将查找操作卸载到NAND卸载设备的方法和系统技术方案

公开了一种将查找操作卸载到NAND卸载设备的方法和系统。该方法包括：由NAND卸载设备从键值固态驱动器(KV SSD)NAND接口接收NAND读命令，其中，NAND卸载设备使用NAND总线连接在KV SSD NAND接口和NAND装置之间；由NAND卸载设备确定NAND读命令是否包括指示间接读操作的信息元素；基于确定NAND读命令包括该信息元素，由NAND卸载设备执行间接读操作；以及基于确定NAND读命令不包括该信息元素：由NAND卸载设备通过NAND总线将NAND读命令传递给NAND装置，并且由NAND卸载设备配置开关以在输出门处将来自NAND装置的响应消息传递给KV SSD NAND接口。

【技术实现步骤摘要】
将查找操作卸载到NAND卸载设备的方法和系统相关申请的交叉引用本申请基于并要求于2019年10月14日提交的印度申请201941041568的优先权，其公开内容整体以引用方式并入本文中。
本公开涉及存储器系统，更具体地，涉及一种用于将查找操作卸载到NAND卸载设备的方法和存储器系统。
技术介绍
通常，支持基于<键,值>的访问的企业固态驱动器(SSD)(可称为键值(KV)SSD)基于键执行多级查找以寻找NAND存储器中存储有与键对应的值的位置。在示例中，键和值可以是数据库中使用的术语。键可以是员工编号，值可以是员工姓名、地址等。<键>可用于在NAND存储器中执行查找。各级查找可涉及与NAND的传送并在SSD控制器内处理以搜索键，然后在NAND存储器中执行下一级查找。由于SSD也可能正在并行进行其它操作，如，垃圾收集(GC)或与其它NAND晶片的输入/输出(IO)，所以在各级查找之间可能引入延迟。图1A示出说明KV读操作的示例场景。如图1A所示，可基于散列来说明<键,值>;查找方法。在操作S本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种将查找操作卸载到NAND卸载设备的方法，包括：/n由所述NAND卸载设备从键值固态驱动器NAND接口接收NAND读命令，其中，使用NAND总线将所述NAND卸载设备连接在所述键值固态驱动器NAND接口和NAND装置之间；/n由所述NAND卸载设备确定所述NAND读命令是否包括指示间接读操作的信息元素；/n基于确定所述NAND读命令包括所述信息元素，由所述NAND卸载设备执行所述间接读操作；以及/n基于确定所述NAND读命令不包括所述信息元素：/n由所述NAND卸载设备通过所述NAND总线将所述NAND读命令传递给所述NAND装置，并且/n由所述NAND卸载设备配置开关以在输出门处将来自...

【技术特征摘要】
20191014 IN 2019410415681.一种将查找操作卸载到NAND卸载设备的方法，包括：
由所述NAND卸载设备从键值固态驱动器NAND接口接收NAND读命令，其中，使用NAND总线将所述NAND卸载设备连接在所述键值固态驱动器NAND接口和NAND装置之间；
由所述NAND卸载设备确定所述NAND读命令是否包括指示间接读操作的信息元素；
基于确定所述NAND读命令包括所述信息元素，由所述NAND卸载设备执行所述间接读操作；以及
基于确定所述NAND读命令不包括所述信息元素：
由所述NAND卸载设备通过所述NAND总线将所述NAND读命令传递给所述NAND装置，并且
由所述NAND卸载设备配置开关以在输出门处将来自所述NAND装置的响应消息传递给所述键值固态驱动器NAND接口。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述信息元素包括随机存取存储器中的第一级表中包括的一比特信息，并且
其中，所述信息元素指示所述信息元素是否位于存储有第二级条目的NAND装置处。


3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
由所述NAND卸载设备根据与所述NAND读命令关联的键计算散列值；
由所述NAND卸载设备在随机存取存储器中的第一级表中执行对与所述散列值对应的第二级NAND页地址的查找；以及
由所述NAND卸载设备基于所述第二级NAND页地址确定所述NAND读命令是否包括所述信息元素。


4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
由包括在所述键值固态驱动器NAND接口中的闪存转换层模块读取持有与所述NAND读命令关联的键的映射信息的NAND页；
由所述闪存转换层模块读取持有与所述键对应的值的NAND页；以及
由所述闪存转换层模块基于与所述键对应的值通过所述NAND总线将所述NAND读命令传递给所述NAND装置。


5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
由所述NAND卸载设备从所述键值固态驱动器NAND接口接收所述NAND读命令；
由所述NAND卸载设备确定所述NAND读命令是间接读命令；
由所述NAND卸载设备将所述NAND读命令修改为正常读命令；
由所述NAND卸载设备将所述正常读命令发送到所述NAND装置；
由所述NAND卸载设备基于所述正常读命令从所述NAND装置接收所述响应消息；
由所述NAND卸载设备将所述响应消息存储在缓冲随机存取存储器中；
由所述NAND卸载设备在存储在所述缓冲随机存取存储器中的NAND页内搜索用于下一级映射的键；
由所述NAND卸载设备在由所述下一级映射标识的位置处将所述NAND读命令发送到所述NAND装置；以及
由所述NAND卸载设备将所述响应消息从所述NAND装置转发给所述键值固态驱动器NAND接口。


6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
将键和值编程到开放块中的闪存转换层模块的附加点；
根据键计算散列值；
确定第二级表的页地址；
将第二级表的条目更新到持有所述第二级表的条目的NAND块的附加点；
确定所述键和所述值是否包括在与所述第二级表相同的晶片中；
基于所述键和所述值包括在与所述第二级表相同的晶片中，针对所述散列值在第一级表的条目中设定比特；以及
基于所述键和所述值不包括在与所述第二级表相同的晶片中，在所述第一级表的条目中更新所述第二级表的页地址。


7.一种NAND卸载设备，所述NAND卸载设备通过使用NAND总线而被连接在键值固态驱动器NAND接口和NAND装置之间，所述NAND卸载设备包括：
NAND卸载控制器；
键大小寄存器，其连接到所述NAND卸载控制器，并且被配置为存储要用于查找的键的大小；
低密度奇偶校验引擎，其连接到所述NAND卸载控制器，并且被配置为从至少一个NAND装置拉取数据；以及
缓冲随机存取存储器，其被配置为存储由所述低密度奇偶校验引擎拉取的数据，
其中，所述NAND卸载控制器被配置为将从所述键值固态驱动器NAND接口接收的输入/输出命令传递给所述NAND装置，并将从所述NAND装置接收的响应消息复制到所述键值固态驱动器NAND接口。


8.根据权利要求7所述的NAND卸载设备，其中，所述NAND卸载控制器还被配置为：
从所述键值固态驱动器NAND接口接收NAND读命令；
确定所述NAND读命令是否包括指示间接读操作的信息元素；
基于确定所述NAND读命令包括所述信息元素，执行所述间接读操作，并且
基于确定所述NAND读命令不包括所述信息元素，通过所述NAND总线将所述NAND读命令传递给所述NAND装置，并配置开关以在输出门处将来自所述NAND装置的响应消息传递给所述键值固态驱动器NAND接口。


9.根据权利要求8所述的NAND卸载设备，其中，所述信息元素包括在随机存取存储器中的第一级表中包括的一比特信息，并且
其中，所述信息元素指示所述信息元素是否位于存储有第二级条目的NAND装置处。


10.根据权利要求8所述的NAND卸载设备，其中，所述NAND卸载控制器还被配置为：
根据与所述NAND读命令关联的键计算散列值；
在随机存取存储器中的第一级表中执行对与所述散列值对应的第二级NAND页地址的查找；并且
基于所述第二级NAND页地址确定所述NAND...

【专利技术属性】
技术研发人员：绍加塔·达斯·普尔卡亚斯塔，斯里坎斯·杜姆库尔·希瓦南德，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR