一种金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜的制备方法，包括以下步骤：先制备前驱体溶液，再将其涂覆在基底表面，之后向涂覆层加入反溶剂使材料析出，最后经过干燥制得金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜。本发明专利技术采用涂覆的方式将含有4’4‑联吡啶、铋源、卤化甲烷的前驱体溶液制成金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜，可大大缩短反应周期，仅需40～150s，且无需升温，操作方便简单，安全性高。此外，本发明专利技术制得的金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜色岛厚度在25～46nm之间，相邻微岛之间的区域厚度小于12nm。并且，测得该薄膜的铁电隧道结效应具有500的开关比，可翻转二极管效应具有300的开关比，40‑110的整流比。

A preparation method of metal organic hybrid Perovskite Ferroelectric Thin Films

【技术实现步骤摘要】
一种金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜的制备方法
本专利技术涉及铁电材料制备
，具体涉及一种金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜的制备方法。
技术介绍
为了适应现代社会越来越多的数据需求，一种灵活快速的数据采集与信息记录和非易失性存储器件必不可少，而随着集成电路行业进入深亚微米时代，铁电方面的铁电介质材料也需要更新来适应新工艺的要求。铁电材料是下一代非易失存储器中的重要组成，由于其高存储密度，极快的读写速度以及非破坏性读出的优势，这在铁电器件的应用上具有很高的潜在应用价值，在铁电材料与器件领域有广泛的应用前景。近几年，铁电材料已经扩展到包括有机化合物在内的其他领域，例如在金属有机杂化材料，离子型化合物，以及纯的有机化合物方面已经受到了广泛的关注。其中，金属有机杂化铁电体相比于常规铁电体具有极低的娇顽场值，将其用于制备存储器，具有能耗小、储存信息稳定的优点，并且该材料具备较高的开关比和整流比，这将会使存储器的非易失性更好。但是现有技术中公开的制备方法反应周期长，并且所需温度较高，使其对设备要求高，技术难度大，安全性能差。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜的制备方法，包括以下步骤：/n1)将4’4-联吡啶、铋源、卤化甲烷和有机溶剂混合，得到前驱体溶液；/n2)将所述步骤1)得到的前驱体溶液涂覆在基底表面，得到涂覆层；/n3)向所述步骤2)得到的涂覆层中加入反溶剂后干燥，得到金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜的制备方法，包括以下步骤：
1)将4’4-联吡啶、铋源、卤化甲烷和有机溶剂混合，得到前驱体溶液；
2)将所述步骤1)得到的前驱体溶液涂覆在基底表面，得到涂覆层；
3)向所述步骤2)得到的涂覆层中加入反溶剂后干燥，得到金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中的铋源包括氯化铋、碘化铋或氧化铋。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中的卤化甲烷包括碘甲烷或氯甲烷。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中4’4-联吡啶、铋源、卤化甲烷的物质的量之比为1:2:1～1:2.5:1.5。


5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王守宇，贾云东，刘卫芳，雷蕴麟，
申请(专利权)人：天津师范大学，
类型：发明
国别省市：天津;12