膜层沉积装置及膜层沉积方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种膜层沉积装置及膜层沉积方法。所述膜层沉积装置包括：承载部，用于承载晶圆；喷头，设置于所述承载部上方，用于向所述位于所述承载部的表面的所述晶圆喷射反应气体，所述反应气体用于在所述晶圆表面形成膜层；遮蔽结构，用于遮蔽所述喷头的边缘区域，以降低所述晶圆的边缘区域的所述反应气体浓度。本发明专利技术一方面，提高了膜层厚度的均匀性；另一方面，使得在后续刻蚀过程中，边缘区域的膜层能够充分被刻蚀，避免了膜层残留，改善了刻蚀质量。改善了刻蚀质量。改善了刻蚀质量。

【技术实现步骤摘要】
膜层沉积装置及膜层沉积方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种膜层沉积装置及膜层沉积方法。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等半导体器件的制造工艺中，刻蚀是至关重要的步骤。现有的刻蚀工艺主要包括湿法刻蚀(Wet Etching)和干法刻蚀(Dry Etching)两种方式。干式刻蚀通常指利用辉光放电(Glow Discharge)方式，产生包含离子、电子等带电粒子以及具有高度化学活性的中性原子、分子及自由基的电浆，来进行图案转印(Pattern Transfer)的刻蚀技术。
[0003]无论是干法刻蚀工艺还是湿法刻蚀工艺，图案都是通过若干层掩膜层向下转移，最终形成于晶圆表面。但是，在沉积掩膜层的过程中，由于晶圆的中心区域和边缘区域暴露于不同的处理条件，从而导致在晶圆表面形成的膜层边缘区域的厚度往往大于中心区域的厚度。这样，一方面，降低了所述膜层的厚度均匀性；另一方面，在图案向下转移的过程中，会由于膜层厚度不均，膜层边缘区域可能会出现刻蚀不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种膜层沉积装置，其特征在于，包括：承载部，用于承载晶圆；喷头，设置于所述承载部上方，用于向所述位于所述承载部的表面的所述晶圆喷射反应气体，所述反应气体用于在所述晶圆表面形成膜层；遮蔽结构，用于遮蔽所述喷头的边缘区域，以降低所述晶圆的边缘区域的所述反应气体浓度。2.根据权利要求1所述的膜层沉积装置，其特征在于，所述喷头朝向所述承载部的表面为喷射面，所述喷射面上具有多个喷孔；所述遮蔽结构包括：若干个遮蔽件，所述遮蔽件用于封闭若干个所述喷孔；驱动器，连接所述遮蔽件，用于驱动所述遮蔽件朝向所述喷射面的边缘运动。3.根据权利要求2所述的膜层沉积装置，其特征在于，所述遮蔽件的数量为多个，且多个所述遮蔽件环绕所述喷射面的外围分布，且相邻所述遮蔽件的端部能够卡合连接；所述驱动器连接多个所述遮蔽件，用于驱动多个所述遮蔽件同步朝向所述喷射面运动，使得多个所述遮蔽件相互连接形成遮蔽环。4.根据权利要求3所述的膜层沉积装置，其特征在于，多个所述喷孔呈环状排列，形成多个喷射环，且多个所述喷射环沿所述喷射面的中心指向所述喷射面的边缘的方向依次嵌套；所述遮蔽环至少封闭最外圈的所述喷射环中的所述喷孔。5.根据权利要求3所述的膜层沉积装置，其特征在于，所述遮蔽件呈圆弧形，且所述遮蔽件的第一端部具有卡口、与所述第一端部相对的第二端部具有凸块，相邻的两个所述遮蔽件通过所述卡口与所述凸块卡合连接。6.根据权利要求3所述的膜层沉积装置，其特征在于，还包括：反应腔室，所述承载部位于所述反应腔室内；环形支撑架，用于支撑所述喷头，所述喷头喷射的所述反应气体经所述环形支撑架中的环形开口进入所述反应腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：江向红，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：