【技术实现步骤摘要】
半导体装置和电容传感器装置
本专利技术涉及包括对电容器的静电电容的变化进行检测的电容传感器电路的半导体装置和电容传感器装置。
技术介绍
提出了一种IC标签(例如，专利文献1)，其具备如下功能：在物品的搬送中或保管中检测该物品所暴露于的环境温度的变化的历史记录，对检测出的信息进行无线发送。在该IC标签中，作为检测环境温度的变化的传感器，使用了将蜡块作为电介质填充于电极间的电容器以及在蜡块液化的情况下吸收液状的蜡的吸收部。也就是说，在该电容器中，当环境温度成为达到蜡的熔点的程度的高温时，在电容器的电极间填充的蜡液化而被吸收部吸收。由此，电容器的电极间所夹持的区域被空气充满。此时，由于空气的介电常数小于蜡的介电常数，因此电容器的静电电容减少，阻抗增加。因此，在IC标签中，设置有如下电路：将该阻抗作为该电容器的静电电容来进行检测，并对示出其检测结果的数据进行无线发送。从该IC标签无线发送的数据通过规定的接收装置来接收。接收装置将规定的阈值与接收到的检测结果、也就是说电容器的阻抗的值进行比较，判定蜡是否已熔解。...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：/n第一电极焊盘和第二电极焊盘，所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘用于各自外部连接根据环境变化而静电电容变化的传感器电容器的第一电极和第二电极；/n一对电极中的一个电极被连接到所述第一电极焊盘的电容器；/n具有基准静电电容的电容电路；以及/n判定电路，其包括第一中继端子和第二中继端子，从所述第一中继端子送出充电电流并供给到所述电容器的所述一对电极中的另一个电极，并且从所述第二中继端子送出充电电流并供给到所述电容电路，接下来对所述第一中继端子的电位和所述第二中继端子的电位比较大小，基于其比较结果来检测所述传感器电容器的静电电容是否发生了变化。/n
【技术特征摘要】
20191030 JP 2019-1977121.一种半导体装置，其特征在于，具有：
第一电极焊盘和第二电极焊盘，所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘用于各自外部连接根据环境变化而静电电容变化的传感器电容器的第一电极和第二电极；
一对电极中的一个电极被连接到所述第一电极焊盘的电容器；
具有基准静电电容的电容电路；以及
判定电路，其包括第一中继端子和第二中继端子，从所述第一中继端子送出充电电流并供给到所述电容器的所述一对电极中的另一个电极，并且从所述第二中继端子送出充电电流并供给到所述电容电路，接下来对所述第一中继端子的电位和所述第二中继端子的电位比较大小，基于其比较结果来检测所述传感器电容器的静电电容是否发生了变化。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述电容电路包括：第一电路部，其连接于与所述第二中继端子电连接的共同线路，所述第一电路部的静电电容可变；以及第二电路部，其连接于所述共同线路，所述第二电路部的静电电容可变；
所述半导体装置包括：
控制器，其向所述第二电路部供给用于将所述第二电路部的静电电容设定为裕度用静电电容的第一微调信号；以及
校准电路，其执行向所述第一电路部供给第二微调信号的校准，所述第二微调信号用于将所述第一电路部的静电电容设定为随着时间经过而逐步变化的静电电容，
其中，在所述校准执行期间由所述判定电路判定为所述第一中继端子的电位与所述第二中继端子的电位相等时，所述控制器将所述第二微调信号保存到非易失性的存储器中，根据在下一次接通电源时保存于所述存储器的所述第二微调信号来设定所述第一电路部的静电电容。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述环境变化是指从周围的温度比规定温度低的状态变化为所述规定温度以上，
在所述传感器电容器的所述一对电极间夹持的电介质是具有所述规定温度的熔点的蜡。
4.一种半导体装置，其特征在于，具有：
第一电极焊盘和第二电极焊盘，所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘用于各自外部连接串联连接有根据环境变化而静电电容变化的传感器电容器和第一电容器的串联电路的两端的电极；
具有基准静电电容的电容电路；以及
判定电路，其包括第一中继端子和第二中继端子，从所述第一中继端子送出充电电流并供给到所述串联电路的两端的电极中的一个电极，并且从所述第二中继端子送出充电电流并供给到所述电容电路，接下来对所述第一中继端子的电位和所述第二中继端子的电位比较大小，基于其比较结果来检测所述传感器电容器的静电电容是否发生了变化。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述电容电路包括：第一电路部，其连接于与所述第二中继端子电连接的共同...
【专利技术属性】
技术研发人员：大塚雅之，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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