微发光元件阵列基板、制备方法以及转移方法技术

本发明专利技术公开了一种微发光元件阵列基板、制备方法以及转移方法，微发光元件阵列基板包括：衬底；微发光二极管芯片，呈阵列分布在衬底上，微发光二极管芯片背离衬底的表面为连接面；牺牲层，设置在连接面上，牺牲层包括至少一个第一开口；隔离层，至少部分隔离层设置在牺牲层背离微发光二级管芯片的一侧，其中隔离层填充第一开口，且隔离层在第一开口处形成连接结构，连接结构与微发光二极管芯片直接接触。本发明专利技术提供的微发光元件阵列基板能够与临时基板稳定连接，易于剥离衬底，同时能够便于微发光二极管芯片与临时基板分离，防止对微发光二极管芯片造成损伤，提高显示面板的制造良率。

【技术实现步骤摘要】
微发光元件阵列基板、制备方法以及转移方法
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种微发光元件阵列基板、微发光元件阵列基板的制备方法以及微发光二极管芯片的转移方法。
技术介绍
微发光二极管(μLED/Micro-LED)显示技术是指在衬底上以高密度集成的微小发光二极管阵列为像素实现发光显示的技术。目前，微发光二极管技术逐渐成为研究热门，工业界期待有高品质的微发光二极管产品进入市场。高品质微发光二极管产品会对市场上已有的诸如LCD(液晶显示器)/OLED(有机发光二极管显示)的显示产品产生深刻影响。但是由于微发光二极管尺寸较小，且相邻微发光二极管间距较小，使得目前微发光二极管的制造例如对衬底的剥离过程存在许多困难。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种微发光元件阵列基板、微发光元件阵列基板的制备方法以及微发光二极管芯片的转移方法，微发光元件阵列基板能够与临时基板稳定连接，易于剥离衬底，同时能够便于与临时基板分离，防止对微发光二极管芯片造成损伤，提高显示面板的制造良率。第一方面，本专利技术实施例提供一种微发光元件阵列基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光元件阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底；/n微发光二极管芯片，呈阵列分布在所述衬底上，所述微发光二极管芯片包括叠层结构以及至少一个电极，所述叠层结构包括沿背离所述衬底的方向层叠设置的第一半导体层、量子阱层、第二半导体层以及导电层，所述至少一个电极设置在所述叠层结构背离所述衬底的一侧，所述微发光二极管芯片背离所述衬底的表面为连接面；/n牺牲层，设置在所述连接面上，所述牺牲层包括至少一个第一开口；/n隔离层，至少部分所述隔离层设置在所述牺牲层背离所述微发光二极管芯片的一侧，其中所述隔离层填充所述第一开口，且所述隔离层在所述第一开口处形成连接结构，所述连接结构与所述微发光二极管芯片直...

【技术特征摘要】
1.一种微发光元件阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
微发光二极管芯片，呈阵列分布在所述衬底上，所述微发光二极管芯片包括叠层结构以及至少一个电极，所述叠层结构包括沿背离所述衬底的方向层叠设置的第一半导体层、量子阱层、第二半导体层以及导电层，所述至少一个电极设置在所述叠层结构背离所述衬底的一侧，所述微发光二极管芯片背离所述衬底的表面为连接面；
牺牲层，设置在所述连接面上，所述牺牲层包括至少一个第一开口；
隔离层，至少部分所述隔离层设置在所述牺牲层背离所述微发光二极管芯片的一侧，其中所述隔离层填充所述第一开口，且所述隔离层在所述第一开口处形成连接结构，所述连接结构与所述微发光二极管芯片直接接触。


2.根据权利要求1所述的微发元件阵列基板，其特征在于，所述连接结构的数量为1个至5个。


3.根据权利要求2所述的微发光元件阵列基板，其特征在于，所述连接结构在所述连接面上正投影的总面积为所述连接面面积的1/15～1/5。


4.根据权利要求2所述的微发光元件阵列基板，其特征在于，所述连接结构在所述连接面上的正投影位于所述连接面的中心和/或边缘。


5.根据权利要求4所述的微发光元件阵列基板，其特征在于，所述连接结构的数量为两个以上，在所述连接面的正投影位于所述连接面边缘的连接结构相互对称。


6.根据权利要求1至5任一项所述的微发光元件阵列基板，其特征在于，所述层叠结构包括背离所述衬底一侧的第一表面和环绕所述第一表面的侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭恩卿，李庆，王程功，田文亚，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51