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一种双芯双通路的半导体浪涌防护器件制造技术
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文档序号:28076909
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本实用新型公开了一种双芯双通路的半导体浪涌防护器件,属于半导体防浪涌器件领域,包括基岛、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一金属焊接区、第二金属焊接区、第一金属电极和第二金属电极;第一半导体芯片和第二半导体芯片分别设置于基岛的两侧;基岛、第...
该专利属于上海维安半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海维安半导体有限公司授权不得商用。
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