本实用新型专利技术公开了一种逆流沉锗装置，包括：一级沉锗箱和二级沉锗箱；所述一级沉锗箱和二级沉锗箱内均设置有转轴，转轴与旋转电机连接，转轴上设置有搅拌桨；一级沉锗箱一端连接有进液管，一级沉锗箱下部连接有第一中间管，一级沉锗箱通过第一中间管与二级沉锗箱连接；二级沉锗箱一端连接有辅液管，二级沉锗箱下部连接有第二中间管，二级沉锗箱通过第二中间管与一级沉锗箱连接。便于较好的进行沉锗反应。
【技术实现步骤摘要】
一种逆流沉锗装置
本技术涉及沉锗
，具体涉及一种逆流沉锗装置。
技术介绍
锗是一种化学元素，它的化学符号是Ge，原子序数是32。在化学元素周期表中位于第4周期、第IVA族。它是一种灰白色类金属，有光泽，质硬，属于碳族，化学性质与同族的锡与硅相近。在自然中，锗共有五种同位素，原子量在70至76之间。它能形成许多不同的有机金属化合物，例如四乙基锗及异丁基锗烷。锗是一种重要的半导体材料，用于制造晶体管及各种电子装置。主要的终端应用为光纤系统与红外线光学，也用于聚合反应的催化剂，电子用途与太阳能电力等。现在，开采锗用的主要矿石是闪锌矿(锌的主要矿石)，也可以在银、铅和铜矿中，用商业方式提取锗。一些锗化合物，如四氯化锗(GeCl4)和甲锗烷，能刺激眼睛、皮肤、肺部与喉咙。在锗的制备过程中，含锗溶液通过与单宁酸反应沉锗，一次沉锗反应可能会出现反应效果不好的问题，因此，提供一种逆流沉锗装置。便于较好的进行沉锗反应。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种逆流沉锗装置，解决一次沉锗反应可能会出现反应效果不好的问题的问题。为解决上述的技术问题，本技术采用以下技术方案：一种逆流沉锗装置，包括：一级沉锗箱和二级沉锗箱；所述一级沉锗箱和二级沉锗箱内均设置有转轴，转轴与旋转电机连接，转轴上设置有搅拌桨；一级沉锗箱一端连接有进液管，一级沉锗箱下部连接有第一中间管，一级沉锗箱通过第一中间管与二级沉锗箱连接；二级沉锗箱一端连接有辅液管，二级沉锗箱下部连接有第二中间管，二级沉锗箱通过第二中间管与一级沉锗箱连接。进一步的；所述一级沉锗箱和二级沉锗箱的两侧壁上均设置有过滤盒，过滤盒设置为一侧开口的空腔结构，过滤盒内设置有震动网，震动网与驱动电机连接；过滤盒侧壁上设置有滑轨，滑轨内设置有带动轴，带动轴与带动电机连接，带动轴上设置有过滤网；一级沉锗箱内的一个过滤盒连接第一中间管，二级沉锗箱内的一个过滤盒连接第二中间管。进一步的；所述一级沉锗箱和二级沉锗箱底部均设置为锥形，一级沉锗箱和二级沉锗箱底部连接有排出管，排出管上设置有第一控制阀。进一步的；所述一级沉锗箱和二级沉锗箱侧壁上均设置有观察窗。进一步的；所述第一中间管和第二中间管上均设置有动力泵。进一步的；所述一级沉锗箱和二级沉锗箱内的另一过滤盒均连接有排液管，排液管上设置有第二控制阀。进一步的；所述过滤盒侧壁上固定设置有刮板和刮刷，刮板和刮刷均与过滤网壁贴合设置。与现有技术相比，本技术的至少具有以下有益效果之一：1、二级沉锗箱内由辅液管进入单宁酸溶液，二级沉锗箱内由一级沉锗箱内进入的沉锗溶液反应后再通过第一中间管进行反应，便于二级沉锗箱内进行较好的沉锗；且二级沉锗箱内未反应的单宁酸溶液再通过第二中间管进入到一级沉锗箱内进入的沉锗溶液进行反应，可以进行初步的进行沉锗；二级沉锗箱进行再次的沉锗，使得反应效果较好。2、过滤盒内的震动网以及带动轴带动的过滤网旋转运动，震动网和过滤网都起到过滤作用，便于由第一中间管或第二中间管输送的溶液内没有沉淀产生的锗。附图说明图1为本技术结构示意图。图2为本技术中过滤盒的第一侧视图。图3为本技术中过滤盒的第二侧视图。图中：一级沉锗箱（1）、二级沉锗箱（2）、转轴（3）、旋转电机（4）、搅拌桨（5）、进液管（6）、第一中间管（7）、辅液管（8）、第二中间管（9）、过滤盒（10）、震动网（11）、驱动电机（12）、滑轨（13）、带动轴（14）、带动电机（15）、过滤网（16）、排出管（17）、第一控制阀（18）、观察窗（19）、动力泵（20）、排液管（21）、第二控制阀（22）、刮板（23）、刮刷（24）。具体实施方式图1-3所示，为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。实施例1：一种逆流沉锗装置：包括：一级沉锗箱1和二级沉锗箱2；一级沉锗箱1和二级沉锗箱2内均设置有转轴3，转轴3与旋转电机4连接，转轴3上设置有搅拌桨5；一级沉锗箱1一端连接有进液管6，一级沉锗箱1下部连接有第一中间管7，一级沉锗箱1通过第一中间管7与二级沉锗箱2连接；二级沉锗箱2一端连接有辅液管8，二级沉锗箱2下部连接有第二中间管9，二级沉锗箱2通过第二中间管9与一级沉锗箱1连接；二级沉锗箱2内由辅液管8进入单宁酸溶液，二级沉锗箱2内由一级沉锗箱1内进入的沉锗溶液反应后再通过第一中间管7进行反应，便于二级沉锗箱2内进行较好的沉锗；且二级沉锗箱2内未反应的单宁酸溶液再通过第二中间管9进入到一级沉锗箱1内进入的沉锗溶液进行反应，可以进行初步的进行沉锗；二级沉锗箱2进行再次的沉锗，使得反应效果较好；单宁酸溶液由二级沉锗箱2反应后未反应的单宁酸进入到一级沉锗箱1进行反应。实施例2：在实施例1的基础上，一级沉锗箱1和二级沉锗箱2的两侧壁上均设置有过滤盒10，过滤盒10设置为一侧开口的空腔结构，过滤盒10内设置有震动网11，震动网11与驱动电机12连接；过滤盒10侧壁上设置有滑轨13，滑轨13内设置有带动轴14，带动轴14与带动电机15连接，带动轴14上设置有过滤网16；一级沉锗箱1内的一个过滤盒10连接第一中间管7，二级沉锗箱2内的一个过滤盒10连接第二中间管9；过滤盒10内的震动网11以及带动轴14带动的过滤网16旋转运动，震动网11和过滤网16都起到过滤作用，便于由第一中间管7或第二中间管9输送的溶液内没有沉淀产生的锗。实施例3：在实施例1-2的基础上，一级沉锗箱1和二级沉锗箱2底部均设置为锥形，一级沉锗箱1和二级沉锗箱2底部连接有排出管17，排出管17上设置有第一控制阀18；便于沉锗后的沉的输出。实施例4：在实施例1-3的基础上，一级沉锗箱1和二级沉锗箱2侧壁上均设置有观察窗19；便于观察。实施例5：在实施例1-4的基础上，第一中间管7和第二中间管9上均设置有动力泵20；满足需要。实施例6：在实施例1-5的基础上，一级沉锗箱1和二级沉锗箱2内的另一过滤盒10均连接有排液管21，排液管21上设置有第二控制阀22；便于排出的溶液不含沉锗。实施例7：在实施例1-6的基础上，过滤盒10侧壁上固定设置有刮板23和刮刷24，刮板23和刮刷24均与过滤网16壁贴合设置；减少沉锗贴在过滤网16壁上。尽管这里参照本技术的多个解释性实施例对本技术进行了描述，但是，应该理解，本领域技术人员可以设计出很多其他的修改和实施方式，这些修改和实施方式将落在本申请公开的原则范围和精神之内。更具体地说，在本申请公开、附图和权利要求的范围内，可以对主题组合布局的组成部件和/或布局进行多种变型和改进。除了对组成本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种逆流沉锗装置，其特征在于：包括：一级沉锗箱（1）和二级沉锗箱（2）；/n所述一级沉锗箱（1）和二级沉锗箱（2）内均设置有转轴（3），转轴（3）与旋转电机（4）连接，转轴（3）上设置有搅拌桨（5）；/n一级沉锗箱（1）一端连接有进液管（6），一级沉锗箱（1）下部连接有第一中间管（7），一级沉锗箱（1）通过第一中间管（7）与二级沉锗箱（2）连接；/n二级沉锗箱（2）一端连接有辅液管（8），二级沉锗箱（2）下部连接有第二中间管（9），二级沉锗箱（2）通过第二中间管（9）与一级沉锗箱（1）连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种逆流沉锗装置，其特征在于：包括：一级沉锗箱（1）和二级沉锗箱（2）；
所述一级沉锗箱（1）和二级沉锗箱（2）内均设置有转轴（3），转轴（3）与旋转电机（4）连接，转轴（3）上设置有搅拌桨（5）；
一级沉锗箱（1）一端连接有进液管（6），一级沉锗箱（1）下部连接有第一中间管（7），一级沉锗箱（1）通过第一中间管（7）与二级沉锗箱（2）连接；
二级沉锗箱（2）一端连接有辅液管（8），二级沉锗箱（2）下部连接有第二中间管（9），二级沉锗箱（2）通过第二中间管（9）与一级沉锗箱（1）连接。
2.根据权利要求1所述的一种逆流沉锗装置，其特征在于：所述一级沉锗箱（1）和二级沉锗箱（2）的两侧壁上均设置有过滤盒（10），过滤盒（10）设置为一侧开口的空腔结构，过滤盒（10）内设置有震动网（11），震动网（11）与驱动电机（12）连接；
过滤盒（10）侧壁上设置有滑轨（13），滑轨（13）内设置有带动轴（14），带动轴（14）与带动电机（15）连接，带动轴（14）上设置有过滤网（16）；
一级沉锗箱（1）内的一个过滤盒（10）连接第一中...
【专利技术属性】
技术研发人员：周建泉，杨贵生，罗天奎，张应喜，鲁宗乾，张武昌，罗正鹏，
申请(专利权)人：南华茂森再生科技有限公司，
类型：新型
国别省市：云南;53
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