一种buck电路碳化硅功率模块制造技术

本发明专利技术公开了一种buck电路碳化硅功率模块，属于电力电子技术领域。该功率模块包括：底层直接覆铜陶瓷DBC基板；贴装在底层DBC基板上的碳化硅功率芯片、驱动电阻、功率端子、驱动端子，碳化硅功率芯片和驱动电阻构成两个buck半桥电路；碳化硅功率芯片之间通过金属键合线连接；底层直接覆铜陶瓷DBC基板焊接在底板上。本发明专利技术提供的功率模块通过合理的DBC铜层布局，对换流回路进行优化，实现并联芯片回路的均衡，并且大大降低了回路的寄生电感，减小了模块的体积，提高了模块的功率密度。提高了模块的功率密度。提高了模块的功率密度。

【技术实现步骤摘要】
一种buck电路碳化硅功率模块


[0001]本专利技术属于电力电子
，更具体地，涉及一种buck电路碳化硅功率模块。

技术介绍

[0002]buck半桥电路广泛应用于各种电子设备。然而现有商用buck半桥模块使用功率器件仍然以硅基器件为主，电路的载流能力不高，损耗较高，不适合用于大功率等级电路中。
[0003]与硅基器件相比，碳化硅器件具有更高的载流能力、更高的开关速度、更低的开关损耗，并且能够工作在更高的温度下。然而现有碳化硅商用模块换流回路寄生电感普遍偏大，会增大碳化硅器件承受的开关电压电流应力。并且，单个碳化硅芯片之间的载流能力有限，在大功率场合常常需要通过并联多个功率芯片来提高模块的载流能力，然而驱动回路引入寄生电感不同会导致并联芯片之间的电流不均衡问题。
[0004]基于以上情况，目前急需一种能够实现低寄生电感、并联功率芯片均流、载流能力高的buck电路碳化硅功率模块。

技术实现思路

[0005]针对现有技术的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种buck电路碳化硅功率模块，旨在解决现有buck功率模本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种buck电路碳化硅功率模块，其特征在于，所述功率模块包括：底层直接覆铜陶瓷DBC基板、贴装在底层DBC基板上的碳化硅功率芯片、驱动电阻、功率端子、驱动端子以及封装外壳，所述碳化硅功率芯片和驱动电阻构成两个buck半桥电路，包括第一buck半桥电路、第二buck半桥电路；碳化硅功率芯片之间通过金属键合线连接。2.如权利要求1所述的功率模块，其特征在，所述DBC基板包括：导热层，用来将所述碳化硅功率芯片的热量导出所述功率模块；绝缘层和电路层，绝缘层位于导热层和电路层之间，电路层通过焊接方式与所述碳化硅功率芯片的相应端口连接。3.如权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述电路层包括第一芯片区、第二芯片区、第三芯片区、第四芯片区、第一负极连接区、第二负极连接区、第一控制区、第二控制区、第三控制区、第四控制区；所述第一芯片区、第二芯片区、第一负极连接区依次排布组成矩形区域，所述第一芯片区呈“π”形状，所述第二芯片区呈“山”字形状，两者上下排布交错放置在一起，所述第一负极连接区由...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈材，王志伟，郭心悦，黄志召，刘新民，康勇，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：