一种基于共混聚合物介电层的OFET气体传感器制备方法技术

本发明专利技术是一种基于共混聚合物介电层的OFET气体传感器制备方法，采用溶液浸涂法，在ITO玻璃基底（3）上均匀涂覆聚合物混合溶液（1），通过调控聚苯乙烯和聚偏氟乙烯混合溶液（1）的组成和溶液浓度，调控退火时间、退火温度和退火环境，获得不同形貌的共混聚合物介电层（4），在共混聚合物介电层（4）上真空蒸镀四噻吩诱导层（6）和酞菁锌敏感层（7），最后蒸镀金电极（8）得到基于共混聚合物介电层的OFET气体传感器。器。器。

【技术实现步骤摘要】
一种基于共混聚合物介电层的OFET气体传感器制备方法


[0001]本专利技术涉及一种基于共混聚合物介电层的OFET气体传感器制备方法，属于有机气体传感器


技术介绍

[0002]基于聚合物电介质的有机场效应晶体管（OFET）由于其低廉的价格，可低温和溶液处理，大面积制造，柔性和生物相容性等优势吸引了众多研究人员的兴趣。可以广泛应用于不同领域，例如气体传感器、柔性显示器，电子皮肤，射频识别标签等。晶体管是构成信号处理电路和系统的基本元件，基于可溶液处理的聚合物介电材料和有机半导体材料的OFET具有多项竞争优势，使多功能材料的轻松混合集成成为可能。
[0003]近年来，在高性能聚合物和小分子有机半导体材料的研究和开发上投入了大量精力。对于p型和n型有机半导体，文献中已经报道了超过10 cm2V
‑1s
‑1的高迁移率值。然而，这些研究大多使用SiO2作为栅极电介质，羟基对有机半导体分子堆积和载流子传输产生影响，可溶液加工的聚合物和混合电介质由于其低温加工和出色的机械柔性成为了可靠候选。因此，找到合适的聚合物电介质以匹本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于共混聚合物介电层的OFET气体传感器制备方法包括：采用溶液浸涂法，将ITO玻璃基底（3）浸没于聚苯乙烯和聚偏氟乙烯的混合溶液（1）中，通过调控聚苯乙烯和聚偏氟乙烯的组成、混合溶液（1）的浓度、浸涂时间、取出方式，以及调控退火温度、时间和环境，优化共混聚合物介电层（4）的形貌，接着真空蒸镀四噻吩诱导层（6）和酞菁锌敏感层（7），最后蒸镀金电极（8）得到基于共混聚合物介电层的OFET气体传感器。2.根据权利要求1所述的一种基于共混聚合物介电层的OFET气体传感器制备方法，其特征在于，混合溶液（1）由聚苯乙烯、聚偏氟乙烯和甲苯组成，聚苯乙烯和聚偏氟乙烯的质量比在1∶0.5到1∶5之间，混合溶液（1）浓度为5
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50 mg/ml。3.根据权利要求1所述的一种基于共混聚合物介电层的OFET气体传感器制备方法，其特征在于，采用溶液浸涂的方法，在ITO玻璃基底（3）上均匀涂覆聚合物混合溶液（1），浸涂时间为1
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1...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱阳阳，王丽娟，董金鹏，苏和平，王璐，刘畅，
申请(专利权)人：长春工业大学，
类型：发明
国别省市：