置于所述有源层203两侧；所述TFT开关2的控制端206为栅极层201；所述TFT开关2的输出端204为源极或漏极，所述TFT开关2的输入端205为漏极或源极。需要说明的是，在本实施例中，所述TFT开关2的源极和漏极是置于所述有源层203两侧，并与所述有源层203连接的；同时源极与漏极是通过所连接的数据线10的极性确定；即，连接正极数据线10的TFT开关2来说，输入端205为漏极，输出端204为源极。反之，连接正极数据线10的TFT开关2来说，输入端205为源极，输出端204为漏极。需本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种触控屏结构，其特征在于，包括：基板、TFT开关、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、公共电极、像素电极、栅极线、TP信号线和数据线；/n所述TFT开关设置在所述基板上，所述TFT开关的输入端与所述数据线连接；所述TFT开关的控制端与设置于所述TFT开关一侧的所述栅极线连接，所述TFT开关的输出端置于所述栅极线上方；所述第一绝缘层设置于所述TFT开关和所述栅极线上；所述TP信号线设置于所述第一绝缘层上，且所述TP信号线设置于所述栅极线的上方；/n所述第二绝缘层置于所述第一绝缘层和所述TP信号线上，所述公共电极置于所述第二绝缘层上，所述第三绝缘层置于所述第二绝缘层和所述公共电极上，所述像素电极通过所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层上的通孔与所述TFT开关的输出端连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种触控屏结构，其特征在于，包括：基板、TFT开关、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、公共电极、像素电极、栅极线、TP信号线和数据线；
所述TFT开关设置在所述基板上，所述TFT开关的输入端与所述数据线连接；所述TFT开关的控制端与设置于所述TFT开关一侧的所述栅极线连接，所述TFT开关的输出端置于所述栅极线上方；所述第一绝缘层设置于所述TFT开关和所述栅极线上；所述TP信号线设置于所述第一绝缘层上，且所述TP信号线设置于所述栅极线的上方；
所述第二绝缘层置于所述第一绝缘层和所述TP信号线上，所述公共电极置于所述第二绝缘层上，所述第三绝缘层置于所述第二绝缘层和所述公共电极上，所述像素电极通过所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层上的通孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：王强，许汉东，吴美叶，刘汉龙，钟慧萍，刘振东，郑聪秀，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35