【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器部分相干合束系统
[0001]本专利技术涉及半导体领域,具体涉及一种半导体激光器部分相干合束系统。
技术介绍
[0002]高功率半导体激光器光纤耦合模块由于其较高的电光转换效率,较小的体积,较高的可靠性和较低的每瓦价格,目前广泛应用于光纤激光、固体激光的泵浦领域。
[0003]半导体激光器通常需要进行光束整形、空间合束、光纤耦合等过程组装为光纤耦合模块才能应用到实际中。其中空间合束虽然可以增加输出功率,但是牺牲了光束质量。同时由于半导体激光器自身性质特定,输出波长会随温度电流产生一定的漂移,降低了泵浦效率。上述缺点使得光纤耦合模块在实际应用过程中存在一定的缺陷。
技术实现思路
[0004]本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中合束激光的质量较差的问题。
[0005]为了解决上述技术问题,本专利技术提供一种半导体激光器部分相干合束系统,包括:第一半导体激光芯片至第N半导体激光芯片,第k半导体激光芯片出射第k激光,第一激光至第N激光进行空间合束形成空间合束激光,N为大于等于2 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器部分相干合束系统,其特征在于,包括:第一半导体激光芯片至第N半导体激光芯片,第k半导体激光芯片出射第k激光,第一激光至第N激光进行空间合束形成空间合束激光,N为大于等于2的整数,k大于等于1且小于等于N;光纤,所述光纤的入射端具有部分反射膜层;聚焦耦合镜,所述聚焦耦合镜适于将所述空间合束激光中的第一激光至第N激光耦合进所述光纤,所述聚焦耦合镜朝向所述光纤的入射端;所述部分反射膜层反射部分第k激光,使得被反射的第k激光经过聚焦耦合镜之后注入第N-k+1半导体激光芯片。2.根据权利要求1所述的半导体激光器部分相干合束系统,其特征在于,所述部分反射膜层的反射率为5%~15%。3.根据权利要求1所述的半导体激光器部分相干合束系统,其特征在于,所述部分反射膜层为窄带部分反射膜,所述窄带部分反射膜反射特征波长的激光,所述特征波长的激光的波长宽度小于等于1纳米。4.根据权利要求1所述的半导体激光器部分相干合束系统,其特征在于,所述聚焦耦合镜具有经过聚焦耦合镜的焦点的中心光轴;所述空间合束激光中的第一激光至第N激光均与所述中心光轴平行,且所述空间合束激光中的第k...
【专利技术属性】
技术研发人员:俞浩,虞天成,李泉灵,王俊,潘华东,
申请(专利权)人:苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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