【技术实现步骤摘要】
一种高压SiCMOSFET漏源极间非线性电容测量及建模方法
本专利技术涉及一种非线性电容测量及建模方法，具体涉及一种高压SiCMOSFET漏源极间非线性电容测量及建模方法。
技术介绍
近年来，宽禁带半导体器件制造技术和应用技术快速发展，SiCMOSFET以其卓越的开关性能在高压、高效率、高温电力电子装置中得到了广泛的应用，特别是光伏逆变器、新能源电动汽车、特种工业电源、无线电能传输等领域。精确地表征SiCMOSFET的极间非线性电容对器件行为模型建立、电路开关损耗分析优化和电力电子设备设计具有十分重要的意义。我们迫切需要一种准确、操作简单、易设计的方法实现非线性极间电容的精确测量与表征。现有的SiCMOSFET漏源极间非线性电容Cds建模方法可分为两类，第一类基于器件数据手册中电容随漏源极电压vds变化曲线，通过数学公式直接拟合得到Cds-vds函数表达式，从而实现模型的建立。第二类方法基于电容测量实验设备如阻抗分析仪、网络分析仪等，通过这些设备测量得到电容进而再进行后续的表征拟合与建模。这两类方法的不足主要有1)S...
【技术保护点】
1.一种高压SiC MOSFET漏源极间非线性电容测量及建模方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)进行米勒平台外的漏源极间电容C
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种高压SiCMOSFET漏源极间非线性电容测量及建模方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)进行米勒平台外的漏源极间电容Cds分段表征；
2)进行开关动态过程中米勒平台区的漏源极间电容测量表征；
3)根据米勒平台外的漏源极间电容Cds分段表征及开关动态过程中米勒平台区的漏源极间电容测量表征进行SiCMOSFET漏源极间电容Cds的建模。
2.根据权利要求1所述的高压SiCMOSFET漏源极间非线性电容测量及建模方法，其特征在于，米勒平台外的漏源极间电容Cds分段表征为：
技术研发人员：王来利，李华清，杨成子，朱梦宇，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。