确定电气或电子系统的特征温度技术方案

一种用于确定电气或电子系统的特征温度(T

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】确定电气或电子系统的特征温度本专利技术涉及一种用于确定电气或电子系统的特征温度的方法以及一种电气或电子系统。在电气或电子系统或装置中，由于特定的特征温度对例如可靠性、寿命或劣化率的影响，因而特征温度会引起特别的关注。在某些情况下，超过一定绝对限制的特征温度也会导致装置或系统的破坏。因此，在系统或装置的操作期间确定或监视特征温度可能是至关重要的或者至少是期望的。然而，在许多情况下，例如，由于恶劣的环境，直接测量关注的特征温度可能不切实际或不可行。特别地，功率半导体装置的结温可能是这种情况，因为在操作期间它们通常是“带电”的且处于高噪声环境中。其它示例包括功率变压器或电抗器的绕组温度或者有载分接开关内的特征温度，例如电阻温度。间接估计这种特征温度的现有方法需要对每个单独的系统或装置进行事先校准，这在工业应用中是不切实际的，尤其是在半导体装置的情况下实际上是不可能的。其它方法需要特定的实验室设置或者系统或装置的专用操作模式，在某些情况下还需要特定的兼容负载。因此，本专利技术的目的是提供一种用于确定电气或电子系统的特征温度的改进构思，其可以在系统或装置的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于确定电气或电子系统的特征温度(T

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180921 EP 18196070.91.一种用于确定电气或电子系统的特征温度(Tj)的方法，其中，所述方法包括：
-在所述系统的操作期间，测量所述系统的一个或多个特征参数；
-基于所述系统的热模型(M_th)和测量的参数的第一子集来估计特征温度(Tj)；
-基于TSEP模型(M_TSEP)和估计的特征温度(Tj)来预测温度敏感电气参数TSEP的第一值(V1)；
-基于测量的参数的第二子集来确定TSEP的第二值(V2)；
-比较TSEP的第一值(V1)和第二值(V2)；以及
-基于比较的结果来适配热模型(M_th)或TSEP模型(M_TSEP)。


2.根据权利要求1所述的方法，包括：
-基于另一TSEP模型和估计的特征温度(Tj)来预测另一TSEP的第一值(V1)；
-基于测量的参数的第二子集来确定所述另一TSEP的第二值(V2)；
-比较所述另一TSEP的第一值(V1)和第二值(V2)；
-其中，基于所述另一TSEP的第一值(V1)与第二值(V2)的比较的结果来适配热模型(M_th)或TSEP模型(M_TSEP)。


3.根据权利要求1或2中的一项所述的方法，其中：
-所述方法还包括至少重复以下步骤：测量特征参数，估计特征温度(Tj)以及预测TSEP的第一值(V1)；并且
-对于重复，使用适配的热模型代替热模型(M_th)，并且/或者，使用适配的TSEP模型代替TSEP模型(M_TSEP)。


4.根据权利要求1至3中的一项所述的方法，其中，特征温度(Tj)是包括在所述系统中的电气或电子装置的特征温度(Tj)。


5.根据权利要求4所述的方法，其中：
-所述系统是电力电子系统；并且
-特征温度(Tj)是包括在所述系统中的功率半导体装置(PS)的特征温度(Tj)，尤其是结温(Tj)。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，第一子集包括以下参数中的至少一个：
-功率半导体装置(PS)的导通状态电流(Ion)；
-功率半导体装置(PS)的导通状态电压(Von)；
-功率半导体装置(PS)的断开状态电压(Voff)；
-功率半导体装置(PS)在相应测量间隔内的总导通状态持续时间(ton)；
-功率半导体装置(PS)在相应测量间隔内的总断开状态持续时间(toff)；
-电力电子系统的参考温度(Tb)。


7.根据权利要求5或6中的一项所述的方法，其中，第二子集包括功率半导体装置(PS)的导通状态电流(Ion)和/或导通状...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·布莱恩特，
申请(专利权)人：赖茵豪森机械制造公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE