萘联吲哚衍生物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及有机电致发光元件用材料技术领域，尤其涉及萘联吲哚衍生物及其应用；所述萘联吲哚衍生物的结构如式(I)所示；本发明专利技术所述的萘联吲哚衍生物具有迁移电子和阻挡空穴的能力，适宜作为有机电致发光元件用材料使用，含有所述的萘联吲哚衍生物的有机电致发光元件用材料，具有启动电压低，发光效率高的特点。另外，本发明专利技术的萘联吲哚衍生物具有良好的热稳定性和成膜性能，应用在有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件、显示装置、照明装置中，能够延长使用寿命，从而能够降低有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件、显示装置、照明装置的制造成本。照明装置的制造成本。照明装置的制造成本。照明装置的制造成本。

【技术实现步骤摘要】
萘联吲哚衍生物及其应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光元件用材料
，尤其涉及萘联吲哚衍生物及其应用。

技术介绍

[0002]最近几年有机电致发光显示技术己趋于成熟，一些产品已进入市场，但在产业化时程中，仍有许多问题亟待解决，特别是用于制作元件的各种有机材料，其载流子注入、传输性能，材料电发光性能、使用寿命、色纯度、各种材料之间及与各电极之间的匹配等，尚有许多问题还未解决。尤其是发光元件在发光效率和使用寿命还达不到实用化要求，这大大限制了OLED技术的发展。
[0003]有机电致发光元件具有以空穴传输层和电子传输层夹持含有发光材料的发光层，进而在该夹层结构的两外侧安装阳极和阴极形成的结构。有机电致发光元件是利用注入发光层中的空穴和电子的再结合而产生的激子失活时放出光的元件，被应用于显示或照明器件等。
[0004]为了提高发光效率，需要空穴和电子在发光层中顺利结合。然而，因为常规的有机材料具有的电子迁移率比空穴迁移率低，因此具有空穴和电子间结合效率低的缺点，从而导致发光效率降低。因此，迫切需要提高来自阴极的电子注入和迁移率并同时阻止空穴移动的新化合物。
[0005]鉴于以上原因，存在对具有优异的电子注入和迁移率以及高热稳定性以改善有机发光二极管的效率和寿命特性的有机化合物的强烈需求，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0006]为了解决现有技术存在的以上问题，本专利技术的一个实施方式提供了一种具有优异的空穴和电子输送能力的萘联吲哚衍生物。
[0007]本专利技术的另一实施方式提供了一种通过包含所述萘联吲哚衍生物而具有低驱动电压及优异的寿命和效率特性的有机光电装置。
[0008]本专利技术的又一个实施方式提供了一种包含所述有机光电装置的显示器或照明装置。
[0009]本专利技术的各实施方式不限于上述技术目的，且本领域普通技术人员能理解其它技术目的。
[0010]为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0011]本专利技术提供了一种萘联吲哚衍生物，所述萘联吲哚衍生物的结构如式(I)所示：
[0012][0013]其中，X选自N或CR1；
[0014]R1～R
13
相同或者不同，选自氢、氘、具有C1～C
40
的直链烷基、具有C1～C
40
的直链杂烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的杂烷基、具有C2～C
40
的烯基或炔基、具有5～60个碳原子的芳香族环系或杂芳族环系中的一种，R1～R
13
中的每个基团可被一个或多个基团R取代，且其中两个或更多个相邻的取代基团可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系；
[0015]所述R每次出现时相同或不同，选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar1)2、N(R
14
)2、C(＝O)Ar1、C(＝O)R
14
、P(＝O)(Ar1)2、具有C1～C
40
的直链烷基、具有C1～C
40
的直链杂烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的杂烷基、具有C2～C
40
的烯基或炔基、具有5～80个碳原子的芳族环或杂芳族环系、具有5～60个碳原子的芳氧基或杂芳氧基中的一种，R基团中的每个基团可被一个或多个基团R
14
取代，或这些体系的组合，其中一个或多个非相邻的
‑
CH2‑
基团可被R
14
C＝CR
14
、C≡C、Si(R
14
)2、Ge(R
14
)2、Sn(R
14
)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR
14
、P(＝O)(R
14
)、SO、SO2、NR
14
、O、S或CONR
14
代替，并且其中一个或多个氢原子或被氘原子、卤素原子、腈基或硝基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述环系可被一个或多个基团R
14
取代；
[0016]R
14
每次出现时相同或不同，选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar1)2、N(R
15
)2、C(＝O)Ar1、C(＝O)R
15
、P(＝O)(Ar1)2、具有C1～C
40
的直链烷基、具有C1～C
40
的直链杂烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的杂烷基、具有C2～C
40
的烯基或炔基、具有5～60个碳原子的芳族环或杂芳族环系、具有5～60个碳原子的芳氧基或杂芳氧基中的一种，R
14
中的每个基团可被一个或多个基团R
15
取代，或这些体系的组合，其中一个或多个非相邻的
‑
CH2‑
基团可被R
15
C＝CR
15
、C≡C、Si(R
15
)2、Ge(R
15
)2、Sn(R
15
)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR
15
、P(＝O)(R
15
)、SO、SO2、NR
15
、O、S或CONR
15
代替，并且其中一个或多个氢原子可被氘原子、卤素原子、腈基或硝基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R
14
可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述环系可被一个或多个基团R
15
取代；
[0017]Ar1在每次出现时相同或不同，选自具有5～30个碳原子的芳族或杂芳族环系，所
述环系可被一个或多个非芳族基团R
15
取代；此处键合至同一氮原子或磷原子的两个基团Ar1也可通过单键或选自N(R
15
)、C(R
15
)2、氧或硫的桥连基彼此桥连；
[0018]R
15
选自氢原子、氘原子、氟原子、腈基、具有C1～C
20
的脂族烃基、具有5～30个碳原子的芳族环或杂芳族环系，其中R
15
中一个或多个氢原子可被氘原子、卤素原子、或腈基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R
15
可彼此形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系。
[0019]在本专利技术意义上的芳族或杂芳族环系旨在被认为是指不必仅含有芳基或杂芳基的体系，而是其中多个芳基或杂芳基还可以由非芳族单元例如C、N、O或S原子连接。因此，例如，和其中两本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种萘联吲哚衍生物，其特征在于，所述萘联吲哚衍生物的结构如式(I)所示：其中，X选自N或CR1；R1～R
13
相同或者不同，选自氢、氘、具有C1～C
40
的直链烷基、具有C1～C
40
的直链杂烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的杂烷基、具有C2～C
40
的烯基或炔基、具有5～60个碳原子的芳香族环系或杂芳族环系中的一种，R1～R
13
中的每个基团可被一个或多个基团R取代，且其中两个或更多个相邻的取代基团可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系；所述R每次出现时相同或不同，选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar1)2、N(R
14
)2、C(＝O)Ar1、C(＝O)R
14
、P(＝O)(Ar1)2、具有C1～C
40
的直链烷基、具有C1～C
40
的直链杂烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的杂烷基、具有C2～C
40
的烯基或炔基、具有5～80个碳原子的芳族环或杂芳族环系、具有5～60个碳原子的芳氧基或杂芳氧基中的一种，R基团中的每个基团可被一个或多个基团R
14
取代，或这些体系的组合，其中一个或多个非相邻的
‑
CH2‑
基团可被R
14
C＝CR
14
、C≡C、Si(R
14
)2、Ge(R
14
)2、Sn(R
14
)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR
14
、P(＝O)(R
14
)、SO、SO2、NR
14
、O、S或CONR
14
代替，并且其中一个或多个氢原子或被氘原子、卤素原子、腈基或硝基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述环系可被一个或多个基团R
14
取代；R
14
每次出现时相同或不同，选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar1)2、N(R
15
)2、C(＝O)Ar1、C(＝O)R
15
、P(＝O)(Ar1)2、具有C1～C
40
的直链烷基、具有C1～C
40
的直链杂烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的杂烷基、具有C2～C
40
的烯基或炔基、具有5～60个碳原子的芳族环或杂芳族环系、具有5～60个碳原子的芳氧基或杂芳氧基中的一种，R
14
中的每个基团可被一个或多个基团R
15
取代，或这些体系的组合，其中一个或多个非相邻的
‑
CH2‑
基团可被R
15
C＝CR
15
、C≡C、Si(R
15
)2、Ge(R
15
)2、Sn(R
15
)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR
15
、P(＝O)(R
15
)、SO、SO2、NR
15
、O、S或CONR
15
代替，并且其中一个或多个氢原子可被氘原子、卤素原子、腈基或硝基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R
14
可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述环系可被一个或多个基团R
15
取代；Ar1在每次出现时相同或不同，选自具有5～30个碳原子的芳族或杂芳族环系，所述环系可被一个或多个非芳族基团R
15
取代；此处键合至同一氮原子或磷原子的两个基团Ar1也可通过单键或选自N(R
15
)、C(R
15
)2、氧或硫的桥连基彼此桥连；R
15
选自氢原子、氘原子、氟原子、腈基、具有C1～C
20
的脂族烃基、具有5～30个碳原子的芳族环或杂芳族环系，其中R
15
中一个或多个氢原子可被氘原子、卤素原子、或腈基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R
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可彼此形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系。2.根据权利要求1所述的萘联吲哚衍生物，其特征在于，R1～R
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相同或者不同，选自氢、氘、具有5～60个碳原子的芳香族环系或杂芳族环系中的一种，所述R1～R
13
中的每个基团可被一个或多个基团R取代，且其中两个或更多个相邻的取代基团可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系；所述R每次出现时...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹建华，朱波，侯斌，李程辉，王学涛，吕永清，赵佳，
申请(专利权)人：北京八亿时空液晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：