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本发明涉及一种布置在衬底10上的MOSFET器件，该MOSFET器件包括重掺杂的第一条带11和重掺杂的第二条带14，重掺杂的第一条带11和重掺杂的第二条带14分别被第一接触件13和第二接触件15覆盖，这两个条带被也出现在衬底10上的沟道18...
该专利属于国家微电子中心-西班牙研究委员会所有，仅供学习研究参考，未经过国家微电子中心-西班牙研究委员会授权不得商用。

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