基板加工装置及方法制造方法及图纸

公开了对基板进行加工的方法及基板加工装置，该方法包括：将掩模放置在加工基板的顶表面上，掩模包括开口；将盖基板放置在掩模上，盖基板与掩模的开口重叠；将加工基板放置在容纳蚀刻溶液的容器上；以及将光束照射到加工基板的顶表面上以在加工基板中形成加工孔，其中，加工基板的底表面接触蚀刻溶液。加工基板的底表面接触蚀刻溶液。加工基板的底表面接触蚀刻溶液。

【技术实现步骤摘要】
基板加工装置及方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年10月24日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0133213号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用在此并入。


[0003]本公开涉及具有高加工速度的基板加工装置及方法。

技术介绍

[0004]可使用各种方法在基板中形成孔。例如，可以采用超短脉冲激光在基板中形成孔。超短脉冲激光可以传递集中的能量，并且由于集中能量的传递，孔的加工质量可提高。然而，由于低的加工速度，生产效率可能降低。
[0005]应当理解，本
技术介绍
部分部分地旨在为理解该技术提供有用的背景。然而，本
技术介绍
部分也可以包括在本文中所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的思想、概念或认识。

技术实现思路

[0006]本公开的实施方式提供了具有高加工速度的基板加工装置及方法。
[0007]根据实施方式，加工基板的方法可以包括：将掩模放置在加工基板的顶表面上，该掩模包括多个开口；将盖基板放置在掩模本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.对基板进行加工的方法，包括：将掩模放置在加工基板的顶表面上，所述掩模包括多个开口；将盖基板放置所述掩模上，所述盖基板与所述掩模的所述多个开口重叠；将所述加工基板放置在容纳蚀刻溶液的容器上；以及将光束照射到所述加工基板的所述顶表面上以在所述加工基板中形成多个加工孔，其中所述加工基板的底表面接触所述蚀刻溶液。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻溶液包括芳香族化合物。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻溶液包括卤素原子或金属氧化物，所述卤素原子是氟原子或氯原子，以及所述金属氧化物是二氧化铈。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻溶液包括包含苯、甲苯和萘中的至少一种的化合物。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述将所述掩模放置在所述加工基板的所述顶表面上包括将所述掩模直接放置在所述加工基板的所述顶表面上。6.根据权利要求5所述的方法，还包括：在形成所述多个加工孔之后移除所述掩模。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述将所述掩模放置在所述加工基板的所述顶表面上包括将所述掩模放置成与所述加工基板的所述顶表面接触或间隔开。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过连接构件将所述加工基板联接到所述容器。9.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过与所述容器连接的溶液供应部向所述容器提供所述蚀刻溶液；以及通过与所述容器连接的溶液排放部将所述蚀刻溶液从所述容器排出。10.根据权利要求1所述的方法，还包括：使安装在所述容器中的旋转器旋转。11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在所述加工...

【专利技术属性】
技术研发人员：深沢孝之，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：