纳米薄膜静电疲劳测试方法技术

本申请涉及一种纳米薄膜静电疲劳测试方法，属于纳米薄膜静电测试方法技术领域。纳米薄膜静电疲劳测试方法包括提供纳米薄膜；提供电极板；提供位移传感器；提供直流电压源；提供绝缘支撑件，绝缘支撑件具有检测通孔；将绝缘支撑件支撑于纳米薄膜和电极板之间，使电极板位于检测通孔的下方，纳米薄膜覆盖于检测通孔的上方且与电极板平行设置，将直流电压源的正极与纳米薄膜电连接，将直流电压源的负极与电极板电连接；启动直流电压源，通过位移传感器测量纳米薄膜向检测通孔内凹陷的位移量。该纳米膜静电疲劳测试方法，易操作、对纳米薄膜无损伤，且适用于现场实测。

【技术实现步骤摘要】
纳米薄膜静电疲劳测试方法
本申请涉及纳米薄膜静电测试方法
，具体而言，涉及一种纳米薄膜静电疲劳测试方法。
技术介绍
自从纳米材料发展以来，纳米薄膜材料具有独特的力学、电磁学、光学等性能，极大的改变了光电子功能器件的基本物理性质，在电子领域表现出巨大应用潜力。由于高质量纳米薄膜在可加工性、韧性、耐磨性及振荡性等方面性能较差，使其在某些方面不能表现出足够的应用价值，限制了纳米薄膜的应用范围。因此需要测试纳米薄膜的特性。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种易操作、对纳米薄膜无损伤，且适用于现场实测的纳米膜静电疲劳测试方法。本申请是通过下述技术方案实现的：本申请提供了一种纳米薄膜静电疲劳测试方法，包括：提供纳米薄膜；提供电极板；提供位移传感器；提供直流电压源；提供绝缘支撑件，绝缘支撑件具有检测通孔；将绝缘支撑件支撑于纳米薄膜和电极板之间，使电极板位于检测通孔的下方，纳米薄膜覆盖于检测通孔的上方且与电极板平行设置，将直流电压源的正极与纳米薄膜电连接，将直流电压源的负极与电极板电连接；启动直流电压源，通过位移传感器测量纳米薄膜向检测通孔内凹陷的位移量。根据本申请实施例的纳米薄膜静电疲劳测试方法，在电压激励纳米薄膜下，通过位移传感器测量纳米薄膜的位移变化，得出纳米薄膜的电压与位移关系，有效地反映纳米薄膜静电疲劳特性；该方法能够无接触、无损坏测量纳米薄膜的静电疲劳特性，检测精度高，测试速度快，成本低及有良好的实际应用特点。该方法，测得的纳米薄膜静电疲劳特性，使其在纳米研究、纳米薄膜结构设计以及纳米薄膜产业化等方面潜在较大适用性，在医疗器械、电子器件、通讯设备及环境仪器等领域有着广阔应用前景。在本申请的一些实施例中，在启动直流电压源，通过位移传感器测量纳米薄膜向检测通孔内凹陷的位移量步骤中包括：调节直流电压源的电压，测量不同电压值下纳米薄膜的位移量。在上述方案中，通过调节直流电压源的电压，实现不同测试参数下的纳米薄膜的静电疲劳特性，测量范围广。在本申请的一些实施例中，直流电压源的电压调节范围为0-500V。在上述方案中，直流电压源的调节范围较广，便于实现不同参数范围的调整，以得出较好的纳米薄膜静电特性。在本申请的一些实施例中，绝缘支撑件为筒状结构。在上述方案中，筒状结构便于加工，成本低。在本申请的一些实施例中，纳米薄膜与电极板的间隔距离为100-600μm。在上述方案中，纳米薄膜与电极板的间隔距离，具有较宽的适用范围，便于不同的纳米薄膜的位移检测。在本申请的一些实施例中，位移传感器为激光位移传感器，位移传感器位于纳米薄膜的上方。在上述方案中，激光位移传感器具有较好的测量精度，保证测量结果的准确性。在本申请的一些实施例中，纳米薄膜为金属膜、合金膜或化合物膜。在上述方案中，材质多样性，便于对较多的纳米薄膜进行静电疲劳测试。在本申请的一些实施例中，纳米薄膜的材料为铜、铝、铬、铂、钛以及其合金中一种。在上述方案中，金属材质的纳米薄膜具有较好的导电性，便于测量静电疲劳特性。在本申请的一些实施例中，纳米薄膜为圆形。在上述方案中，圆形的纳米薄膜在电压激励下，变形稳定，能够保证位移测量结果的准确性。在本申请的一些实施例中，纳米薄膜的厚度为100-200nm。在上述方案中，纳米薄膜的厚度便于检测其变形位移，保证测量结果的准确性。本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本申请实施例提供的纳米薄膜静电疲劳测试方法的示意性流程图；图2为本申请实施例提供的纳米薄膜静电疲劳测试装置的结构示意图；图3为本申请实施例提供的一种纳米薄膜的电压与位移关系图；图4为本申请实施例提供的另一种纳米薄膜的电压与位移关系图。图标：100-纳米薄膜静电疲劳测试装置；10-纳米薄膜；20-电极板；30-位移传感器；40-直流电压源；41-第一导线；42-第二导线；50-绝缘支撑件；51-检测通孔；60-控制器。具体实施方式为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本申请的描述中，需要说明的是，术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。下面参考图描述根据本申请一方面实施例的纳米薄膜静电疲劳测试方法。图1示出了本申请实施例的纳米薄膜静电疲劳测试方法的示意性流程图。图2示出了本申请实施例提供的纳米薄膜静电疲劳测试装置100的结构示意图，该纳米薄膜静电疲劳测试装置100应用于纳米薄膜静电疲劳测试，包括纳米薄膜10、电极板20、位移传感器30、直流电压源40及绝缘支撑件50。请参照图1，该纳米薄膜静电疲劳测试方法包括：101，提供纳米薄膜10；102，提供电极板20；103，提供位移传感器30；104，提供直流电压源40；105，提供绝缘支撑件50，绝缘支撑件50具有检测通孔51；106，将绝缘支撑件50支撑于纳米薄膜10和电极板20之间，使电极板20位于检测通孔51的下方，纳米薄膜10覆盖于检测通孔51的上方且本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米薄膜静电疲劳测试方法，其特征在于，包括：/n提供纳米薄膜；/n提供电极板；/n提供位移传感器；/n提供直流电压源；/n提供绝缘支撑件，所述绝缘支撑件具有检测通孔；/n将所述绝缘支撑件支撑于所述纳米薄膜和所述电极板之间，使所述电极板位于所述检测通孔的下方，所述纳米薄膜覆盖于所述检测通孔的上方且与所述电极板平行设置，将所述直流电压源的正极与所述纳米薄膜电连接，将所述直流电压源的负极与所述电极板电连接；/n启动所述直流电压源，通过所述位移传感器测量所述纳米薄膜向所述检测通孔内凹陷的位移量。/n

【技术特征摘要】
1.一种纳米薄膜静电疲劳测试方法，其特征在于，包括：
提供纳米薄膜；
提供电极板；
提供位移传感器；
提供直流电压源；
提供绝缘支撑件，所述绝缘支撑件具有检测通孔；
将所述绝缘支撑件支撑于所述纳米薄膜和所述电极板之间，使所述电极板位于所述检测通孔的下方，所述纳米薄膜覆盖于所述检测通孔的上方且与所述电极板平行设置，将所述直流电压源的正极与所述纳米薄膜电连接，将所述直流电压源的负极与所述电极板电连接；
启动所述直流电压源，通过所述位移传感器测量所述纳米薄膜向所述检测通孔内凹陷的位移量。


2.根据权利要求1所述的纳米薄膜静电疲劳测试方法，其特征在于，在所述启动所述直流电压源，通过所述位移传感器测量所述纳米薄膜向所述检测通孔内凹陷的位移量步骤中包括：
调节所述直流电压源的电压，测量不同电压值下所述纳米薄膜的位移量。


3.根据权利要求2所述的纳米薄膜静电疲劳测试方法，其特征在于，所述直流电压源的电压调节范围为0-500V...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘科海，杨秀华，张超，杨方友，陈益，王恩哥，
申请(专利权)人：松山湖材料实验室，
类型：发明
国别省市：广东;44