一种双芯双通路的半导体浪涌防护器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双芯双通路的半导体浪涌防护器件，属于半导体防浪涌器件领域，包括基岛、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一金属焊接区、第二金属焊接区、第一金属电极和第二金属电极；第一半导体芯片和第二半导体芯片分别设置于基岛的两侧；基岛、第一金属电极和第二金属电极分别连接一金属引脚。本实用新型专利技术的有益效果在于：与传统的单路浪涌防护器件相比，通过单颗器件同时实现了共模防护和差模防护，无需多颗器件组合，更加小巧方便，具有小型化、生产工艺稳定、高可靠性、生产效率高、美观等优点，满足未来的器件小型化的发展趋势。同时器件的内部结构上打破了传统封装定制化框架模式，适用性更广阔。适用性更广阔。适用性更广阔。

【技术实现步骤摘要】
一种双芯双通路的半导体浪涌防护器件


[0001]本技术涉及半导体防浪涌器件领域，尤其涉及一种双芯双通路的半导体浪涌防护器件。

技术介绍

[0002]浪涌(Electrical Surge)，就是瞬间出现超出稳定值的峰值，它包括浪涌电压和浪涌电流。本质上讲，浪涌是发生在仅仅几百万分之一秒时间内的一种剧烈脉冲。可能引起浪涌的原因有：雷击、电力线搭接、汽车抛负载等等。
[0003]晶闸管浪涌保护器或半导体放电管(Thyristor Surge Suppresser，TSS)是一种开关型的过电压保护器件，其具有精确导通、快速响应、浪涌吸收能力强、可靠性高等特点。其基于半导体晶闸管开关特性，并联在电路中应用；当TSS两端偏压低于击穿电压时呈高阻态，相当于断路；当出现高于击穿电压的过压事件时立刻响应，变为低阻态，且电阻极低，相当于短路，过压引起的浪涌会及时通过TSS被转移到地。
[0004]瞬态电压抑制器(Transient Voltage Suppressor，TVS)是一种普遍使用的过压保护器件，其具有响应快，大通流，体积小，漏电流小，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双芯双通路的半导体浪涌防护器件，其特征在于，包括一基岛和一半导体芯片组；所述半导体芯片组包括：一第一半导体芯片，所述第一半导体芯片上设有一第一金属焊接区；一第二半导体芯片，所述第二半导体芯片上设有一第二金属焊接区；所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片分别设置于所述基岛的两侧；一第一金属电极，所述第一金属电极通过铜丝键合植球工艺，电镀方式电连接所述第一金属焊接区；一第二金属电极，所述第二金属电极通过铜丝键合植球工艺，电镀方式电连接所述第二金属焊接区；所述基岛、所述第一金属电极和所述第二金属电极分别连接一金属引脚。2.根据权利要求1所述的双芯双通路的半导体浪涌防护器件，其特征在于，所述第一半导体芯片和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张英鹏，苏海伟，魏峰，单少杰，范炜盛，王帅，赵鹏，范婷，郑彩霞，
申请(专利权)人：上海维安半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：