半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，具备：漂移层(11)；基体层(12)，形成在漂移层(11)上；集电极层(21)，形成在漂移层(11)中的基体层(12)侧的相反侧；以及场阻挡层(20)，形成在集电极层(21)与漂移层(11)之间，与漂移层(11)相比为高载流子浓度；在将场阻挡层(20)中的载流子浓度的最大峰值与集电极层(21)中的载流子浓度的最大峰值之间的距离设为X[μm]、将构成集电极层(21)的剂量相对于构成场阻挡层(20)的剂量的比即杂质总量比设为Y的情况下，以满足Y≧0.69X2+0.08X+0.86的方式构成场阻挡层(20)及集电极层(21)。(21)。(21)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
[0001]关联申请的相互参照
[0002]本申请基于2018年9月13日申请的日本专利申请第2018－171732号，这里通过参照而援引其记载内容。


[0003]本专利技术涉及形成有绝缘栅双极型晶体管(以下简称IGBT)元件的半导体装置。

技术介绍

[0004]以往，作为在逆变器等中使用的开关元件，提出了采用形成有IGBT元件的半导体装置的技术(例如，参照专利文献1)。具体而言，该半导体装置具有N
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型的漂移层，在该漂移层上形成有P型的基体(base)层。并且，在半导体装置中，以将基体层贯通的方式形成有多个沟槽。在各沟槽，以将沟槽的壁面覆盖的方式形成有栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成有栅极电极。进而，在基体层的表层部，以与沟槽的侧面相接的方式形成有N+型的发射极区域。
[0005]在隔着漂移层而与基体层相反的一侧，形成有P型的集电极层。此外，在半导体装置中，形成有与基体层及发射极区域电连接的上部电极，并且形成有与集电极层电连接的下部电极。
[0006]进而，在该半导体装置中，为了提高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，具有场阻挡层(20)，其特征在于，具备：第1导电型的漂移层(11)；第2导电型的基体层(12)，形成在上述漂移层上；第1导电型的发射极区域(16)，形成在上述基体层的表层部；栅极绝缘膜(14)，形成在上述基体层中的上述漂移层与上述发射极区域之间；栅极电极(15)，形成在上述栅极绝缘膜上；第2导电型的集电极层(21)，形成在上述漂移层中的上述基体层侧的相反侧；第1导电型的上述场阻挡层，形成在上述集电极层与上述漂移层之间，与上述漂移层相比为高载流子浓度；第1电极(19)，与上述基体层及上述发射极区域电连接；以及第2电极(22)，与上述集电极层电连接，上述场阻挡层及上述集电极层构成为，在将上述场阻挡层中的载流子浓度为最大的最大峰值位置与上述集电极层中的载流子浓度为最大的最大峰值位置之间的距离设为X[μm]、将构成上述集电极层的剂量相对于构成上述场阻挡层的剂量的比即杂质总量比设为Y的情况下，满足Y≧0.69X2+0.08X+0.86。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述集电极层中，在上述集电极层与上述场阻挡层的层叠方向上，上述集电极层的最大峰值位置位于比该集电极层的中心(C1)靠上述漂移层侧。3.一种半导体装置，具有场阻挡层(20)，其特征在于，具备：第1导电型的漂移层(11)；第2导电型的基体层(12)，形成在上述漂移层上；第1导电型的发射极区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫田征典，米田秀司，药师川裕贵，妹尾贤，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：