【技术实现步骤摘要】
半导体用微硅粉的制备装置及方法
本专利技术属于微硅粉制备
,尤其涉及半导体用微硅粉的制备装置及方法。
技术介绍
高纯微硅粉可用于半导体碳化硅材料制备和高纯颗粒硅生产以及其他需要高纯微硅粉的应用。随着电子信息产业和光伏产业迅猛发展,其市场需求量日益增加。现有的传统的微硅粉制备方法有物理粉碎法和机械球磨法,但上述传统的微硅粉制备方法存在以下问题:①在粉碎研磨的过程中产生大量热量,且微硅粉易氧化,从而降低了微硅粉的产品质量;②在制备微硅粉的过程中需要加入研磨剂和研磨液等添加剂,且在研磨过程中机械设备表面会产生的磨损物,因此制备得到的微硅粉杂质含量较高,仍需经过一系列纯化处理,提高了处理难度,且增加了生产成本。因此,亟需一种能提高微硅粉产品质量的技术方案。
技术实现思路
本专利技术目的之一在于:针对现有技术的不足,而提供半导体用微硅粉的制备装置,以解决现有微硅粉因传统的微硅粉制备方法,导致产品质量低的问题。为了实现上述目的,本专利技术采用以下技术方案:半导体用微硅粉的制备装置,包括研磨腔体,所述研磨腔体的顶部与固定轴的一端连接,所述固定轴的另一端与上研磨盘转动连接,所述上研磨盘的顶部设置有第一环型凹槽,所述第一环型凹槽的槽底设置有第一齿纹,所述第一环型凹槽内设置有与所述第一齿纹啮合的第一齿轮,所述第一齿轮与第一转动轴的一端传动连接,所述第一转动轴的另一端通过第一驱动装置设置在所述研磨腔体的内壁,所述上研磨盘的研磨面设置有出料孔,所述固定轴内部设置有混合管道,所述混合管 ...
【技术保护点】
1.半导体用微硅粉的制备装置,其特征在于:包括研磨腔体(1),所述研磨腔体(1)的顶部与固定轴(2)的一端连接,所述固定轴(2)的另一端与上研磨盘(3)转动连接,所述上研磨盘(3)的顶部设置有第一环型凹槽(31),所述第一环型凹槽(31)的槽底设置有第一齿纹,所述第一环型凹槽(31)内设置有与所述第一齿纹啮合的第一齿轮(41),所述第一齿轮(41)与第一转动轴(42)的一端传动连接,所述第一转动轴(42)的另一端通过第一驱动装置(4)设置在所述研磨腔体(1)的内壁,所述上研磨盘(3)的研磨面设置有出料孔,所述固定轴(2)内部设置有混合管道(21),所述混合管道(21)的出料端与所述出料孔连通,所述混合管道(21)的进料端分别与硅粉管道以及惰性气体管道连通,所述上研磨盘(3)的下方对应设置有下研磨盘(5),所述上研磨盘(3)的研磨面与所述下研磨盘(5)的研磨面相互朝向且之间具有间隙,所述下研磨盘(5)的下方设置有刮粉装置(7),所述研磨腔体(1)的底部设置有微硅粉收集通道(8),所述微硅粉收集通道(8)的入口端设置有过滤结构(81)并位于所述研磨腔体(1)的底面。/n
【技术特征摘要】
1.半导体用微硅粉的制备装置,其特征在于:包括研磨腔体(1),所述研磨腔体(1)的顶部与固定轴(2)的一端连接,所述固定轴(2)的另一端与上研磨盘(3)转动连接,所述上研磨盘(3)的顶部设置有第一环型凹槽(31),所述第一环型凹槽(31)的槽底设置有第一齿纹,所述第一环型凹槽(31)内设置有与所述第一齿纹啮合的第一齿轮(41),所述第一齿轮(41)与第一转动轴(42)的一端传动连接,所述第一转动轴(42)的另一端通过第一驱动装置(4)设置在所述研磨腔体(1)的内壁,所述上研磨盘(3)的研磨面设置有出料孔,所述固定轴(2)内部设置有混合管道(21),所述混合管道(21)的出料端与所述出料孔连通,所述混合管道(21)的进料端分别与硅粉管道以及惰性气体管道连通,所述上研磨盘(3)的下方对应设置有下研磨盘(5),所述上研磨盘(3)的研磨面与所述下研磨盘(5)的研磨面相互朝向且之间具有间隙,所述下研磨盘(5)的下方设置有刮粉装置(7),所述研磨腔体(1)的底部设置有微硅粉收集通道(8),所述微硅粉收集通道(8)的入口端设置有过滤结构(81)并位于所述研磨腔体(1)的底面。
2.根据权利要求1所述的半导体用微硅粉的制备装置,其特征在于:所述下研磨盘(5)的底部设置有第二环型凹槽(51),所述第二环型凹槽(51)的槽底设置有第二齿纹,所述第二环型凹槽(51)内设置有与所述第二齿纹啮合的第二齿轮(61),所述第二齿轮(61)与第二转动轴(62)的一端传动连接,所述第二转动轴(62)的另一端通过第二驱动装置(6)设置在所述研磨腔体(1)的内壁。
3.根据权利要求1所述的半导体用微硅粉的制备装置,其特征在于:所述上研磨盘(3)的边缘向下弯折延伸形成挡料部(33),所述挡料部(33)围设在所述下研磨盘(5)的边缘周围,所述挡料部(33)与所述下研磨盘(5)的边...
【专利技术属性】
技术研发人员:宗冰,鲍守珍,张婧,王生红,史正斌,王体虎,
申请(专利权)人:亚洲硅业青海股份有限公司,青海省亚硅硅材料工程技术有限公司,
类型:发明
国别省市:青海;63
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