MLCNAND的数据备份方法、装置及闪存系统制造方法及图纸

本发明专利技术涉及存储器技术领域，公开了一种MLC NAND的数据备份方法、装置及闪存系统，其备份方法包括：接收待写入MLC NAND闪存的数据；若接收到第一指令、第二指令或第三指令至少之一，则将备份标志位设置为有效位，其中，第一指令为确保数据安全的指令，第二指令为将所述数据写入MLC当前存储块以外的其他存储块的指令，第三指令为申请新存储块的指令。本发明专利技术至少具有以下有益效果：实现只需备份少量LSB page的数据就能够保证MLC NAND储存的数据不会因为异常掉电而丢失或者产生数据不一致的问题，确保了NAND设备的可靠性。确保了NAND设备的可靠性。确保了NAND设备的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
MLC NAND的数据备份方法、装置及闪存系统


[0001]本专利技术涉及存储器
，特别涉及一种MLC NAND的数据备份方法、装置及闪存系统。

技术介绍

[0002]在NAND Flash的技术演进中，出现了SLC NAND、MLC NAND、TLC NAND、QLC NAND等不同类型的NAND Flash，这些类型的NAND Flash存在各自的物理操作特性。这些物理操作特性会影响到FTL(闪存转换层)中的操作策略。
[0003]MLC NAND中一个存储cell(存储单元)中储存2个bit数据，这种物理架构就决定了MLC NAND的一个wordline(字线)中存在LSB page和MSB page两个配对页。在编程的时候，先编程LSB page，后编程MSB page，并且MSB page的编程是在LSB page已经完成的编程基础上实现的，这样，当MSB page在编程的时候出现异常掉电的情况，MSB page无法完成编程，出现数据错误，而且cell中存储的电压已经发生了改变，也影响到了存储在同一个cell中对应于LS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MLC NAND的数据备份方法，其特征在于，包括以下步骤：接收待写入MLC NAND闪存的数据；若接收到第一指令、第二指令或第三指令至少之一，则将备份标志位设置为有效位，其中，所述第一指令为确保所述数据安全的指令，所述第二指令为将所述数据写入MLC当前存储块以外的其他存储块的指令，所述第三指令为申请新存储块的指令。2.根据权利要求1所述的MLC NAND的数据备份方法，其特征在于，还包括：对所述MLC NAND闪存执行写数据之前，判断所述备份标志位是否为1；若所述备份标志位为1，则备份MSB page对应的LSB page中的数据，备份操作完成后，将所述备份标志位置为无效位。3.根据权利要求1所述的MLC NAND的数据备份方法，其特征在于，还包括：对所述MLC NAND闪存执行写数据之前，判断所述备份标志位是否为1；若所述备份标志位为1，则备份MSB page对应的LSB page中的数据至SLC当前存储块，备份操作完成后，将所述数据写入MSB page页；若所有需要备份的LSB page的数据均已经完成备份，则设置所述备份标志位为无效位。4.根据权利要求3所述的MLC NAND的数据备份方法，其特征在于，还包括：若LSB page页号大于已经写入的页数，所述已经写入的页数为执行备份标志位置为有效位时MLC当前存储块已经写入的页数，则将备份标志位置为无效位。5.一种MLC NAND的数据备份装置，包括权利要求1
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4中任一项所述的MLC NAND的数据备份方法，其特征在于，包括：接收模块，用于接收待写入MLC NAND闪存的数据；第一判断模块，用于确定若接收到第一指令、第...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾裕，
申请(专利权)人：珠海妙存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：