半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术的半导体元件包括：设有在中央部的元件区域和在所述元件区域的外侧的周边区域的元件基板；和面对所述元件基板的读出电路基板，所述元件基板包括设置在所述元件区域中并且包含化合物半导体材料的第一半导体层；设置在第一半导体层和所述读出电路基板之间的配线层，所述配线层将第一半导体层和所述读出电路基板彼此电气连接；设置在所述配线层和第一半导体层之间的第一钝化膜；和隔着第一半导体层与第一钝化膜相对的第二钝化膜，所述元件基板的周边区域包括相对于所述读出电路基板的接合面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体元件及其制造方法
本公开涉及一种例如用在红外线传感器等中的半导体元件及其制造方法。
技术介绍
近年来，对红外区域敏感的图像传感器(红外线传感器)已经商业化。例如，如专利文献1中所记载的，在红外线传感器中使用的半导体元件中，使用包含诸如InGaAs(砷化铟镓)等III-V族半导体的光电转换层，从而允许红外线在光电转换层中被吸收，由此产生电荷(执行光电转换)。引用文献列表专利文献PTL1：日本未经审查的专利申请公开(PCT申请的公布的日文翻译)No.JP2014-521216
技术实现思路
在这样的半导体元件中，诸如III-V族半导体材料等化合物半导体材料可能会受到例如水分等来自外部的影响，这可能会降低可靠性。因此，期望提供一种能够保护化合物半导体材料并因此抑制可靠性降低的半导体元件及其制造方法。根据本公开实施方案的半导体元件包括：设有在中央部的元件区域和在所述元件区域的外侧的周边区域的元件基板；和面对所述元件基板的读出电路基板，所述元件基板包括设置在所述元件区域中并且包含化合物半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：/n设有在中央部的元件区域和在所述元件区域的外侧的周边区域的元件基板；和/n面对所述元件基板的读出电路基板，/n所述元件基板包括/n设置在所述元件区域中并且包含化合物半导体材料的第一半导体层，/n设置在第一半导体层和所述读出电路基板之间的配线层，所述配线层将第一半导体层和所述读出电路基板彼此电气连接，/n设置在所述配线层和第一半导体层之间的第一钝化膜，和/n隔着第一半导体层与第一钝化膜相对的第二钝化膜，/n所述元件基板的周边区域包括相对于所述读出电路基板的接合面。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181016 JP 2018-1951101.一种半导体元件，包括：
设有在中央部的元件区域和在所述元件区域的外侧的周边区域的元件基板；和
面对所述元件基板的读出电路基板，
所述元件基板包括
设置在所述元件区域中并且包含化合物半导体材料的第一半导体层，
设置在第一半导体层和所述读出电路基板之间的配线层，所述配线层将第一半导体层和所述读出电路基板彼此电气连接，
设置在所述配线层和第一半导体层之间的第一钝化膜，和
隔着第一半导体层与第一钝化膜相对的第二钝化膜，
所述元件基板的周边区域包括相对于所述读出电路基板的接合面。


2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中
所述元件基板还包括
至少在所述周边区域中设置并且围绕第一半导体层的埋入层，和
设置在所述埋入层和第一半导体层之间的第三钝化膜。


3.根据权利要求2所述的半导体元件，其中第三钝化膜和第一钝化膜连续地设置。


4.根据权利要求2所述的半导体元件，其中第三钝化膜与第一钝化膜接触。


5.根据权利要求2所述的半导体元件，其中
所述埋入层包括
第一埋入层，和
设置在第一埋入层和所述读出电路基板之间以及第一半导体层和所述配线层之间的第二埋入层。


6.根据权利要求5所述的半导体元件，其中第一钝化膜跨越所述元件区域和所述周边区域延伸，并且设置在第一埋入层和第二埋入层之间。


7.根据权利要求1所述的半导体元件，其中
所述元件基板还包括
设置在第一半导体层和所述配线层之间并且与第一半导体层电气连接的第一电极，和
隔着第一半导体层与第一电极相对的第二电极。


8.根据权利要求7所述的半导体元件，其中第一电极设置在第一钝化膜和第一半导体层之间。


9.根据权利要求7所述的半导体元件，其中第一钝化膜具有在其中埋设第一电极的开口。


10.根据权利要求2所述的半导体元件，其中所述元件基板在所述周边区域中还包括将第二电极和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本良辅，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP