一种单晶圆清洗系统技术方案

本发明专利技术公开了一种单晶圆清洗系统，属于半导体技术领域，包括清洗装置、多个供酸系统和集成系统，清洗装置包括晶圆承载平台、第一旋转机构、第一升降机构、喷射模组、多个回收环、驱动控制机构；控制机构根据清洗指令控制第一旋转机构带动晶圆承载平台旋转，以及控制第一升降机构带动晶圆承载平台升降至与相应的防溅板持平；集成系统根据供应指令输出一控制指令至相应的供酸系统，并将各供酸系统提供的清洗液进行处理后输出至清洗装置。本技术方案的有益效果在于：将一个腔体内所需的化学品集成在一起；对晶圆进行清洗时，根据不同的清洗液选择对应的腔室，有效避免交叉污染。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶圆清洗系统
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种单晶圆清洗系统。
技术介绍
在晶圆制造过程中，尤其是高阶晶圆产品(例如逻辑集成电路、存储、功率器件等相关的晶圆产品)，需要通过繁复的各种光刻，湿法，沉积，氧化等相关的工艺进行处理，每一段点的接续工艺都需要通过湿法工艺进行处理，以确保后续的工艺良率的正确性与再现性。然而为了有效地清除单晶圆表面结构的残余物、微尘、脏污需要对单晶圆表面进行清洗。目前，通过采用半导体清洗设备对单晶圆进行清洗，在清洗单晶圆时，将单晶圆置于半导体清洗设备的腔体中，快速旋转单晶圆并通过气体喷流的方式清洗单晶圆上下两面。目前，对晶圆进行加工所使用的化学品(例如如酸、碱、有机溶液等构成的清洗液)在处理晶圆后并不会被完全消耗干净，往往存在一定量的残余化学品，粘滞在加工晶圆的装置内壁，或者挥发为气体充斥在装置的内部空间，难以去除。清洗单晶圆时容易造成交叉污染，导致晶圆产品质量严重下降，造成后续的工艺良率降低，因此针对以上问题，迫切需要设计出一种集成有不同类型的化学品于一个腔体内进行分段清洗的单晶圆清洗系统，以满足本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶圆清洗系统，其特征在于，包括：/n供酸系统，每一所述供酸系统内存储有同一种清洗液，不同的所述供酸系统内存储的清洗液不同，所述供酸系统用于提供所述清洗液；/n多个集成系统，每一所述集成系统分别连接多个所述供酸系统，所述集成系统用于接收一供应指令，并根据所述供应指令输出一控制指令至相应的所述供酸系统，并将各所述供酸系统提供的所述清洗液进行处理；/n多个清洗装置，连接所述集成系统，每一所述清洗装置对应于一个所述集成系统，每一所述清洗装置分别包括：/n一晶圆承载平台，设置于所述清洗装置的腔体中，用于放置晶圆；/n一第一旋转机构，设置于所述晶圆承载平台内，用于驱动所述晶圆承载平台旋转运动；/...

【技术特征摘要】
1.一种单晶圆清洗系统，其特征在于，包括：
供酸系统，每一所述供酸系统内存储有同一种清洗液，不同的所述供酸系统内存储的清洗液不同，所述供酸系统用于提供所述清洗液；
多个集成系统，每一所述集成系统分别连接多个所述供酸系统，所述集成系统用于接收一供应指令，并根据所述供应指令输出一控制指令至相应的所述供酸系统，并将各所述供酸系统提供的所述清洗液进行处理；
多个清洗装置，连接所述集成系统，每一所述清洗装置对应于一个所述集成系统，每一所述清洗装置分别包括：
一晶圆承载平台，设置于所述清洗装置的腔体中，用于放置晶圆；
一第一旋转机构，设置于所述晶圆承载平台内，用于驱动所述晶圆承载平台旋转运动；
一第一升降机构，所述第一升降机构的升降端连接所述晶圆承载平台，所述第一升降机构用于带动所述晶圆承载平台做升降运动；
喷射模组，所述喷射模组的清洗端朝向所述晶圆承载平台，用于向所述晶圆喷射清洗液；
多个回收环，每个所述回收环的上方倾斜一预设角度设置有对应的防溅板，相邻的两个所述防溅板之间形成一腔室，每个所述防溅板上分别设有阵列排布的喷嘴模组；
一驱动控制机构，分别连接所述第一旋转机构、所述第一升降机构、所述喷射模组和所述集成系统，所述驱动控制机构用于接收一清洗指令，根据所述清洗指令向所述集成系统发送所述供应指令，并根据所述清洗指令控制所述第一旋转机构带动所述晶圆承载平台旋转，以及控制所述第一升降机构带动所述晶圆承载平台升降至与相应的所述防溅板持平，随后控制所述喷射模组根据所述集成系统供应的所述清洗液向所述晶圆喷射。


2.根据权利要求1所述的单晶圆清洗系统，其特征在于，所述喷射模组包括多个喷射组件，每个所述喷射组件用于接收所述集成系统提供的不同类型的所述清洗液，并向所述晶圆喷射；
所述喷射组件包括一第二旋转机构，所述第二旋转机构用于带动所述喷射组件旋转至所述晶圆承载平台的上方，以对所述晶圆的上表面进行清洗。


3.根据权利要求1所述的单晶圆清洗系统，其特征在于，所述喷射模组包括一第...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓信甫，国天增，刘大威，陈丁堃，
申请(专利权)人：上海至纯洁净系统科技股份有限公司，至微半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31