一种字线建立方法技术

技术编号:28298231 阅读:25 留言:0更新日期:2021-04-30 16:24
本发明专利技术公开了一种字线建立方法,包括:根据字节的位数将存储器中每一存储单元中的字线划分为若干页;在所述字线的首页和所述首页的相邻页之间连接字线缓冲电路,以加快所述字线的建立速度。本发明专利技术通过在字线的首页和首页的相邻页之间连接字线缓冲电路,可以加快字线首页的建立速度,从而减少字线切换时字线的建立时间,进而在增加尽可能小的版图面积的基础上,有效地解决SPI闪存存储器中字线建立的瓶颈。

【技术实现步骤摘要】
一种字线建立方法
本专利技术涉及半导体集成电路存储
,尤其涉及一种具有串行外设接口的闪存存储器的字线建立方法。
技术介绍
随着存储器容量的增大,字线(WordLine,WL)越来越长,负载越来越大,同时各应用端对存储器读写速度也有着更快的需求,这就对字线的建立速度及建立时间提出了更高的要求,可以说字线的建立速度已成为高速大容量存储器发展的一个瓶颈。目前,在具有串行外设接口(SPI)的闪存(Flash)存储器的电路设计中,提高字线建立速度的传统方法主要有两种:一是更新SPI协议即在指令中加入等待时钟,但这种方法要求应用端上进行对应的修改,存在无法兼容旧应用端的问题;二是将存储器阵列隔离成两个或多个区块,但这种方法需要配备两套或多套外围电路,会导致存储器版图面积增大而降低存储器产品的市场竞争力。然而对于闪存存储器,SPI协议读取数据时真正的瓶颈在于第一个字节(例如由8个比特组成)读取某一字线的最后一个比特数据(也可称为最后一页),第二个字节则读取下一字线的第一页,此时对两个字线的建立速度的要求很高,因此需要根据SPI协议读取数据的特点本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种字线建立方法,其特征在于,包括:/n根据字节的位数将存储器中每一存储单元中的字线划分为若干页;/n在所述字线的首页和所述首页的相邻页之间连接字线缓冲电路,以加快所述字线的建立速度。/n

【技术特征摘要】
1.一种字线建立方法,其特征在于,包括:
根据字节的位数将存储器中每一存储单元中的字线划分为若干页;
在所述字线的首页和所述首页的相邻页之间连接字线缓冲电路,以加快所述字线的建立速度。


2.如权利要求1所述的字线建立方法,其特征在于,所述字线缓冲电路包括:第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2;
所述第一PMOS管MP1的栅极与所述字线的首页的输出端连接;
所述第一PMOS管MP1的源极与所述第二PMOS管MP2的源极连接;
所述第一PMOS管MP1的漏极分别与所述第二PMOS管MP2的栅极和所述第二NMOS管MN2的栅极连接;
所述第二PMOS管MP2的漏极与所述字线的首页的相邻页的输入端连接;
所述第一NMOS管MN1的栅极与所述字线的首页的输出端...

【专利技术属性】
技术研发人员:冯国友
申请(专利权)人:普冉半导体上海股份有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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