一种存储器译码方法技术

本发明专利技术公开一种存储器译码方法，本方法针对有横向电荷扩散现象的存储颗粒，通过额外的读操作和编程操作修复电荷流失，利用这些特殊的物理机制，对开放块的译码流程进行优化，能够有效降低边缘字线的误码率，提升可靠性容限，降低其可靠性开销，提高闪存存储系统的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种存储器译码方法
本专利技术涉及一种存储器译码方法，本方法基于存储颗粒内部固有的物理机制进行特殊存储场景的译码流程优化，属于存储器的固件纠错模块ECC应用

技术介绍
闪存存储器属于非易失性存储器的一种，具有极高的擦写速度，良好的抗震性能以及较低的功耗。闪存存储芯片主要包括两种闪存架构：NAND型闪存架构和NOR型闪存架构。相对于NOR型闪存，NAND型闪存拥有诸多显著优点。经过多年的市场更新迭代，以NAND型架构闪存为介质的存储系统已广泛应用于当今存储市场，逐步稳固占据非易失性存储市场的主要份额，受到广大消费者以及企业用户的青睐。最常见的NAND闪存存储器为SSD(固态硬盘)和UFS（通用闪存存储）。其中SSD多用于固定场景存储，存储容量大，可靠性要求高，兼容性好，体积大，功耗高；UFS多用于移动终端存储，相对于SSD的主要优点为体积小，功耗低，适合高密度集成。在如今数据大爆炸时代，NAND闪存存储器的应用覆盖了绝大部分存储领域：企业数据中心，5G相关领域，人工智能以及移动手机和平板电脑等。无论是SSD还是UFS，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器译码方法，其特征在于：包括以下步骤：/nS01）、用户读取存储颗粒开放块中的数据，判断读取数据是否处于边缘字线位置，若是，则进行步骤S02，若否，则进行步骤S04；/n所述开放块是指其中字线既有已编程字线、又存在未编程字线的块；/n开放块中，若一条字线的共用存储层的下一条字线处于未编程状态，且能够进行常规编程操作，则这样的字线称为边缘字线；/nS02）、舍弃步骤S01读取的数据，对开放块的边缘字线进行第二次读操作，将第二次读出的数据进行硬解码，若译码成功，则将读取数据返回给主机用户，否则进行步骤S03；/nS03）、编程该边缘字线对应的共用存储层的下一条字线，再次读边缘字线数据，...

【技术特征摘要】
1.一种存储器译码方法，其特征在于：包括以下步骤：
S01）、用户读取存储颗粒开放块中的数据，判断读取数据是否处于边缘字线位置，若是，则进行步骤S02，若否，则进行步骤S04；
所述开放块是指其中字线既有已编程字线、又存在未编程字线的块；
开放块中，若一条字线的共用存储层的下一条字线处于未编程状态，且能够进行常规编程操作，则这样的字线称为边缘字线；
S02）、舍弃步骤S01读取的数据，对开放块的边缘字线进行第二次读操作，将第二次读出的数据进行硬解码，若译码成功，则将读取数据返回给主机用户，否则进行步骤S03；
S03）、编程该边缘字线对应的共用存储层的下一条字线，再次读边缘字线数据，对读出的数据进行硬解码操作，若译码成功，则将读取数据返回给主机用户，否则进行步骤S05；
S...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈杰智，贾梦华，詹学鹏，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：山东;37