显示装置及其制造方法制造方法及图纸

一种显示装置及其制造方法。显示装置包含基板、多个白光发光单元以及彩色滤光层。白光发光单元间隔排列于基板上，且白光发光单元为晶片级封装(Chip Scale Package,CSP)。彩色滤光层位于白光发光单元上方。每个白光发光单元包含发光二极管晶片以及波长转换膜。波长转换膜直接包覆发光二极管晶片的顶面与周围侧面，且波长转换膜将发光二极管晶片所发出的光线转换为白光。由于波长转换膜直接包覆发光二极管晶片的顶面与周围侧面，因此显示装置的整体厚度得以下降。此外，以白光发光单元搭配彩色滤光层以得到各种颜色的色光，可提升显示装置的发光均匀性，并解决电控不易的问题。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法
本揭露是有关于一种显示装置及一种显示装置的制造方法。
技术介绍
由于发光二极管(light-emittingdiode,LED)具有寿命长、功耗低以及驱动简单等优点，因此广泛应用于照明、背光、发光二极管显示器等。一般来说，发光二极管显示器常采用红、绿、蓝发光二极管晶片做为像素，而像素经排列后可形成全彩的发光二极管显示器。然而，此种发光二极管显示器常面临发光不均匀、电控不易、尺寸无法缩减以及制作成本高等问题。因此，如何有效解决上述问题是目前亟需解决的课题。
技术实现思路
本揭露的一技术态样为一种显示装置。根据本揭露一实施方式，显示装置包含基板、多个白光发光单元以及彩色滤光层。白光发光单元间隔排列于基板上，且白光发光单元为晶片级封装(ChipScalePackage,CSP)。彩色滤光层位于白光发光单元上方。每个白光发光单元包含发光二极管晶片以及波长转换膜。波长转换膜直接包覆发光二极管晶片的顶面与周围侧面，且波长转换膜将发光二极管晶片所发出的光线转换为白光。在本揭露一实施方式中，彩色滤光层包含多个色阻。色阻为红色色阻、绿色色阻或蓝色色阻，且色阻分别对应至白光发光单元。在本揭露一实施方式中，显示装置还包含位于色阻之间的黑色矩阵。在本揭露一实施方式中，发光二极管晶片产生蓝光。在本揭露一实施方式中，波长转换膜包含多个第一量子点以及多个第二量子点，且第一量子点激发出的光线的波长范围与第二量子点激发出的光线的波长范围不同。在本揭露一实施方式中，发光二极管晶片是无衬底的发光二极管晶片，且发光二极管晶片的厚度约在5μm至10μm之间。在本揭露一实施方式中，波长转换膜的厚度约在3μm至100μm之间。本揭露的另一技术态样为一种显示装置的制造方法。根据本揭露一实施方式，显示装置的制造方法包含：形成多个晶片级封装(ChipScalePackage,CSP)的白光发光单元于载板上；将任意数量的白光发光单元转移至基板上；以及设置彩色滤光层于白光发光单元上方。在本揭露一实施方式中，形成晶片级封装的白光发光单元于载板上，包含：提供多个无衬底的发光二极管晶片以覆晶型式设置于载板上；以及以层压的方式将波长转换膜形成在载板上方且包覆发光二极管晶片的顶面与周围侧面，使得波长转换膜与发光二极管晶片具有相同的轮廓，其中波长转换膜彼此相连于发光二极管晶片之间。在本揭露一实施方式中，将任意数量的白光发光单元转移至基板上，包含：吸附白光发光单元，使得波长转换膜彼此断开于发光二极管晶片之间；以及将白光发光单元贴附至基板上。根据本揭露上述实施方式，由于波长转换膜直接包覆发光二极管晶片的顶面与周围侧面而形成晶片级封装的白光发光单元，因此显示装置的整体厚度得以下降。此外，以白光发光单元搭配彩色滤光层以得到各种颜色的色光，可提升显示装置的发光均匀性，并解决电控不易的问题。另外，透过直接将晶片级封装的白光发光单元设置在基板上，可减少波长转换膜材的使用量，以降低生产制作成本。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的详细说明如下：图1绘示根据本揭露一实施方式的显示装置的侧视示意图；图2绘示图1的白光发光单元的侧视示意图；图3绘示图1的显示装置的上视图；图4绘示根据本揭露一实施方式的显示装置的制造方法的流程图；图5至图10绘示根据本揭露一实施方式的显示装置的制造方法在各步骤的侧视示意图。【符号说明】100：显示装置110：基板120：白光发光单元121：顶面121a：顶面122：发光二极管晶片123：周围侧面123a：周围侧面122a：n型半导体层122b：发光层123b：侧面122c：p型半导体层122d：保护层122e：正电极122f：负电极123c：侧面124：波长转换膜124a：第一量子点124b：第二量子点130：彩色滤光层132：色阻132R：红色色阻132G：绿色色阻132B：蓝色色阻134：黑色矩阵150：衬底160：粘胶层170：载板180：转置头190：导电特征G、G1：间隙D：延伸方向D1：距离H、H1～H5：厚度S10～S30：步骤具体实施方式以下将以附图揭露本揭露的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本揭露。也就是说，在本揭露部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。图1绘示根据本揭露一实施方式的显示装置100的侧视示意图。图2绘示图1的白光发光单元120的侧视示意图。同时参阅图1及图2，显示装置100包含基板110、多个白光发光单元120以及彩色滤光层130。基板110可为具有导电线路的基板，例如薄膜电晶体基板、玻璃基板、石英基板或硅基板，但并不用以限制本揭露。白光发光单元120间隔排列于基板110上，也就是说，白光发光单元120之间具有间隙G。此外，彩色滤光层130位于白光发光单元120上方。在一些实施方式中，每个白光发光单元120各自包含发光二极管晶片122以及波长转换膜124，且白光发光单元120为晶片级封装(ChipScalePackage,CSP)，即波长转换膜124直接包覆发光二极管晶片122的顶面121与周围侧面123。此外，发光二极管晶片122是无衬底的发光二极管晶片122，例如发光二极管晶片122不具有蓝宝石基板，如此一来，白光发光单元120的整体尺寸得以减小。举例来说，包含无衬底的发光二极管晶片122的白光发光单元120的厚度H约在8μm至110μm之间，其中发光二极管晶片122的厚度H1约在5μm至10μm之间，而波长转换膜124的厚度H2约在3μm至100μm之间。由于白光发光单元120具有较小的尺寸，因此可以高密度的方式排列，使得显示装置100可具有良好的发光均匀性。在一些实施方式中，发光二极管晶片122包含n型半导体层122a、发光层122b、p型半导体层122c、保护层122d、正电极122e以及负电极122f。详细而言，发光层122b位于n型半导体层122a与p型半导体层122c之间，且波长转换膜124包覆n型半导体层122a的顶面121a与周围侧面123a、发光层122b的侧面123b以及p型半导体层122c的侧面123c。在一些实施方式中，n型半导体层122a为n型氮化镓半导体层，且p型半导体层122c为p型氮化镓半导体层，n型半导体层122a的厚度H3约在2.0μm至3.5μm之间，且p型半导体层122c的厚度H5约为0.本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，其特征在于，包含：/n一基板；/n多个白光发光单元，间隔排列于该基板上，其中该些白光发光单元为晶片级封装(ChipScale Package,CSP)，且每一该些白光发光单元包含：/n一发光二极管晶片；以及/n一波长转换膜，直接包覆该发光二极管晶片的顶面与周围侧面，且该波长转换膜将该发光二极管晶片所发出的光线转换为白光；以及/n一彩色滤光层，位于该些白光发光单元上方。/n

【技术特征摘要】
20191031 TW 1081395621.一种显示装置，其特征在于，包含：
一基板；
多个白光发光单元，间隔排列于该基板上，其中该些白光发光单元为晶片级封装(ChipScalePackage,CSP)，且每一该些白光发光单元包含：
一发光二极管晶片；以及
一波长转换膜，直接包覆该发光二极管晶片的顶面与周围侧面，且该波长转换膜将该发光二极管晶片所发出的光线转换为白光；以及
一彩色滤光层，位于该些白光发光单元上方。


2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该彩色滤光层包含多个色阻，且每一该些色阻为红色色阻、绿色色阻或蓝色色阻，且该些色阻分别对应至该些白光发光单元。


3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，该彩色滤光层还包含一黑色矩阵，位于该些色阻之间。


4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该发光二极管晶片产生蓝光。


5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该波长转换膜包含多个第一量子点以及多个第二量子点，且该些第一量子点激发出的光线的波长范围与该些第二量子点激发出的光线的波长范围不同。


6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该发光二极管晶片是无衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈富鑫，李育群，童鸿钧，蔡宗良，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71