一种高抗PID封装胶膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种封装胶膜，尤其涉及一种高抗PID封装胶膜及其制备方法。EVA树脂85～97份，耐老化助剂1～4份，偶联剂0.5～4份，交联剂1～4份，抗PID助剂0.2～2份。高速混合3～10h，待助剂完全吸收后，工艺温度80～110℃流延挤出成型，制得太阳能组件用高抗PIDEVA封装胶膜。解决组件PID功率衰减，降低胶膜的成本和优化生产工序。化生产工序。

【技术实现步骤摘要】
一种高抗PID封装胶膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种封装胶膜，尤其涉及一种高抗PID封装胶膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]结构决定性质，EVA材料自身结构决定在高温高湿环境中易发生降解，导致组件功率衰减，即PID测试后功率衰减，最主要原因是EVA在高温高湿环境下水解/降解所致。常规EVA胶膜，选择加入抗PID母粒，其有效成分为锆类化合物，主料EVA树脂和一些加工助剂，其成本较高。EVA聚合中残留的催化剂，同样影响其耐水解性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术主要是解决现有技术中存在的不足，提供一种解决组件PID功率衰减，降低胶膜的成本和优化生产工序的一种高抗PID封装胶膜及其制备方法。
[0004]本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
[0005]一种高抗PID封装胶膜，包括按照重量份数计的原料组成：
[0006]EVA树脂85～97份，耐老化助剂1～4份，偶联剂0.5～4份，交联剂1～4份，抗PID助剂0.2～2份。
[0007]作为优选，其中，EVA树脂熔是指6～25g/10min，VA含量为15～30％。
[0008]作为优选，耐老化助剂由紫外光吸收剂0～1.5份与光稳定剂0.5～1.5份组成。
[0009]作为优选，紫外光吸收剂为2
‑
羟基
‑4‑
正辛氧基二苯甲酮、2
‑
(2'
‑
羟基
‑
5'
‑r/>辛苯基)
‑
苯并三唑、2
‑
[2,4
‑
双(2,4
‑
二甲苯基)
‑2‑
(1,3,5
‑
三嗪基)5
‑
辛氧基苯酚、双(1,2,2,6,6
‑
五甲基
‑4‑
哌啶基)癸二酸酯、2,2,6,6
‑
四甲基
‑4‑
哌啶硬脂酸酯一种或多种。
[0010]作为优选，光稳定剂为2
‑
(2H
‑
苯并三唑
‑2‑
基)
‑6‑
十二烷基
‑4‑
甲基苯酚、双(2,2,6,6,
‑
四甲基
‑4‑
哌啶基)癸二酸酯、聚丁二酸(4
‑
羟基
‑
2,2,6,6
‑
四甲基
‑1‑
哌啶乙醇)酯一种或多种。
[0011]作为优选，偶联剂为乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三过氧叔丁基硅烷、γ―甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰基氧基硅烷、3
‑
缩水甘油丙基三甲氧基硅烷、3
‑
氨丙基三乙氧基硅烷、乙烯基烷氧基硅烷低聚体中的一种或多种。
[0012]作为优选，交联剂为过氧化异丙苯、二叔丁基过氧化物、过氧化氢二异丙苯、2,5
‑
二甲基
‑
2,5
‑
二叔丁基过氧化乙烷、过氧化2
‑
乙基己基碳酸叔丁酯、过氧化二苯甲酰、过氧化环己酮、过氧苯甲酸叔丁酯、过氧乙酸叔丁酯、叔丁基过氧化
‑
3,5,5
‑
三甲基己酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、2
‑
三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、二甲基丙烯酸二乙二醇酯一种或多种。
[0013]作为优选，抗PID助剂为含乙氧基或者含丙氧基的丙烯酸酯，乙氧化季戊四醇三丙烯酸酯、乙氧化季戊四醇四丙烯酸酯、丙氧化甘油三丙烯酸酯、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、单体碳化二亚胺、丙氧化甘油三丙烯酸酯、聚合型碳化二亚胺、环氧类化合物一种或多种。
[0014]一种高抗PID封装胶膜的制备方法，物料按照比例配料，高速混合3～10h，待助剂
完全吸收后，工艺温度80～110℃流延挤出成型，制得太阳能组件用高抗PID EVA封装胶膜。
[0015]作为优选，加工方式流延成型或压延成型。
[0016]创新点：
[0017]添加特种原料，从结构中抑制EVA降解，降低组件PID功率衰减。选用丙烯酸类、环氧类、碳化二亚胺类耐水解剂，优选出最佳比例，对比市售抗PID母粒，具有低成本高效率降低组件PID功率衰减。
[0018]因此，本专利技术的一种高抗PID封装胶膜及其制备方法，解决组件PID功率衰减，降低胶膜的成本和优化生产工序。
具体实施方式
[0019]下面通过实施例，对本专利技术的技术方案作进一步具体的说明。
[0020]实施例1：一种高抗PID封装胶膜，包括按照重量份数计的原料组成：
[0021]EVA树脂85份，耐老化助剂1份，偶联剂0.5份，交联剂1份，抗PID助剂0.2份。其中，EVA树脂熔是指6g/10min，VA含量为15％。
[0022]耐老化助剂由紫外光吸收剂1份与光稳定剂0.5份组成。
[0023]紫外光吸收剂为2
‑
羟基
‑4‑
正辛氧基二苯甲酮。
[0024]光稳定剂为2
‑
(2H
‑
苯并三唑
‑2‑
基)
‑6‑
十二烷基
‑4‑
甲基苯酚。
[0025]偶联剂为乙烯基三乙氧基硅烷。
[0026]交联剂为过氧化异丙苯、二叔丁基过氧化物。
[0027]抗PID助剂为含乙氧基或者含丙氧基的丙烯酸酯。
[0028]一种高抗PID封装胶膜的制备方法，物料按照比例配料，高速混合3h，待助剂完全吸收后，工艺温度80℃流延挤出成型，制得太阳能组件用高抗PID EVA封装胶膜。
[0029]实施例2：一种高抗PID封装胶膜，包括按照重量份数计的原料组成：
[0030]EVA树脂90份，耐老化助剂2份，偶联剂2份，交联剂3份，抗PID助剂1份。其中，EVA树脂熔是指15g/10min，VA含量为20％。
[0031]耐老化助剂由紫外光吸收剂1.5份与光稳定剂1份组成。
[0032]紫外光吸收剂为2
‑
(2'
‑
羟基
‑
5'
‑
辛苯基)
‑
苯并三唑。
[0033]光稳定剂为双(2,2,6,6,
‑
四甲基
‑4‑
哌啶基)癸二酸酯。
[0034]偶联剂为乙烯基三过氧叔丁基硅烷。
[0035]交联剂为二叔丁基过氧化物。
[0036]抗PID助剂为乙氧化季戊四醇三丙烯酸酯。
[0037]一种高抗PID封装胶膜的制备方法，物料按照比例配料，高速混合5h，待助剂完全吸收后，工艺温度100℃流延挤出成型，制得太阳能组件用高抗PID EVA封装胶膜。
[0038]实施例3：一种高抗PID封装胶膜，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高抗PID封装胶膜，其特征在于：包括按照重量份数计的原料组成：EVA树脂85～97份，耐老化助剂1～4份，偶联剂0.5～4份，交联剂1～4份，抗PID助剂0.2～2份。2.根据权利要求1所述的一种高抗PID封装胶膜，其特征在于：其中，EVA树脂熔是指6～25g/10min，VA含量为15～30％。3.根据权利要求1所述的一种高抗PID封装胶膜，其特征在于：耐老化助剂由紫外光吸收剂0～1.5份与光稳定剂0.5～1.5份组成。4.根据权利要求3所述的一种高抗PID封装胶膜，其特征在于：紫外光吸收剂为2
‑
羟基
‑4‑
正辛氧基二苯甲酮、2
‑
(2'
‑
羟基
‑
5'
‑
辛苯基)
‑
苯并三唑、2
‑
[2,4
‑
双(2,4
‑
二甲苯基)
‑2‑
(1,3,5
‑
三嗪基)5
‑
辛氧基苯酚、双(1,2,2,6,6
‑
五甲基
‑4‑
哌啶基)癸二酸酯、2,2,6,6
‑
四甲基
‑4‑
哌啶硬脂酸酯一种或多种。5.根据权利要求3所述的一种高抗PID封装胶膜，其特征在于：光稳定剂为2
‑
(2H
‑
苯并三唑
‑2‑
基)
‑6‑
十二烷基
‑4‑
甲基苯酚、双(2,2,6,6,
‑
四甲基
‑4‑
哌啶基)癸二酸酯、聚丁二酸(4
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：黄元旦，苏丹，魏晓勇，邵佳俊，张德华，周志英，
申请(专利权)人：浙江祥隆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：