一种具有超低介电损耗的PTFE/MgTiO制造技术

本发明专利技术涉及一种具有超低介电损耗的PTFE/MgTiO

【技术实现步骤摘要】
一种具有超低介电损耗的PTFE/MgTiO3复合介质材料及其制备方法
本专利技术涉及一种微波介质陶瓷以及一种具有超低介电损耗的PTFE/MgTiO3复合介质材料及其制备方法，属于复合材料领域。
技术介绍
微波介质陶瓷(MicrowaveDielectricCeramics，简称MWDC)是指应用于微波频段(主要是UHF、SHF频段)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷。进入21世纪后，随着无线互联网、宽带主干网及全球定位系统GPS的迅猛发展，作为微波滤波器、谐振器及振荡器等无线通讯器件用的高性能微波介质陶瓷日益成为国际学术界广泛关注的焦点材料。随着移动5G通讯和卫星通讯技术的发展，陶瓷的脆性和难加工性严重制约了其发展，传统的陶瓷已不能满足微波通信设备的性能要求，微波介质器件的发展对介质材料提出了更高的要求——保留优异介电性能的同时具备良好的加工性能。文献报告指出聚四氟乙烯(简称PTFE)，具有优异的微波介电性能，且作为聚合物材料具备良好的加工性能；但是现阶段的PTFE基复合介质材料介电损耗高(tanδ＞10-3)。因而开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PTFE/MgTiO

【技术特征摘要】
1.一种PTFE/MgTiO3复合介质材料，其特征在于，所述PTFE/MgTiO3复合介质材料包括四氟乙烯基体以及填充在所述四氟乙烯基体中的微波介质陶瓷MgTiO3；在所述PTFE/MgTiO3复合介质材料中微波介质陶瓷MgTiO3的含量为10～40Vol%，优选17.5～32.5Vol%。


2.根据权利要求1所述的PTFE/MgTiO3复合介质材料，其特征在于，所述微波介质陶瓷MgTiO3的粒径为10～40μm。


3.根据权利要求1或2所述的PTFE/MgTiO3复合介质材料，其特征在于，所述微波介质陶瓷MgTiO3的组成包括：45～55mol%MgO、45～55mol%TiO2，摩尔百分比之和为100%。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的PTFE/MgTiO3复合介质材料，其特征在于，所述PTFE/MgTiO3复合介质材料的介电常数为3～6，介电损耗低于3×10-4。


5.一种权利要求1-4中任一项所述的PTFE/MgTiO3复合介质材料的制备方法，其特征在于，包括：
（1）采用偶联剂对微波介质陶瓷MgTiO3粉体进行改性，得到改性的微波介质陶瓷粉；
（2）按照所述PTFE/MgTiO3复合介质材料组成，将所得改性的微波介质陶瓷粉与聚四氟乙烯进行混合、模压和烧结，得到所述PTFE/MgTiO3复合介质材料。
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【专利技术属性】
技术研发人员：林慧兴，彭海益，姚晓刚，顾忠元，张奕，赵相毓，何飞，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31