一种用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法技术

本发明专利技术公开一种用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法，采用NDL技术在12英寸的石英玻璃晶圆上打孔，通孔尺寸为3微米

【技术实现步骤摘要】
一种用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法


[0001]本专利技术涉及OLED微型显示器
，尤其是一种用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法。

技术介绍

[0002]硅基OLED微型显示器凭借体积小、重量轻、功耗低、分辨率高等优点，被认为是最适用于近眼显示行业的新型显示技术。随着5G商用热度的增加、民用VR/AR领域的景气度提升和军用装备信息化的推进，硅基微型显示器被国内外各大公司广泛关注并投入大量研究。
[0003]设计和制作硅基OLED的关键技术之一是阳极的图形化过程，目前比较常见的图形化方法是光刻掩模板技术（Photo
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mask）以及通孔掩模板技术（Open
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mask）。光刻掩模板技术存在的主要缺点是图形化像素点制造过程中会涉及液体环境，引入溶液主要是为了剥离非像素区域的光刻胶以及蒸镀在光刻胶上纳米级的金属层，从而形成精确的图形化像素点。无论是呈强碱性的显影液还是呈弱碱性的剥离液，长时间浸泡会对部分阳极金属表面产生一定程度的腐蚀，影响金属的功函数和空穴注入能力，使阳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法，其特征在于：包括以下步骤；步骤一，用乙醇，丙酮，异丙醇对透明晶圆进行清洗，然后干燥；步骤二，在干燥后的所述透明晶圆表面旋涂一层正型光刻胶，对所述正型光刻胶曝光显影后形成光刻胶掩模层；步骤三，将具有所述光刻胶掩模层的所述透明晶圆放入磁中性环路放电等离子体刻蚀机，通入刻蚀气体，直至刻穿，形成内部具有高深宽比的通孔晶圆；步骤四，采用N
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甲基吡咯烷酮溶液浸泡所述通孔晶圆，去除残余的所述光刻胶掩模层；步骤五，采用紫外胶局部点涂所述通孔晶圆，贴附在硅基衬底上；步骤六，减薄所述通孔晶圆；步骤七，采用磁控溅射在所述硅基衬底上制备阳极像素点，之后移除所述通孔晶圆。2.如权利要求1所述的用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法，其特征在于：所述步骤一中的所述透明晶圆材料为玻璃。3.如权利要求1所述的用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法，其特征在于：所述步骤三中，所述刻蚀气体为氩气和六氟化硫的混合气体，氩气和六氟化硫的比例为1比1。4.如权利要求3所述的用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法，其特征在于：所述步骤三中，所述磁中性环路放电等离子体刻蚀机的腔室压强为0.6帕斯卡，射频电极功率为1000瓦，偏置电源功...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜艳霜，吴康敬，孙扬，李德权，杨震元，
申请(专利权)人：浙江宏禧科技有限公司，
类型：发明
国别省市：