一种波长锁定半导体激光器制造技术

一种波长锁定半导体激光器，包括：偏振合束器；位于偏振合束器第一侧的第一半导体激光器，第一半导体激光器适于输出第一激光束，第一激光束包括偏振态相互垂直的第一主激光分量和第一副激光分量；位于偏振合束器第三侧的第二半导体激光芯片，第二半导体激光芯片适于输出第二激光束，第二激光束包括偏振态相互垂直的第二主激光分量和第二副激光分量；位于第一半导体激光器和所述偏振合束器之间的半波片；位于偏振合束器的第二侧的反射元件；偏振合束器适于将第一主激光分量和第二主激光分量合束并从偏振合束器的第四侧出射。所述波长锁定半导体激光器的稳定性和安全性提高。锁定半导体激光器的稳定性和安全性提高。锁定半导体激光器的稳定性和安全性提高。

【技术实现步骤摘要】
一种波长锁定半导体激光器


[0001]本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种波长锁定半导体激光器。

技术介绍

[0002]高功率半导体激光器光纤耦合模块由于其较高的电光转换效率，较小的体积，较高的可靠性和较低的每瓦价格，目前广泛应用于光纤激光、固体激光的泵浦领域。为了尽可能提升光纤耦合模块的亮度，通常会采用合束器件将两束不同偏振态的光束合束在一起，这样可以使输出光束的光束质量不发生变化的前提下，输出功率增加一倍。同时受制于增益介质较窄的泵浦带宽，光纤耦合模块需要实现窄波长输出与极小的温度波长变化，通常会使用体布拉格光栅进行外腔反馈波长锁定实现光谱的窄化。
[0003]然而，半导体激光芯片在封装过程中受应力影响，输出光束很难保证单一的偏振态，部分不满足偏振合束条件的光束将会从合束器件的漏光方向处漏出，被壳体吸收，从而产生大量废热。当体布拉格光栅在合束器件输出合束激光的方向上放置进行波长锁定时，体布拉格光栅作为一个插入损耗器件，将会直接降低最终输出功率，同时体布拉格光栅将承受极高功率密度的激光辐照，降低了光纤耦合模块的整体可靠性。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种波长锁定半导体激光器，其特征在于，包括：偏振合束器，所述偏振合束器具有相对的第一侧和第二侧、以及相对的第三侧和第四侧，自第一侧至第二侧的方向垂直于自第三侧至第四侧的方向；位于所述偏振合束器第一侧的第一半导体激光芯片，第一半导体激光芯片适于输出第一激光束，第一激光束包括偏振态相互垂直的第一主激光分量和第一副激光分量；位于所述偏振合束器第三侧的第二半导体激光芯片，第二半导体激光芯片适于输出第二激光束，第二激光束包括偏振态相互垂直的第二主激光分量和第二副激光分量；位于第一半导体激光芯片和所述偏振合束器之间的半波片；位于所述偏振合束器的第二侧的反射元件，所述反射元件适于反射第一副激光分量沿着原光路返回至第一半导体激光芯片，所述反射元件还适于反射第二副激光分量沿着原光路返回至第二半导体激光芯片；所述偏振合束器适于将第一主激光分量和第二主激光分量合束并从所述偏振合束器的第四侧出射。2.根据权利要求1所述的波长锁定半导体激光器，其特征在于，位于所述第一半导体激光芯片和所述半波片之间的第一主激光分量呈水平偏振态，位于所述第一半导体激光芯片和所述半波片之间的第一副激光分量呈垂直偏振态；位于所述半波片和所述偏振合束器之间的第一主激光分量呈垂直偏振态，位于所述半波片和所述偏振合束器之间的第一副激光分量呈水平偏振态；位于所述偏振合束器和第二半导体激光芯片之间的第二主激光分量呈水平偏振态，位于所述偏振合束器和第二半导体激光芯片之间的第二副激光分量呈垂直偏振态。3.根据权利要求1所述的波长锁定半导体激光器，其特征在于，所述偏振合束器为偏振分束立方体。4.根据权利要求1所述的波长锁定半导体激光器，其特征在于，所述偏振合束器为布儒斯特角偏振片。5.根据权利要求1所述的波长锁定半导体激光器，其特征在于，所述反射元件为高衍射效率反射式体布拉格光栅；所述高衍射效率反射式体布拉格光...

【专利技术属性】
技术研发人员：虞天成，俞浩，李泉灵，王俊，廖新胜，闵大勇，
申请(专利权)人：苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：