一种分立PD电路及供电系统技术方案

本发明专利技术涉及POE供电技术领域，公开了一种分立PD电路及供电系统，所述分立PD电路包括侦测电路、分级电路以及供电电路；其中，所述侦测电路的第一端与供电正极连接，所述侦测电路的第二端与供电负极连接；所述分级电路的第一端与所述供电正极连接，所述分级电路的第二端与所述供电负极连接；所述供电电路的第一端与所述供电正极连接，所述供电电路的第二端与所述供电负极连接。本发明专利技术实施例提供的一种分立PD电路及供电系统，能够支持宽电压输入，而且避免了特殊功能集成PD芯片的使用，降低了双标POE供电的成本。POE供电的成本。POE供电的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种分立PD电路及供电系统


[0001]本专利技术涉及POE
，特别是涉及一种分立PD电路及供电系统。

技术介绍

[0002]目前，在POE(Power Over Ethernet，以太网供电)供电系统中，IEEE Std 802.3标准要求PD端电压输入范围为36V～57V，传统集成PD(Powered Decices，受电设备)芯片就是按照此标准进行相关设计，但随着工程应用的变化，24V非标准POE供电也演变为主流供电需求，越来越多的产品要求支持双标(标准/非标准)POE供电。但是，仅使用单一传统集成PD芯片无法实现全部的供电需求。
[0003]在现有技术中，实现双标POE供电需要使用带有特殊功能集成PD芯片(如带有APD功能集成PD芯片)，成本较高。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例所要解决的技术问题是：提供一种分立PD电路及供电系统，避免特殊功能集成PD芯片的使用，降低双标POE供电的成本。
[0005]为了解决上述技术问题，第一方面，本专利技术实施例提供一种分立PD电路，所述分立PD电路包括侦测电路、分级电路以及供电电路；其中，
[0006]所述侦测电路的第一端与供电正极连接，所述侦测电路的第二端与供电负极连接；
[0007]所述分级电路的第一端与所述供电正极连接，所述分级电路的第二端与所述供电负极连接；
[0008]所述供电电路的第一端与所述供电正极连接，所述供电电路的第二端与所述供电负极连接。
[0009]作为一个优选方案，所述侦测电路包括第一电容以及第一电阻；其中，
[0010]所述第一电容的一端与所述侦测电路的第一端连接，所述第一电容的另一端与所述侦测电路的第二端连接；
[0011]所述第一电阻与所述第一电容并联连接。
[0012]作为一个优选方案，所述分级电路包括第二电阻、第三电阻、第一二极管、第四电阻、第一开关管、第五电阻、第二二极管、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第二开关管以及第三二极管；其中，
[0013]所述第二电阻的一端与所述分级电路的第二端连接，所述第二电阻的另一端与所述第三电阻的一端连接；
[0014]所述第三电阻的另一端与所述第一二极管的正极连接；
[0015]所述第一二极管的另一端与所述分级电路的第一端连接；
[0016]所述第四电阻的一端与所述第三电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端与所述第一开关管的第一端连接；
[0017]所述第一开关管的第二端与所述分级电路的第二端连接，所述第一开关管的第三端与所述第五电阻的一端连接；
[0018]所述第五电阻的另一端与所述分级电路的第一端连接；
[0019]所述第二二极管的正极与所述第一开关管的第二端连接，所述第二二极管的负极与所述第一开关管的第三端连接；
[0020]所述第六电阻的一端与所述分级电路的第一端连接，所述第六电阻的另一端与所述第三二极管的负极连接；
[0021]所述第七电阻与所述第六电阻并联连接；
[0022]所述第八电阻与所述第六电阻并联连接；
[0023]所述第三二极管的正极与所述第二开关管的第三端连接；
[0024]所述第二开关管的第一端与所述第一开关管的第三端连接，所述第二开关管的第二端与所述第一开关管的第二端连接。
[0025]作为一个优选方案，所述第一开关管为NPN型三极管，则，所述第一开关管的第一端为基极，所述第一开关管的第二端为发射极，所述第一开关管的第三端为集电极；
[0026]所述第二开关管为NMOS管，则，所述第二开关管的第一端为栅极，所述第二开关管的第二端为源极，所述第二开关管的第三端为漏极。
[0027]作为一个优选方案，所述第一二极管为稳压二极管；
[0028]所述第二二极管为稳压二极管；
[0029]所述第三二极管为稳压二极管。
[0030]作为一个优选方案，所述供电电路包括第四二极管、第九电阻、第五二极管、第二电容、第十电阻、第三开关管、第十一电阻、第四开关管、第十二电阻、第三电容、第十三电阻、第五开关管以及后级负载；其中，
[0031]所述第四二极管的正极与所述供电电路的第二端连接，所述第四二极管的负极与所述第九电阻的一端连接；
[0032]所述第九电阻的另一端与所述第五二极管的正极连接；
[0033]所述第五二极管的负极与所述供电电路的第一端连接；
[0034]所述第二电容的一端与所述第三开关管的第二端连接，所述第二电容的另一端与所述第三开关管的第一端连接；
[0035]所述第十电阻与所述第二电容并联连接；
[0036]所述第三开关管的第一端与所述第九电阻的一端连接，所述第三开关管的第二端与所述供电电路的第二端连接，所述第三开关管的第三端与所述第四开关管的第二端连接；
[0037]所述第十一电阻的一端与所述第三开关管的第一端连接，所述第十一电阻的另一端与所述第四开关管的第一端连接；
[0038]所述第四开关管的第三端与所述第十二电阻的一端连接；
[0039]所述第十二电阻的另一端与所述第五开关管的第一端连接；
[0040]所述第三电容的一端与所述第五开关管的第一端连接，所述第三电容的另一端与所述第五开关管的第二端连接；
[0041]所述第十三电阻与所述第三电容并联连接；
[0042]所述第五开关管的第二端与所述供电电路的第一端连接，所述第五开关管的第三端与所述后级负载的正极连接；
[0043]所述后级负载的负极与所述第四开关管的第二端连接。
[0044]作为一个优选方案，所述供电电路还包括第六二极管以及第十四电阻，所述第六二极管与所述第十四电阻设置于所述后级负载的负极与所述第四开关管的第二端之间；其中，
[0045]所述第六二极管的正极与所述后级负载的负极连接，所述第六二极管的负极与所述第十四电阻的一端连接；
[0046]所述第十四电阻的另一端与所述第四开关管的第二端连接。
[0047]作为一个优选方案，所述第四二极管为稳压二极管；
[0048]所述第五二极管为稳压二极管；
[0049]所述第六二极管为整流二极管。
[0050]作为一个优选方案，所述第三开关管为NMOS管，则，所述第三开关管的第一端为栅极，所述第三开关管的第二端为源极，所述第三开关管的第三端为漏极；
[0051]所述第四开关管为NPN型三极管，则，所述第四开关管的第一端为基极，所述第四开关管的第二端为发射极，所述第四开关管的第三端为集电极；
[0052]所述第五开关管为PMOS管，则，所述第五开关管的第一端为栅极，所述第五开关管的第二端为源极，所述第五开关管的第三端为漏极。
[0053]为了解决上述技术问题，第二方面，本专利技术实施例提供一种供电系统，所述供电系统包括第一方面任一项所述的分立PD电路。
[0054]与现有技术相比，本专利技术实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分立PD电路，其特征在于，所述分立PD电路包括侦测电路、分级电路以及供电电路；其中，所述侦测电路的第一端与供电正极连接，所述侦测电路的第二端与供电负极连接；所述分级电路的第一端与所述供电正极连接，所述分级电路的第二端与所述供电负极连接；所述供电电路的第一端与所述供电正极连接，所述供电电路的第二端与所述供电负极连接。2.根据权利要求1所述的分立PD电路，其特征在于，所述侦测电路包括第一电容以及第一电阻；其中，所述第一电容的一端与所述侦测电路的第一端连接，所述第一电容的另一端与所述侦测电路的第二端连接；所述第一电阻与所述第一电容并联连接。3.根据权利要求1所述的分立PD电路，其特征在于，所述分级电路包括第二电阻、第三电阻、第一二极管、第四电阻、第一开关管、第五电阻、第二二极管、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第二开关管以及第三二极管；其中，所述第二电阻的一端与所述分级电路的第二端连接，所述第二电阻的另一端与所述第三电阻的一端连接；所述第三电阻的另一端与所述第一二极管的正极连接；所述第一二极管的另一端与所述分级电路的第一端连接；所述第四电阻的一端与所述第三电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端与所述第一开关管的第一端连接；所述第一开关管的第二端与所述分级电路的第二端连接，所述第一开关管的第三端与所述第五电阻的一端连接；所述第五电阻的另一端与所述分级电路的第一端连接；所述第二二极管的正极与所述第一开关管的第二端连接，所述第二二极管的负极与所述第一开关管的第三端连接；所述第六电阻的一端与所述分级电路的第一端连接，所述第六电阻的另一端与所述第三二极管的负极连接；所述第七电阻与所述第六电阻并联连接；所述第八电阻与所述第六电阻并联连接；所述第三二极管的正极与所述第二开关管的第三端连接；所述第二开关管的第一端与所述第一开关管的第三端连接，所述第二开关管的第二端与所述第一开关管的第二端连接。4.根据权利要求3所述的分立PD电路，其特征在于，所述第一开关管为NPN型三极管，则，所述第一开关管的第一端为基极，所述第一开关管的第二端为发射极，所述第一开关管的第三端为集电极；所述第二开关管为NMOS管，则，所述第二开关管的第一端为栅极，所述第二开关管的第二端为源极，所述第二开关管的第三端为漏极。5.根据权利要求3或4所述的分立PD电路，其特征在于，
所述第一二极管为稳压二极管；所述第二二极管为稳压二极管；所述第三二极管为稳压二极管。6.根据权利要求1所述的分立PD电路，其特征在于，所述供电电路包括第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，
申请(专利权)人：普联国际有限公司，
类型：发明
国别省市：