一种双面柔性电路板的卷式制作方法及其制作的柔性电路板技术

技术编号:28301782 阅读:56 留言:0更新日期:2021-04-30 16:30
本发明专利技术公开了一种双面柔性电路板的卷式制作方法及其制作的柔性电路板,方法包括以下步骤:步骤A:RTR双面前处理,步骤B:RTR双面涂布PSPI及氮气预烘烤,步骤C:RTR双面PSPI曝光,步骤D:RTR双面PSPI显影,及步骤E:RTR双面氮气烘烤;本发明专利技术可大幅度地减少产品制作流程,大幅度缩短产品加工周期,相应所需的设备、工具及材料等一并大幅度减少,可大大地提高生产效率、减少人力投入、减少生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种双面柔性电路板的卷式制作方法及其制作的柔性电路板
本专利技术涉及印刷电路板的加工
,特别是指一种双面柔性电路板的卷式制作方法及其制作的柔性电路板。
技术介绍
现有的柔性电路板的绝缘保护层主要是采用覆盖膜(CVL)开窗加工后进行贴合,覆盖膜的加工周期长且厚度≥27.5um,受现有模具能力等影响,覆盖膜(CVL)的开窗能力有限,如CCM模组(CMOSCameraModule,即摄像头模组)柔性电路板等焊盘开窗小的柔性电路板产品,还需配合采用感光油墨制作,另如LCM模组(LCDModule,即LCD显示模组)柔性电路板产品,还需配合采用热固油墨制作。以LCM模组柔性电路板的工艺流程为例,在加工步骤中需要覆盖膜(CVL)钻孔、模具冲切、假贴、压合、烘烤、前处理、丝印感光油墨、预烘、曝光、显影、后固化、前处理、丝印热固油墨、烘烤等一系列的工艺流程及其设备、工具及材料,因此,现有的柔性电路板制作工艺流程多、加工周期长、极为占用人力、生产成本极高,且产品良率及制作精度等方面存在一定的局限性。为此,行业内有少数企业在积极地开发替代产品—PSPI,即PhotoSensitivePI,也称感光聚酰亚胺,为高精密感光显影型聚酰亚胺材料,但目前PSPI制作工艺主要采用片对片生产模式,简称SBS,以LCM模组双面柔性电路板为例,如图1所示,现有采用PSPI代替原有柔性电路板的绝缘保护层制作工艺流程为:已制完线路的片式基板,经SBS第一面前处理→SBS第一面涂布PSPI→SBS第一面氮气预烘烤→SBS第一面PSPI曝光→SBS第一面PSPI显影→SBS第一面氮气后固化→SBS第二面前处理→SBS第二面涂布PSPI→SBS第二面氮气预烘烤→SBS第二面PSPI曝光→SBS第二面PSPI显影→SBS第二面氮气后固化,即经过12道制程完成PSPI绝缘保护层制作,再经后续的喷砂、化学镍金等产品制作流程,加工周期较长,还需要经过多道制程及相应的设备、工具及材料等,生产成本较高,且片对片生产模式受设备能力限制,特别受人为因素的影响,产品良率不高、生产效率低,也较为占用人力,已满足不了日益追求低成本、高时效、超薄化的电子产品要求,而目前PSPI制作工艺及其设备均为片对片生产配套,暂无相关的PSPI卷对卷生产工艺(简称RTR)及其设备。有鉴于此,特提出本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于克服现有技术的不足,提供一种可提高产品品质、提高生产效率并可减少生产成本的双面柔性电路板的卷式制作方法。为了达成上述目的,本专利技术的解决方案是:一种双面柔性电路板的卷式制作方法,其包括以下步骤:步骤A:RTR双面前处理,对已制完线路的卷对卷基板进行RTR双面前处理,粗化及清洁卷对卷基板的两面电路层表面;步骤B:RTR双面涂布PSPI及氮气预烘烤,将液态PSPI均匀涂布在卷对卷基板的两面电路层上,并对涂布有液态PSPI的卷对卷基板进行氮气预烘烤,此步骤依产品的PSPI层厚度要求进行1-3次;步骤C:RTR双面PSPI曝光,将卷对卷基板上的两面PSPI层进行曝光,将双面柔性电路板所需的两面绝缘保护图形层分别曝光转移到对应的PSPI层上;步骤D:RTR双面PSPI显影,将经过曝光处理的卷对卷基板上的两面PSPI层进行显影处理,将两面绝缘保护图形层显影出;步骤E:RTR双面氮气烘烤,将经过显影处理的卷对卷基板上的两面PSPI层进行氮气烘烤处理,将PSPI层固化成型。进一步,步骤A中,所述前处理工艺为棕化处理或微蚀处理,微蚀量为0.7-1.5um。进一步,步骤B中,涂布的PSPI层厚度为10-25um;烘烤温度为75-85℃,烘烤时间为10-20min。进一步,涂布的PSPI层厚度为18±3um。进一步,涂布的PSPI层厚度为12±2um。进一步,涂布的PSPI层厚度为22±3um。进一步,烘烤温度较佳为80℃,烘烤时间为10min。进一步,烘烤温度较佳为80℃,烘烤时间也可为20min。进一步,步骤C中,采用21阶曝光尺,能量级为8-11阶;步骤D中,采用的显影液为Na2CO3或K2CO3,显影浓度1-1.2%,显影温度30±2℃,显影点为50-60%。进一步,步骤C中采用21阶曝光尺,能量级为8级或9级;步骤D中,采用显影液为K2CO3,显影浓度为1.2%,显影温度30℃。进一步,步骤E中,烘烤温度为140-160℃,烘烤时间45-90min。进一步,烘烤温度160℃,烘烤时间60min。进一步,烘烤温度150℃,烘烤时间60min。进一步,烘烤温度140℃,烘烤时间60min。进一步,本专利技术的一种双面柔性电路板的卷式制作方法还包括:步骤F,RTR双面喷砂,将步骤E得到的卷对卷基板的两面进行喷砂处理;步骤G,RTS裁切及自动装蓝,将步骤F得到的卷对卷基板裁切成片状基板,将片状基板自动装入化金挂蓝中;以及步骤H,化学镍金;将步骤G得到的装有片状基板的化金挂蓝放入化学镍金线进行化学镍金处理。本专利技术的另一目的在于提供一种采用上述双面柔性电路板的卷式制作方法制作而成的柔性电路板。进一步,所述柔性电路板为LCM模组柔性电路板或CCM模组柔性电路板。进一步,所述柔性电路板包括一层PI基材层、两层电路层及两层PSIP层,两层电路层分别设置在PI基材层的两面,所述两层PSIP层分别涂布设置在两层电路层上。进一步,所述PI基材层的厚度为10-25μm;所述电路层的厚度为8-25μm;所述PSIP层的厚度为10-25μm。进一步,所述电路层由线路减成法或加成法制作得到。进一步,所述双面柔性电路板中,所述PI基材层的厚度为12±2μm或20±2μm;所述电路层的厚度为9±2μm;所述PSIP层的厚度为12±2μm或18±3μm。进一步,所述双面柔性电路板中,所述PI基材层的厚度也可为25±2μm;所述电路层的厚度为20±2μm;所述PSIP层的厚度为22±3μm。采用上述方案后,本专利技术具有以下有益效果:本专利技术将柔性电路板的双面PSPI层的制作方法采用RTR生产工艺代替现有的SBS生产工艺,将现有SBS生产工艺所需的12道制程,简化缩短到本专利技术RTR生产工艺的5道制程,即步骤A到步骤E,减少了7道制程,大幅度地减少产品制作流程,大幅度缩短产品加工周期,相应所需的设备、工具及材料等一并大幅度减少,可大大地提高生产效率、减少人力投入、减少生产成本。柔性电路板厚度薄且柔软,在SBS生产制作过程容易皱折及皱折造成的各种不良,RTR生产工艺更适合柔性电路板制作,且RTR生产工艺,产品制作一致性较高,受片式生产设备的滚轮等因素影响较少,另外,人为因素干涉相对较少,如产品皱折、压点等不良少,产品良率高,产品品质好。采用本专利技术可制作双面柔性电路板,还可制作多层柔性电路板的内层双层板。在本专利技术中,液态PSPI作为柔性电路板的绝缘保护层直接涂布本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种双面柔性电路板的卷式制作方法,其特征在于,包括以下步骤:/n步骤A:RTR双面前处理,对已制完线路的卷对卷基板进行RTR双面前处理,粗化及清洁卷对卷基板的两面电路层表面;/n步骤B:RTR双面涂布PSPI及氮气预烘烤,将液态PSPI均匀涂布在卷对卷基板的两面电路层上,并对涂布有液态PSPI的卷对卷基板进行氮气预烘烤;/n步骤C:RTR双面PSPI曝光,将卷对卷基板上的两面PSPI层进行曝光,将双面柔性电路板所需的两面绝缘保护图形层分别曝光转移到对应的PSPI层上;/n步骤D:RTR双面PSPI显影,将经过曝光处理的卷对卷基板上的两面PSPI层进行显影处理,将两面绝缘保护图形层显影出;/n步骤E:RTR双面氮气烘烤,将经过显影处理的卷对卷基板上的两面PSPI层进行氮气烘烤处理,将PSPI层固化成型。/n

【技术特征摘要】
1.一种双面柔性电路板的卷式制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤A:RTR双面前处理,对已制完线路的卷对卷基板进行RTR双面前处理,粗化及清洁卷对卷基板的两面电路层表面;
步骤B:RTR双面涂布PSPI及氮气预烘烤,将液态PSPI均匀涂布在卷对卷基板的两面电路层上,并对涂布有液态PSPI的卷对卷基板进行氮气预烘烤;
步骤C:RTR双面PSPI曝光,将卷对卷基板上的两面PSPI层进行曝光,将双面柔性电路板所需的两面绝缘保护图形层分别曝光转移到对应的PSPI层上;
步骤D:RTR双面PSPI显影,将经过曝光处理的卷对卷基板上的两面PSPI层进行显影处理,将两面绝缘保护图形层显影出;
步骤E:RTR双面氮气烘烤,将经过显影处理的卷对卷基板上的两面PSPI层进行氮气烘烤处理,将PSPI层固化成型。


2.如权利要求1所述的一种双面柔性电路板的卷式制作方法,其特征在于:步骤A中,所述前处理工艺为棕化处理或微蚀处理,微蚀量为0.7-1.5um。


3.如权利要求1所述的一种双面柔性电路板的卷式制作方法,其特征在于:步骤B中,涂布的PSPI层厚度为10-25um;烘烤温度为75-85℃,烘烤时间为10-20min。


4.如权利要求1所述的一种双面柔性电路板的卷式制作方法,其特征在于:步骤C中,采用21阶曝光尺,能量级为8-11阶;步骤D中,采用的显影液为Na2CO3或K2CO3,显影浓度1-1.2%,显影温度30±2℃,显影点为50-6...

【专利技术属性】
技术研发人员:李毅峰续振林陈妙芳何耀忠陈嘉彦
申请(专利权)人:厦门柔性电子研究院有限公司
类型:发明
国别省市:福建;35

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