C8-BTBT单晶膜及其制备方法、基于C8-BTBT单晶膜的有机场效应晶体管技术

本发明专利技术公开了一种C8‑BTBT单晶膜及其制备方法、基于C8‑BTBT单晶膜的有机场效应晶体管，制备方法包括以下步骤：在载玻片上热蒸镀铝，形成铝层，对铝层采用阳极氧化方法，以使铝层形成一氧化铝层；将氧化铝层加热至40～60℃，在氧化铝层的上表面设置一刮刀，位于刮刀底端的刀刃与氧化铝层的上表面的距离为5‑20微米，在刮刀和氧化铝层之间滴加有机半导体溶液，以0.01～0.4mm/s的速度移动刮刀或载玻片，以使氧化铝层和刮刀发生相对移动，在刀刃经过的氧化铝层上得到C8‑BTBT单晶膜。本发明专利技术所得C8‑BTBT单晶膜进一步提升有机场效应晶体管的迁移率，而且降低了器件的亚阈值摆幅。

【技术实现步骤摘要】
C8-BTBT单晶膜及其制备方法、基于C8-BTBT单晶膜的有机场效应晶体管
本专利技术属于有机场效应晶体管
，具体来说涉及一种C8-BTBT单晶膜及其制备方法、基于C8-BTBT单晶膜的有机场效应晶体管。
技术介绍
有机场效应晶体管(OFET)在许多新一代有机电子器件中发挥着重要作用，例如存储器、生物传感器、显示器、驱动器和射频识别(RFID)。生产这些设备的主要挑战之一是降低便携式或可穿戴电子应用的工作功率，并使其与电池供电兼容。在OFET的应用中，低工作功率意味着足够的电荷可以积聚在半导体-电介质界面处，以在栅极处的小电压偏置下产生导电沟道。亚阈值摆幅表征了器件从关态转换到开态的速度，因此其值也是越小越好。当亚阈值摆幅较大时也会阻碍缩小器件尺寸时对阈值电压的同步降低。亚阈值摆幅在室温下的理论值极限为60mV/dec，而目前场效应晶体管的亚阈值摆幅普遍在200-1000mV/dec，几乎很少有人将其降低到100mV/dec以下。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种C8-BTBT单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种C8-BTBT单晶膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)在载玻片上热蒸镀铝，形成铝层，对所述铝层采用阳极氧化方法，以使所述铝层形成一氧化铝层；/n2)将所述氧化铝层加热至40～60℃，在所述氧化铝层的上表面设置一刮刀，位于所述刮刀底端的刀刃与所述氧化铝层的上表面的距离为5-20微米，在刮刀和氧化铝层之间滴加有机半导体溶液，以0.01～0.4mm/s的速度移动刮刀或载玻片，以使氧化铝层和刮刀发生相对移动，在所述刀刃经过的氧化铝层上得到C8-BTBT单晶膜，其中，所述有机半导体溶液为C8-BTBT、聚苯乙烯和氯苯的混合物，所述C8-BTBT的质量份数、聚苯乙烯的质量份数和氯苯的体...

【技术特征摘要】
1.一种C8-BTBT单晶膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)在载玻片上热蒸镀铝，形成铝层，对所述铝层采用阳极氧化方法，以使所述铝层形成一氧化铝层；
2)将所述氧化铝层加热至40～60℃，在所述氧化铝层的上表面设置一刮刀，位于所述刮刀底端的刀刃与所述氧化铝层的上表面的距离为5-20微米，在刮刀和氧化铝层之间滴加有机半导体溶液，以0.01～0.4mm/s的速度移动刮刀或载玻片，以使氧化铝层和刮刀发生相对移动，在所述刀刃经过的氧化铝层上得到C8-BTBT单晶膜，其中，所述有机半导体溶液为C8-BTBT、聚苯乙烯和氯苯的混合物，所述C8-BTBT的质量份数、聚苯乙烯的质量份数和氯苯的体积份数的比为10：10：1。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤1)中，所述铝层的厚度为100～150nm，所述质量份数的单位为mg，所述体积份数的单位为mL。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤1)中，所述阳极氧化方法中的阴极为石墨，阳极为铝，电解液为柠檬酸、柠檬酸钠和超纯水的混合物，其中，所述柠檬酸的质量份数、柠檬...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪涛，胡文平，张小涛，任晓辰，牟麒，席悦，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12