【技术实现步骤摘要】
极紫外光产生方法和装置
[0001]本申请涉及极紫外光源(Extreme Ultra
‑
violet,EUV)
,特别是涉及一种极紫外光产生方法和装置。
技术介绍
[0002]随着微电子领域对于加工工艺的要求越来越高,传统的准分子激光的深紫外光源(Deep Ultra
‑
Violet,DUV)光刻无法满足在摩尔定律推动下的芯片产业发展,极紫外光源应运而生。目前用于大规模工业生产的方案多以LPP(Laser Produced Plasma,激光等离子体)为主,即采用打靶激光击打靶材,使之等离子体化,进而产生波长为13.5nm的EUV光。
[0003]传统的极紫外光产生方法,打靶激光从侧面击打球形的液滴靶,受打靶激光作用面积的限制,打靶激光的能量无法被液滴靶充分吸收,存在激光能量利用率低的问题,不利于提高极紫外光的辐射效率。
[0004]因此,传统的极紫外光产生方法具有打靶激光能量利用率低的缺点。
技术实现思路
[0005]基于此,有必要针对上述问题,提供 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种极紫外光产生方法,其特征在于,包括:液滴发生装置沿液滴运动路径产生液滴靶;所述液滴靶脱离所述液滴发生装置时,具备预设的初始自转角速度;激光光源装置产生辐射脉冲激光,并将所述辐射脉冲激光聚焦于真空环境中的预设打靶位置;所述辐射脉冲激光在所述预设打靶位置,沿垂直于所述液滴靶的转动平面的方向击打所述液滴靶,以使所述液滴靶受到激光作用并被等离子体化,产生极紫外光。2.根据权利要求1所述的极紫外光产生方法,其特征在于,所述激光光源装置产生辐射脉冲激光,并将所述辐射脉冲激光聚焦于真空环境中的预设打靶位置之前,包括:获取所述液滴靶在所述转动平面上的投影半径,并将所述投影半径等于预设极限半径时所述液滴靶的位置,确定为预设打靶位置。3.根据权利要求2所述的极紫外光产生方法,其特征在于,所述获取所述液滴靶沿在所述转动平面上的投影半径,并将所述投影半径等于预设极限半径时所述液滴靶的位置,确定为预设打靶位置之前,包括:获取所述液滴靶的参数和所述初始自转角速度,并根据所述液滴靶的参数和所述初始角速度,计算所述液滴靶在所述转动平面上的最大投影半径,并基于所述最大投影半径确定预设极限半径。4.根据权利要求1所述的极紫外光产生方法,其特征在于,所述转动平面与所述液滴运动路径垂直,所述辐射脉冲激光在所述预设打靶位置,沿垂直于所述液滴靶的转动平面的方向击打所述液滴靶,以使所述液滴靶受到激光作用并被等离子体化,产生极紫外光,包括:所述辐射脉冲激光在预设打靶位置,沿所述液滴靶的运动方向的反方向击打所述液滴靶,以使所述液滴靶受到激光作用并被等离子体化,产生极紫外光。5....
【专利技术属性】
技术研发人员:马修泉,王奕淳,吴寒,刘怀亮,闻锦程,王力波,
申请(专利权)人:广东省智能机器人研究院,
类型:发明
国别省市:
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