改善碳化硅上的MOSFET沟道中的载流子迁移率的器件制造技术

本发明专利技术涉及一种布置在衬底10上的MOSFET器件，该MOSFET器件包括重掺杂的第一条带11和重掺杂的第二条带14，重掺杂的第一条带11和重掺杂的第二条带14分别被第一接触件13和第二接触件15覆盖，这两个条带被也出现在衬底10上的沟道18间隔开，沟道被电介质层20覆盖，第三接触件21处于电介质层20本身上面。该器件的显著之处在于，沟道18在与电介质层20的界面处包含轻掺杂有与沟道相同类型的掺杂物原子的薄膜19，这些掺杂物原子被分布在界面的两侧上。这些掺杂物原子被分布在界面的两侧上。这些掺杂物原子被分布在界面的两侧上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】改善碳化硅上的MOSFET沟道中的载流子迁移率的器件
[0001]本专利技术涉及改善碳化硅上的MOSFET沟道中的载流子迁移率的器件。
[0002]本专利技术的领域是在碳化硅(SiC)上制成的电子功率元件的领域，因为这种材料表现出高的载流子饱和速度和非常好的导热性。这些元件包括二极管、晶闸管、双极型晶体管、MOSFET和最近的绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)。
[0003]专利US 6 639 273因而公开了一种在SiC衬底上的MOSFET器件，该MOSFET器件包括在均为N型的源极区43和漏极区44之间的具有低浓度的P型掺杂物的沟道区50(p沟道区)(D1，第5栏第49至61行，图1a)。栅极绝缘层45被直接形成在沟道区50上。
[0004]然而，发现在MOSFET或IGBT类型的元件中，沟道中的载流子迁移率相比材料的芯中存在的迁移率低。这引起了对这样的元件的电流负荷能力的限制。这是由于SiC与SiO2栅极的氧化物之间的高密度的界面态。这些界面态是由于在氧化过程结束时产生的在氧化物下方的界面层中的诸如碳簇或实际缺陷(indeed defect)之类的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种布置在衬底(10)上的MOSFET器件，所述MOSFET器件包括重掺杂的第一条带(11)和重掺杂的第二条带(14)，重掺杂的第一条带(11)和重掺杂的第二条带(14)分别被第一接触件(13)和第二接触件(15)覆盖，这两个条带被也出现在所述衬底(10)上的沟道(18)间隔开，所述沟道被电介质层(20)覆盖，第三接触件(21)处于所述电介质层(20)本身上方；所述器件的特征在于所述沟道(18)在与所述电介质层(20)的界面处包含轻掺杂的薄膜(19)，并且在于所述第一条带和所述第二条带以及所述薄膜表现出与所述沟道相同类型的掺杂，以便产生被固定在所述沟道与所述电介质层之间的界面处的电荷，使得载流子被从所述电介质层及其缺陷排斥开。2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述衬底(10)由碳化硅制成。3.根据任一项前述权利要求所述的器件，其特征在于，所述电介质层(20)由二氧化硅制成。4.根据任一项前述权利要求所述的器件，其特征在于，所述薄膜(19)是通过离子注...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：国家微电子中心西班牙研究委员会，
类型：发明
国别省市：