有机电致发光二极管显示面板及其制备方法、电子设备技术

本申请公开一种有机电致发光二极管显示面板及其制备方法、电子设备。其中，有机电致发光二极管显示面板包括衬底、低温多晶硅薄膜晶体管阵列层以及有机电致发光二极管显示器件层，低温多晶硅薄膜晶体管阵列层叠设在衬底上；有机电致发光二极管显示器件层叠设在低温多晶硅薄膜晶体管阵列层上；其中，衬底包括透光区域和遮光区域，低温多晶硅薄膜晶体管阵列层包括低温多晶硅层，低温多晶硅层在衬底厚度方向上的投影至少部分落入遮光区域所在范围内。本申请的技术方案可改善电子设备的闪屏现象。象。象。

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光二极管显示面板及其制备方法、电子设备


[0001]本申请涉及显示
，特别涉及一种有机电致发光二极管显示面板及其制备方法、电子设备。

技术介绍

[0002]有机电致发光二极管(Organic Light
‑
Emitting diodes，OLED)显示面板由于具备自发光、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快等优点，已逐步成为新一代平面显示技术的代表。
[0003]也正因为如此，市面上不少的电子设备(例如手机、平板电脑等)开始搭载有机电致发光二极管显示面板。并且，为了实现各项功能，电子设备还内置有各种感应器件，例如光线传感器(Ambient Light Sensor，ALS)、接近传感器(Proximity Sensor，PS)等。
[0004]然而，在高屏占比已成为主流趋势的情况下，越来越多的电子设备会将例如接近传感器等感应器件放置在有机电致发光二极管显示面板的下方。此时，如果电子设备的有机电致发光二极管显示面板采用的是低温多晶硅薄膜晶体管的话，就极易导致电子设备出现闪屏的显示不良。这样的问题，一直困扰着研发人员，亟待解决。

技术实现思路

[0005]本申请的主要目的是提供一种有机电致发光二极管显示面板及其制备方法、电子设备，旨在改善电子设备的闪屏现象。
[0006]本申请的一实施例提出一种有机电致发光二极管显示面板，该有机电致发光二极管显示面板包括：
[0007]衬底；
[0008]低温多晶硅薄膜晶体管阵列层，叠设在所述衬底上；以及
[0009]有机电致发光二极管显示器件层，叠设在所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层上；
[0010]其中，所述衬底包括透光区域和遮光区域，所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层包括低温多晶硅层，所述低温多晶硅层在所述衬底厚度方向上的投影至少部分落入所述遮光区域所在范围内。
[0011]本申请的一实施例提出一种有机电致发光二极管显示面板的制备方法，该有机电致发光二极管显示面板的制备方法包括以下步骤：
[0012]制作并得到具有透光区域和遮光区域的衬底；
[0013]在所述衬底上制备形成低温多晶硅薄膜晶体管阵列层，并使所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层中的低温多晶硅层至少部分叠设在所述遮光区域上；
[0014]在所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层上制备形成有机电致发光二极管显示器件层。
[0015]本申请的一实施例提出一种电子设备，该电子设备包括有机电致发光二极管显示面板，该有机电致发光二极管显示面板包括：
[0016]衬底；
[0017]低温多晶硅薄膜晶体管阵列层，叠设在所述衬底上；以及
[0018]有机电致发光二极管显示器件层，叠设在所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层上；
[0019]其中，所述衬底包括透光区域和遮光区域，所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层包括低温多晶硅层，所述低温多晶硅层在所述衬底厚度方向上的投影至少部分落入所述遮光区域所在范围内。
[0020]本申请的技术方案，将有机电致发光二极管显示面板中的衬底配置成由透光区域和遮光区域两部分组成的结构形式，并将低温多晶硅薄膜晶体管阵列层中的低温多晶硅层的至少部分设置在遮光区域的上方。这样，便可利用遮光区域遮挡掉至少部分由感应器件发出并射向低温多晶硅层的光线，从而减少低温多晶硅层所接收到的光线，降低光线对低温多晶硅层的干扰，提升低温多晶硅薄膜晶体管阵列层的稳定性，进而提升有机电致发光二极管显示面板的稳定性，改善电子设备的闪屏现象。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0022]图1为本申请有机电致发光二极管显示面板第一实施例的结构示意图；
[0023]图2为本申请有机电致发光二极管显示面板第二实施例的结构示意图；
[0024]图3为本申请有机电致发光二极管显示面板第三实施例的结构示意图；
[0025]图4为本申请有机电致发光二极管显示面板第四实施例的结构示意图；
[0026]图5为本申请有机电致发光二极管显示面板的制备方法第一实施例的流程示意图；
[0027]图6为图5中步骤S100的细化流程图；
[0028]图7为图6中步骤S110的细化流程图；
[0029]图8为本申请有机电致发光二极管显示面板的制备方法第二实施例的流程示意图；
[0030]图9为图8中制备方法制备得到的有机电致发光二极管显示面板的结构示意图；
[0031]图10为本申请有机电致发光二极管显示面板的制备方法第三实施例的流程示意图；
[0032]图11为图10中制备方法制备得到的有机电致发光二极管显示面板的结构示意图。
[0033]附图标号说明：
Experts Group Audio Layer III)播放器、MP4(动态影像专家压缩标准音频层面4，Moving Picture Experts Group Audio Layer IV)播放器、可穿戴设备、导航仪、掌上游戏机等。
[0041]下面将在具体实施例中对本申请有机电致发光二极管显示面板100的具体结构进行说明，并以有机电致发光二极管显示面板100水平放置为例进行介绍：
[0042]如图1所示，在本申请有机电致发光二极管显示面板100一实施例中，该有机电致发光二极管显示面板100包括衬底10、低温多晶硅薄膜晶体管阵列层20以及有机电致发光二极管显示器件层30，低温多晶硅薄膜晶体管阵列层20叠设在衬底10上；有机电致发光二极管显示器件层30叠设在低温多晶硅薄膜晶体管阵列层20上。
[0043]其中，衬底10包括透光区域和遮光区域，低温多晶硅薄膜晶体管阵列层20包括低温多晶硅层22，低温多晶硅层22在衬底10厚度方向上的投影至少部分落入遮光区域所在范围内。
[0044]需要说明的是，为什么当电子设备的有机电致发光二极管显示面板100采用的是低温多晶硅薄膜晶体管时，就极易导致电子设备出现闪屏的显示不良。本申请的专利技术人经过长期的研究与分析发现，其原因在于：当电子设备内部的例如接近传感器等感应器件开始工作时，感应器件上的例如红外灯等发光元件便会开启并发射出例如红外线等出射光线；接着，例如红外线等出射光线便会穿过有机电致发光二极管显示面板100而射向被检测的物体。在这样的过程中，由于有机电致发光二极管显示面板100采用的是低温多晶硅薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管中的低温多晶硅层22便会对例如红外线等出射光线进行吸收，从而极易导致低温多晶硅薄膜晶体管的阈值电压不稳定。即使是在熄屏状态下，被例如红外线等出射光线照射到的部分低温多晶硅薄膜晶体管，也还是极易因为漏电流而被打开，从而极易导致有机电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光二极管显示面板，其特征在于，包括：衬底；低温多晶硅薄膜晶体管阵列层，叠设在所述衬底上；以及有机电致发光二极管显示器件层，叠设在所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层上；其中，所述衬底包括透光区域和遮光区域，所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层包括低温多晶硅层，所述低温多晶硅层在所述衬底厚度方向上的投影至少部分落入所述遮光区域所在范围内。2.如权利要求1所述的有机电致发光二极管显示面板，其特征在于，所述低温多晶硅层在所述衬底厚度方向上的投影完全落入所述遮光区域所在范围内。3.如权利要求2所述的有机电致发光二极管显示面板，其特征在于，所述遮光区域的外轮廓线超出所述低温多晶硅层在所述衬底厚度方向上的投影的外轮廓线设置。4.如权利要求3所述的有机电致发光二极管显示面板，其特征在于，定义所述遮光区域的外轮廓线与所述低温多晶硅层在所述衬底厚度方向上的投影的外轮廓线之间的距离为L，则满足条件：L≤2μm。5.如权利要求1至4中任一项所述的有机电致发光二极管显示面板，其特征在于，所述衬底包括：透明基材层；和遮光材料层，叠设在所述透明基材层上，并遮盖所述透明基材层的部分表面；其中，所述遮光材料层对应的区域为所述遮光区域，所述透明基材层的未被所述遮光材料层遮盖的区域为所述透光区域。6.如权利要求5所述的有机电致发光二极管显示面板，其特征在于，所述衬底还包括透明整平层，所述透明整平层叠设在所述透明基材层上，并覆盖所述透明基材层的未被所述遮光材料层遮盖的部分。7.如权利要求6所述的有机电致发光二极管显示面...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭天福，
申请(专利权)人：OPPO重庆智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：